Properties of the Barium–Strontium Titanate Films Deposited onto the Silicon Substrate by rf Cathode Sputtering


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Using rf cathode sputtering of a target in the oxygen atmosphere, Ba0.6Sr0.4TiO3 solid solution thin films have been formed on the single-crystal Si(001) cut surface and their crystal structure, microstructure, and optical characteristics have been investigated. It is shown that the films are optically anisotropic, polycrystalline, and have a c axis preferred direction perpendicular to the substrate. The a and b axes in the substrate plane have no preferred direction. It has been established that, during the synthesis, a buffer layer with a thickness of about 20 nm forms between the film and substrate, which is optically equivalent to silicon oxide.

Авторлар туралы

V. Shirokov

Southern Scientific Center; Southern Federal University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: shirokov-vb@rambler.ru
Ресей, Rostov-on-Don, 344006; Rostov-on-Don, 344006

S. Zinchenko

Southern Scientific Center; Southern Federal University

Email: shirokov-vb@rambler.ru
Ресей, Rostov-on-Don, 344006; Rostov-on-Don, 344006

L. Kiseleva

Southern Scientific Center

Email: shirokov-vb@rambler.ru
Ресей, Rostov-on-Don, 344006

A. Pavlenko

Southern Scientific Center; Southern Federal University

Email: shirokov-vb@rambler.ru
Ресей, Rostov-on-Don, 344006; Rostov-on-Don, 344006


© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>