Fabrication of graphene and graphite films on the Ni(111) surface


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The growth of graphene and graphite films on nickel surface under conditions for ultrahigh-vacuum carburization and subsequent annealing is studied at film thicknesses ranging from a single layer to ≈1000 layers. The cooling of nickel carburized at a temperature of 900–1500 K leads to the growth of graphene and thin graphite films the thickness of which depends on the carburization temperature and the growth temperature of the films. Dissolution of nickel with graphite film in diluted sulfuric acid makes it possible to separate the film from the sample. The graphite film thickness amounts to ˜0.4 µm at carburization and growth temperatures of 1500 and 1100 K, respectively.

Авторлар туралы

E. Rut’kov

Ioffe Physicotechnical Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: rutkov@ms.ioffe.rssi.ru
Ресей, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

E. Afanas’eva

Ioffe Physicotechnical Institute

Email: rutkov@ms.ioffe.rssi.ru
Ресей, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

V. Petrov

Ioffe Physicotechnical Institute

Email: rutkov@ms.ioffe.rssi.ru
Ресей, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

N. Gall

Ioffe Physicotechnical Institute; Institute for Analytical Instrumentation

Email: rutkov@ms.ioffe.rssi.ru
Ресей, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021; Rizhskii proezd 26, St. Petersburg, 190103


© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>