Threshold intensity and coefficient of raman scattering amplification in a high-Q bilayer microresonator during the formation of internal and external submicron photonic jets: A photonic nanojet in the near field


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Using quantum and semiclassical approaches, the energy excitation threshold for induced Raman scattering is estimated and a relationship between the excitation threshold and the concentration of optically active molecules in a bilayer microresonator is established. Estimates are made during the formation of specially configured optical fields: internal and external photonic nanojets. Based on the amount of stored energy per mode and the value of the threshold intensity, an additional generalized selection rule for whispering gallery modes is suggested. It is shown that the bilayer microresonator can focus incident radiation (laser pumping) into a submicron focal volume at a low threshold intensity.

Авторлар туралы

M. Zhuravlev

Moscow State Technological University STANKIN

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: jouravl@rambler.ru
Ресей, Vadkovskii per. 1, Moscow, 127055

N. Solis

Moscow State Technological University STANKIN

Email: jouravl@rambler.ru
Ресей, Vadkovskii per. 1, Moscow, 127055

P. Peretyagin

Moscow State Technological University STANKIN

Email: jouravl@rambler.ru
Ресей, Vadkovskii per. 1, Moscow, 127055

A. Okun’kova

Moscow State Technological University STANKIN

Email: jouravl@rambler.ru
Ресей, Vadkovskii per. 1, Moscow, 127055

R. Torrecillas

Centro de Investigacion de Nanomateriales (CINN) (CSIC-Universidad de Oviedo-Principado de Asturias)

Email: jouravl@rambler.ru
Испания, Lianera, 33428


© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>