Мақаланы E-mail арқылы жіберу Formation of semiconductor titanium disilicide
- Авторлар: Kovalevskii A.A.1, Labunov V.A.1, Strogova A.S.1, Tsybul’skii V.V.1
-
Мекемелер:
- State University of Informatics anf Radioelectronics
- Шығарылым: Том 61, № 9 (2016)
- Беттер: 1343-1345
- Бөлім: Solid State
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7842/article/view/197983
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784216090139
- ID: 197983
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
Nanostructured titanium disilicide powders with semiconductor properties are synthesized and studied. The optical and electrophysical properties of TiSi2 are found to be controlled by its crystallite size.
Авторлар туралы
A. Kovalevskii
State University of Informatics anf Radioelectronics
Email: strogova@bsuir.by
Белоруссия, Minsk, 220013
V. Labunov
State University of Informatics anf Radioelectronics
Email: strogova@bsuir.by
Белоруссия, Minsk, 220013
A. Strogova
State University of Informatics anf Radioelectronics
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: strogova@bsuir.by
Белоруссия, Minsk, 220013
V. Tsybul’skii
State University of Informatics anf Radioelectronics
Email: strogova@bsuir.by
Белоруссия, Minsk, 220013
Қосымша файлдар
