Influence of Annealing in Zinc Vapor on the Microstructure and Activator Radiation of ZnSe : Fe


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The effect of thermal treatment in zinc vapor on the stoichiometry, defect and impurity structure, and activator cathodoluminescence of ZnSe doped with iron by the thermal diffusion method has been studied. Using a variety of measurement methods, it is found that, on the one hand, the separate regions in which the edge luminescence intensity drops become larger. On the other hand, the stoichiometry is improved and the integrated luminescence intensity, as well as the activator luminescence intensity, increase. The data obtained agree with the general approach to the mechanism of the influence of thermal treatment on the properties of doped ZnSe.

Об авторах

V. Kalinushkin

Prokhorov General Physics Institute, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: vkalin@kapella.gpi.ru
Россия, Moscow, 119991

V. Klechkovskaya

Shubnikov Institute of Crystallography, Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics,”
Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: klechvv@crys.ras.ru
Россия, Moscow, 119933

Y. Klevkov

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: klechvv@crys.ras.ru
Россия, Moscow, 119991

M. Chukichev

Moscow State University

Email: klechvv@crys.ras.ru
Россия, Moscow, 119991

R. Rezvanov

National Nuclear Research University MEPhI (Moscow Engineering Physics Institute)

Email: klechvv@crys.ras.ru
Россия, Moscow, 115409

N. Ilichev

Prokhorov General Physics Institute, Russian Academy of Sciences

Email: klechvv@crys.ras.ru
Россия, Moscow, 119991

A. Orekhov

Shubnikov Institute of Crystallography, Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics,”
Russian Academy of Sciences; National Research Centre “Kurchatov Institute”

Email: klechvv@crys.ras.ru
Россия, Moscow, 119933; Moscow, 123182

O. Uvarov

Prokhorov General Physics Institute, Russian Academy of Sciences

Email: klechvv@crys.ras.ru
Россия, Moscow, 119991

S. Mironov

Prokhorov General Physics Institute, Russian Academy of Sciences

Email: klechvv@crys.ras.ru
Россия, Moscow, 119991

A. Gladilin

Prokhorov General Physics Institute, Russian Academy of Sciences

Email: klechvv@crys.ras.ru
Россия, Moscow, 119991

V. Chapnin

Prokhorov General Physics Institute, Russian Academy of Sciences

Email: klechvv@crys.ras.ru
Россия, Moscow, 119991

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2018

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).