Electron microscopy study of the microstructure of Ni–W substrate surface


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The surface microstructure of Ni–W alloy tapes, which are used as substrates to form films of high-temperature superconductors and photovoltaic devices, has been studied. Several samples of a Ni95W5 tape (Evico) annealed under different conditions were analyzed using scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray microanalysis, electron diffraction, and electron energy-loss spectroscopy. NiWO4 precipitates are found on the surface of annealed samples. The growth of precipitates at a temperature of 950°С is accompanied by the formation of pores on the surface or under an oxide film. Depressions with a wedge-shaped profile are found at the grain boundaries. Annealing in a reducing atmosphere using a specially prepared chamber allows one to form a surface free of nickel tungstate precipitates.

Об авторах

A. Ovcharov

National Research Centre “Kurchatov Institute,”

Email: a.vasiliev56@gmail.com
Россия, Moscow, 123182

I. Karateev

National Research Centre “Kurchatov Institute,”

Email: a.vasiliev56@gmail.com
Россия, Moscow, 123182

A. Mikhutkin

National Research Centre “Kurchatov Institute,”

Email: a.vasiliev56@gmail.com
Россия, Moscow, 123182

A. Orekhov

Shubnikov Institute of Crystallography, Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics,”

Email: a.vasiliev56@gmail.com
Россия, Moscow, 119333

M. Presniakov

National Research Centre “Kurchatov Institute,”

Email: a.vasiliev56@gmail.com
Россия, Moscow, 123182

I. Chernykh

National Research Centre “Kurchatov Institute,”

Email: a.vasiliev56@gmail.com
Россия, Moscow, 123182

M. Zanaveskin

National Research Centre “Kurchatov Institute,”

Email: a.vasiliev56@gmail.com
Россия, Moscow, 123182

M. Kovalchuk

National Research Centre “Kurchatov Institute,”; Shubnikov Institute of Crystallography, Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics,”

Email: a.vasiliev56@gmail.com
Россия, Moscow, 123182; Moscow, 119333

A. Vasiliev

National Research Centre “Kurchatov Institute,”; Shubnikov Institute of Crystallography, Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics,”

Автор, ответственный за переписку.
Email: a.vasiliev56@gmail.com
Россия, Moscow, 123182; Moscow, 119333

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).