Structure and Electrophysical Properties of the Diamond–Graphen–Silicon Carbide Composite

A. A. Shul’zhenko; L. Jaworska; A. N. Sokolov; L. A. Romanko; V. G. Gargin; N. N. Belyavina; V. N. Tkach; A. P. Zakora

doi:10.3103/S1063457618060102

Structure and Electrophysical Properties of the Diamond–Graphen–Silicon Carbide Composite

Авторлар: Shul’zhenko A.A.¹, Jaworska L.², Sokolov A.N.¹, Romanko L.A.¹, Gargin V.G.¹, Belyavina N.N.³, Tkach V.N.¹, Zakora A.P.¹
Мекемелер:
1. Bakul Institute for Superhard Materials
2. The Institute of Advanced Manufacturing Technology
3. Taras Shevchenko Kiev National University
Шығарылым: Том 40, № 6 (2018)
Беттер: 435-438
Бөлім: Letters to the Editor
URL: https://journals.rcsi.science/1063-4576/article/view/186385
DOI: https://doi.org/10.3103/S1063457618060102
ID: 186385

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The influence was studied of the addition of n-layer graphene Gn(4) and silicon nanocarbide in the sintering under high pressure and temperature with the silicon impregnation of the mixture on the structure and electrophysical properties of a diamond composite.