Model of resistive switching in a nonuniformly strained carbon nanotube

M. V. Il’ina; Yu. F. Blinov; O. I. Il’in; A. V. Guryanov; O. A. Ageev

doi:10.3103/S1062873817120140

Model of resistive switching in a nonuniformly strained carbon nanotube

Авторлар: Il’ina M.V.¹, Blinov Y.F.¹, Il’in O.I.¹, Guryanov A.V.¹, Ageev O.A.¹
Мекемелер:
1. Research and Education Center Nanotechnologies
Шығарылым: Том 81, № 12 (2017)
Беттер: 1485-1489
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1062-8738/article/view/185258
DOI: https://doi.org/10.3103/S1062873817120140
ID: 185258

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The effect elastic strain and piezoelectric charge redistributions have on the transmission of current is considered in a nonuniformly strained carbon nanotube. Both processes result in a reproducible resistive switching effect, allowing the fabrication of memristor structures based on them.