Model of resistive switching in a nonuniformly strained carbon nanotube

M. V. Il’ina; Yu. F. Blinov; O. I. Il’in; A. V. Guryanov; O. A. Ageev

doi:10.3103/S1062873817120140

Model of resistive switching in a nonuniformly strained carbon nanotube

Авторы: Il’ina M.V.¹, Blinov Y.F.¹, Il’in O.I.¹, Guryanov A.V.¹, Ageev O.A.¹
Учреждения:
1. Research and Education Center Nanotechnologies
Выпуск: Том 81, № 12 (2017)
Страницы: 1485-1489
Раздел: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1062-8738/article/view/185258
DOI: https://doi.org/10.3103/S1062873817120140
ID: 185258

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The effect elastic strain and piezoelectric charge redistributions have on the transmission of current is considered in a nonuniformly strained carbon nanotube. Both processes result in a reproducible resistive switching effect, allowing the fabrication of memristor structures based on them.