Factors Affecting the Operating Parameter of a Memristor Based on a LiF Thin Film with Cu Nanoclusters

T. S. Lazareva; L. I. Shchepina; A. A. Chernykh; V. L. Papernyi; N. A. Ivanov

doi:10.3103/S1062873819030122

Factors Affecting the Operating Parameter of a Memristor Based on a LiF Thin Film with Cu Nanoclusters

Авторлар: Lazareva T.S.¹, Shchepina L.I.¹, Chernykh A.A.¹, Papernyi V.L.¹, Ivanov N.A.²
Мекемелер:
1. Research Institute of Applied Physics, Irkutsk State University
2. Irkutsk National Research Technical University
Шығарылым: Том 83, № 3 (2019)
Беттер: 247-250
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1062-8738/article/view/187306
DOI: https://doi.org/10.3103/S1062873819030122
ID: 187306

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Factors affecting the operating parameter of a memristor (R_off/R_on) are considered. The increase in this parameter as the current of a magnetron and the period of irradiation are increased while preparing a LiF thin film with copper nanoclusters is studied. The synaptic behavior of a memristor based on this film is demonstrated.