Отправить статью по E-mail Квантовый размерный эффект блоховских волновых функций электронов сверхвысокой энергии в тонкой монокристаллической пленке
- Авторы: Шкорняков С.М.1
-
Учреждения:
- Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
- Выпуск: № 2 (2024)
- Страницы: 108-112
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/257523
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096024020166
- EDN: https://elibrary.ru/ARXBWZ
- ID: 257523
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Проведен расчет коэффициента отражения электронов сверхвысокой энергии (~1 МэВ) при их нормальном падении на тонкую монокристаллическую пленку. Показано, что и при столь высоких энергиях частиц заметно проявляется квантовый размерный эффект у сформировавшихся в пленке блоховских волн. Установлено, что при определенной энергии электронов возникают узкие брэгговские пики. Приведена формула, определяющая их положение и интенсивность на кривые отражения. Проведено сравнение коэффициентов отражения при средних, высоких и сверхвысоких энергиях частиц.
Об авторах
С. М. Шкорняков
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: shkornyakov@mail.ru
Россия, Москва
Список литературы
- Shishido F. // Tech. Rep. ISSP. Ser. A. 1973. № 616. P. 1.
- Пшеничнов Е.А. // ФТТ. 1962. Т. 4. Вып. 5. С. 1113.
- Schnupp P. // Phys. Stat. Sol. 1967. V. 21. P. 567.
- Schnupp P. // Solid State Electron. 1967. V. 10. P. 785.
- Lopez-Cruz E., Helman J.S. //Phys. Rev. B. 1974. V. 6. № 4. P. 1751.
- Van Rossum M.C.W., Nieuwenhuizen Th.M. // Rev. Mod. Phys. 1999. V. 71. № 1. P. 313.
- Barra F., Gaspard P. // J. Phys. A. 1999. V. 32. P. 3357.
- Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.Ф. Основы наноэлектроники. М.: Физматкнига-Логос, 2006. 494 с.
- Щука А.А. Наноэлектроника. М.: Физматкнига, 2007. 463 с.
- Мартинес-Дуарт Дж М., Мартин-Палма Р Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро - и оптоэлектроники. Сер. Мир материалов и технологий. М.: Техносфера, 2007. 367 с.
- Li J., Chen M., Samad A. et al. // Nat. Mater. 2022. V. 21. P. 740.
- Hoang A.T., Hu L., Katiyar A.K., Ahn J.-H. // Matter. 2022. V. 5. P. 4116.
- Шкорняков С.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2022. № 2. С. 104. https://doi.org./10.31857/S1028096022020121 (Shkornyakov S.M. // J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 2022. V. 16. №1. P. 181. https://doi.org./10.1134/S1027451022010311
- Шкорняков С.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2022. № 8. С. 102. https://doi.org./10.31857/S1028096022080143 (Shkornyakov S.M. // J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 2022.V.16. № 4. P. 653. https://doi.org./10.1134/S1027451022040334)
- Шкорняков С.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2017. № 6. С. 83. https://doi.org./10.7868/S020735281706018X (Shkornyakov S.M. // J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 2017. V. 11. № 3. P. 650. https://doi.org./10.1134/S1027451017030351)
- Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. 574 с. (Hirsch P.B., Howie A., Nicholson R.B., Pashley D.W., Whelan M.J. Electron Microscopy of Thin Crystals.London, Butterworths, 1965.)
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
2.
Рис. 1. Схема потенциальной энергии электрона в пленке: V0 – средняя внутренняя энергия; N – число параллельных поверхности монослоев в пленке; c – период одномерной решетки; t – амплитуда прошедшей волны; r – амплитуда отраженной волны
Скачать (99KB)
3.
Рис. 2. График зависимости коэффициента отражения R от энергии падающих электронов Е в диапазоне около 1 МэВ. Параметры: c = 5 Å, y = –2, V0 = 0, N = 300
Скачать (98KB)
4.
Рис. 3. Зависимость коэффициента отражения R от энергии падающих электронов Е в диапазоне около 1 МэВ в увеличенном масштабе по оси ординат
Скачать (106KB)
5.
Рис. 4. Зависимость коэффициента отражения R от энергии падающих электронов Е в диапазоне около 1 МэВ при еще большем увеличении масштаба как по оси x, так и по оси y
Скачать (120KB)
6.
Рис. 5. Кривые R(E) для трех диапазонов энергии падающих электронов: а – средней; б – высокой; в – сверхвысокой
Скачать (344KB)
