Модель структурного упорядочения вакансий и образования семейства тройных соединений в системах AIBIIICVI

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Характерной особенностью тройных халькогенидных соединений AIBIIICVI, оказывающей существенное влияние на возможность управления функцинальными свойствами материалов на их основе, является сильная склонность к отклонению от стехиометрии. Проведено обоснование существования тройных полупроводниковых соединений с упорядоченными вакансиями в нанокристаллах системы AIBIIICVI с использованием метода триангуляции (метода Горюновой Н.А. для прогнозирования состава алмазоподобных полупроводников). С учетом предположения образования электронейтральных дефектных комплексов, состоящих из вакансии в позиции атома I группы \(2\left[ 0 \right]_{{\text{I}}}^{{ - 1}}~\) и двукратно ионизированного антиструктурного дефекта \({\text{In}}_{{\text{I}}}^{{ + 2}}\), вакансии представлены как псевдоэлемент периодической системы нулевой группы, при этом соединение рассмотрено с позиций концентрационного тетраэдра, и операции триангуляции переходят в операции тетраэдрации. При наличии такого “виртуального” элемента вместо единственного состава в системе AIBIII\(C_{2}^{{{\text{VI}}}}\) определяется известная по данным литературы совокупность тройных соединений с упорядоченным содержанием вакансий, отвечающих полупроводникам, имеющим четыре связи на индивидуальный атом.

Об авторах

Д. С. Мазинг

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”

Автор, ответственный за переписку.
Email: dmazing@yandex.ru
Россия, 197022, Санкт-Петербург

О. А. Александрова

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”

Автор, ответственный за переписку.
Email: oaaleksandrova@gmail.com
Россия, 197022, Санкт-Петербург

В. А. Мошников

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”

Автор, ответственный за переписку.
Email: vamoshnikov@mail.ru
Россия, 197022, Санкт-Петербург

Список литературы

  1. Kagan C.R., Lifshitz E., Sargent E.H., Talapin D.V. // Science. 2016. V. 353. № 6302. P. 885. https://www.doi.org/10.1126/science.aac5523
  2. Choi M.K., Yang J., Hyeon T., Kim D.H. // npj Flexible Electronics. 2018. V. 2. P. 10. https://www.doi.org/10.1038/s41528-018-0023-3
  3. García de Arquer F.P., Armin A., Meredith P., Sargent E.H. // Nat. Rev. Mater. 2017. V. 2. P. 16100. https://www.doi.org/10.1038/natrevmats.2016.100
  4. Pelaz B., Alexiou C., Alvarez-Puebla R.A., Alves F., Andrews A.M., Ashraf S., Balogh L.P., Ballerini L., Bestetti A., Brendel C. et al. // ACS Nano. 2017. V. 11. P. 2313. https://www.doi.org/10.1021/acsnano.6b06040
  5. Sharan A., Sabino F.P., Janotti A., Gaillard N., Ogitsu T., Varley J.B. // J. Appl. Phys. 2020. V. 127. № 6. P. 065303. https://www.doi.org/10.1063/1.5140736
  6. Du J., Singh R., Fedin I., Fuhr A.S., Klimov V.I. // Nature Energy. 2020. V. 5. P. 409. https://www.doi.org/10.1038/s41560-020-0617-6
  7. Regmi G., Ashok A., Chawla P., Semalti P., Velumani S., Sharma S.N., Castaneda H. // J. Mater. Sci.: Mater. Electronics. 2020. V. 31. № 10. P. 7286. https://www.doi.org/10.1007/s10854-020-03338-2
  8. Aldakov D., Lefrançois A., Reiss P. // J. Mater. Chem. C. 2013. V. 1. № 24. P. 3756. https://www.doi.org/10.1039/C3TC30273C
  9. Mazing D.S., Karmanov A.A., Matyushkin L.B., Aleksandrova O.A., Pronin I.A., Moshnikov V.A. // Glass Phys. Chem. 2016. V. 42. P. 497. https://www.doi.org/10.1134/S1087659616050114
  10. Mazing D.S., Korepanov O.A., Aleksandrova O.A., Moshnikov V.A. // Opt. Spectrosc. 2018. V. 125. P. 773. https://www.doi.org/10.1134/S0030400X1811019X
  11. Korepanov O.A., Mazing D.S., Aleksandrova O.A., Moshnikov V.A., Komolov A.S., Lazneva E.F., Kirilenko D.A. // Phys. Solid State. 2019. V. 61. P. 2325. https://www.doi.org/10.1134/S1063783419120217
  12. Ghosh S., Mandal S., Mukherjee S., De C.K., Samanta T., Mandal M., Roy D., Mandal P.K. // J. Phys. Chem. Lett. 2021. V. 12. № 5. P. 1426. https://www.doi.org/10.1021/acs.jpclett.0c03519
  13. Yarema O., Yarema M., Wood V. // Chem. Mater. 2018. V. 30. № 5. P. 1446. https://www.doi.org/10.1021/acs.chemmater.7b04710
  14. Berends A.C., Mangnus M.J., Xia C., Rabouw F.T., de Mello Donega C. // J. Phys. Chem. Lett. 2019. V. 10. № 7. P. 16006. https://www.doi.org/10.1021/acs.jpclett.8b03653
  15. Leach A.D., Macdonald J.E. // J. Phys. Chem. Lett. 2016. V. 7. № 3. P. 572. https://www.doi.org/10.1021/acs.jpclett.5b02211
  16. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968.
  17. Coughlan C., Ibáñez M., Dobrozhan O., Singh A., Cabot A., Ryan K.M. // Chem. Rev. 2017. V. 117. № 9. P. 5865. https://www.doi.org/10.1021/acs.chemrev.6b00376
  18. Jeong S., Yoon H.C., Han N.S., Oh J.H., Park S.M., Min B., Do Y.R., Song J.K. // J. Phys. Chem. C. 2017. V. 121. № 5. P. 3149. https://www.doi.org/10.1021/acs.jpcc.7b00043
  19. Merino J.M., Mahanty S., Leon M., Diaz R., Rueda F., De Vidales J.M. // Thin Solid Films. 2000. V. 361. P. 70. https://www.doi.org/10.1016/S0040-6090(99)00771-3
  20. Yarema O., Yarema M., Bozyigit D., Lin W.M., Wood V. // ACS Nano. 2015. V. 9. № 11. P. 11134. https://www.doi.org/10.1021/acsnano.5b04636
  21. Zhang S.B., Wei S.H., Zunger A. // Phys. Rev. Lett. 1997. V. 78. P. 4059. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevLett.78.4059
  22. Zhang S.B., Wei Su-Huai, Zunger A., Katayama-Yoshida H. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. P. 9642. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.57.9642
  23. Matyushkin L.B., Moshnikov V.A. // Semiconductors. 2017. V. 51. P. 1337. https://www.doi.org/10.1134/S106378261710013X
  24. Aleshin A.N., Shcherbakov I.P., Kirilenko D.A., Matyushkin L.B., Moshnikov V.A. // Phys. Solid State. 2019. V. 61. P. 256. https://www.doi.org/10.1134/S1063783419020021
  25. Omata T., Nose K., Otsuka-Yao-Matsuo S. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. № 7. P. 073106. https://www.doi.org/10.1063/1.3103768

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (330KB)
3.

Скачать (157KB)

© Д.С. Мазинг, О.А. Александрова, В.А. Мошников, 2023

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах