Влияние флуенса электронов на концентрацию центров окраски в полых частицах оксида алюминия
- Авторы: Юрина В.Ю.1,2, Дудин А.Н.1, Нещименко В.В.1,2, Михайлов М.М.2
-
Учреждения:
- Амурский государственный университет
- Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
- Выпуск: № 2 (2023)
- Страницы: 33-39
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/137706
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023020152
- EDN: https://elibrary.ru/DTOEQW
- ID: 137706
Цитировать
Аннотация
Исследовано влияние флуенса электронов с энергией 30 кэВ в диапазоне (1–7) × 1016 см–2 на концентрацию центров окраски в полых частицах оксида алюминия микронного размера в сравнении с объемными микрочастицами Al2O3. Анализ проводили по спектрам диффузного отражения в области от 250 до 2500 нм in situ. Радиационную стойкость исследуемых микросфер оценивали относительно микрочастиц Al2O3 из анализа разностных спектров диффузного отражения, полученных вычитанием спектров после облучения из спектров необлученных образцов. Изменения разностных спектров диффузного отражения микрочастиц и микросфер оксида алюминия показали, что с увеличением флуенса электронов наведенное поглощение увеличивается во всем спектре. Установлено, что радиационная стойкость микросфер оксида алюминия к воздействию электронов с энергией 30 кэВ при флуенсе (1–7) × 1016 см–2 больше по сравнению с радиационной стойкостью микрочастиц Al2O3. Увеличение радиационной стойкости полых частиц оксида алюминия обусловлено малой концентрацией радиационных дефектов анионной подрешетки.
Ключевые слова
Об авторах
В. Ю. Юрина
Амурский государственный университет; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Автор, ответственный за переписку.
Email: viktoriay-09@mail.ru
Россия, 675027, Благовещенск; Россия, 634050, Томск
А. Н. Дудин
Амурский государственный университет
Email: v1ta1y@mail.ru
Россия, 675027, Благовещенск
В. В. Нещименко
Амурский государственный университет; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Автор, ответственный за переписку.
Email: v1ta1y@mail.ru
Россия, 675027, Благовещенск; Россия, 634050, Томск
М. М. Михайлов
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Email: v1ta1y@mail.ru
Россия, 634050, Томск
Список литературы
- Михайлов М.М. Радиационное и космическое материаловедение. Томск: Издательство Томского университета, 2008. 314 с.
- Акишин А.И. Космическое материаловедение. Методическое и учебное пособие. М.: НИИЯФ МГУ, 2007. 209 с.
- Михайлов М.М. Прогнозирование оптической деградации терморегулирующих покрытий космических аппаратов. Новосибирск: Сиб. изд. фирма РАН “Наука”, 1999. 192. c.
- Neshchimenko V.V., Chundong Li, Mikhailov M.M., Jinpeng Lv. // Nanoscale. 2018. V. 47. № 10. P. 22335. https://www.doi.org/10.1039/C8NR04455D
- Neshchimenko V.V., Chundong Li, Mikhailov M.M. // Dyes and Pigments. 2017. V. 145. P. 354. https://www.doi.org/10.1007/s11182-018-1566-4
- Mikhailov M.M., Neshchimenko V.V., Sokolovskiy A.N., Yurina V.Yu. // Progress in Organic Coatings. 2019. V. 131. P. 340. https://www.doi.org/10.1016/j.porgcoat.2019.03.001
- Bladh K.W., Bideaux R.A., Anthony-Morton E., Nichols B.G. The Handbook of Mineralogy III. Mineral Data Publishing, 1997. P. 628.
- Batra I.P. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1982. V. 15. P. 5399. https://www.doi.org/10.1088/0022-3719/15/26/019
- Mo S.D., Xu Y.N., Ching W.Y. // J. Am. Ceram. Soc. 1997. V. 80. P. 1193.
- Arnal P.M., Comotti, M., Schüth F. // Angew. Chem. Int. Ed. 2006. V. 45. № 48. P. 8224. https://www.doi.org/10.1002/anie.200603507
- Wang Y.W., Tseng W.J. // J. Am. Ceram. Soc. 2008. V. 92. P. 32. https://www.doi.org/10.1111/j.1551-2916.2008.02653.x
- Serebryakova M.A., Zaikovskii A.V., Sakhapov S.Z., Smovzh D.V., Sukhinin G.I., Novopashin S.A. // Int. J. Heat Mass Transfer. 2017. V. 108. P. 1314. https://www.doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer. 2016.12.098
- Aluker E.D., Gavrilov V.V., Chernov S. A. // Phys. Status Solidi B. 1992. V. 1. P. 283. https://www.doi.org/10.1002/pssb.2221710131
- Evans B.D., Pogatshnik G.J., Chen Y. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 1994. V. 91. P. 258. https://www.doi.org/10.1016/0168-583x(94)96227-8
- Crawford J.H. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 1986. V. 1. P. 159. https://www.doi.org/10.1016/0168-583x(84)90063-6
- Вертц Дж., Болтон Дж., Теория и практические приложения метода ЭПР. М.: Мир, 1975. 548 с.
- Raj S.S., Gupta S.K., Pathak N., Grover V., Tyagi A.K. // Adv. Powder Technol. 2017. V. 28. P. 1505. https://www.doi.org/10.1016/j.apt.2017.03.020
- Kim J.S., Kang H.I., Kim W.N., Kim J.I., Choi J.C., Park H.L., Kim G.C., Kim T.W., Hwang Y.H., Mho S.I., Jung M.-C., Han M. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 2029. https://www.doi.org/10.1063/1.1564632
- Boumaza A., Favaro L., Ledion J., Sattonnay G., Brubach J.B., Berthet P., Huntz A.M., Roy P., Tetot R. // J. Solid State Chem. 2009. V. 182. P. 1171. https://www.doi.org/10.1016/j.jssc.2009.02.006
- Surdo A.I., Pustovarov V.A., Kortov V.S., Kishka A.S., Zinin E.I. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2005. V. 543. P. 234. https://www.doi.org/10.1016/j.nima.2005.01.189
- Itou M.A., Fujiwara T.U // J. Phys. Chem. C. 2009. V. 113. P. 20949. https://www.doi.org/10.1021/JP908417M
- Watcharatharapong T., Thienprasert J.T., Limpijumnong S. // Integrated Ferroelectrics. 2014. V. 156. P. 79. https://www.doi.org/10.1080/10584587.2014.906290
- Pustovarov V.A., Perevalov T.V., Gritsenko V.A., Smirnova T.P., Yelisseyev A.P. // Thin Solid Films. 2011. V. 519. P. 6319. https://www.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.04.014
- Wang L., Zhang L.D., Wang J.H., Feng Y.J., Feng K.M., Yang J.J., Liu N. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2017. V. 406. P. 600. https://www.doi.org/10.1016/j.nimb.2017.02.073
- Caulfield K.J., Cooper R., Boas J.F. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. P. 55. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.47.55
- Perevalov T.V., Tereshenko O.E., Gritsenko V.A., Pustovarov V.A., Yelisseyev A. P., Park C., Lee C. // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. P. 013501. https://www.doi.org/10.1063/1.3455843
- Pustovarov V.A. Aliev V.S., Perevalov T.V., Gritsenko V.A., Eliseev A.P. // J. Exp. Theor. Phys. 2010. V. 111. P. 989. https://www.doi.org/10.1134/S1063776110120113
- Stashans A., Kotomin E., Calais J.-L. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49 № 21. P. 14854. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.49.14854
- Iurina V.Yu., Neshchimenko V.V., Chundong Li. // J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 2020. V. 14. № 2. P. 253. https://www.doi.org/10.1134/S102745102002038X
- Косицын Л.Г., Михайлов М.М., Кузнецов Н.Я., Дворецкий М.И. // Приборы и техника эксперимента. 1985. № 4. С. 176.
- Dienes G.J., Welch. D.O., Fischer C.R., Hatcher R.D., Lazareth O., Samberg M. // Phys. Rev. B: Solid State. 1975. V. 11. P. 3060. https://www.doi.org/10.1103/PHYSREVB.11.3060
Дополнительные файлы
![](/img/style/loading.gif)