Отправить статью по E-mail Прямое наблюдение процессов роста на кристаллической поверхности, инициируемых захватом примеси
- Авторы: Пискунова Н.Н.1
-
Учреждения:
- Институт геологии имени акад. Н.П. Юшкина, Коми НЦ УрО РАН
- Выпуск: Том CLII, № 3 (2023)
- Страницы: 82-97
- Раздел: МИНЕРАЛОГИЧЕСКАЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
- URL: https://journals.rcsi.science/0869-6055/article/view/136746
- DOI: https://doi.org/10.31857/S086960552303005X
- EDN: https://elibrary.ru/XGQGZS
- ID: 136746
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
В экспериментах по росту молекулярных кристаллов диоксидина в присутствии микрозерен турмалина в качестве механической примеси с помощью атомно-силовой микроскопии был зарегистрирован инициированный примесью процесс формирования винтовой дислокации. Для теоретического объяснения процесса предложен трехстадийный механизм, который заключается: (1) в релаксации напряжений вокруг примесной частицы путем формирования одной или нескольких дислокаций еще до ее герметизации на первой стадии, (2) присоединения к ним краевых дислокаций в момент закрывания ростовым слоем на второй стадии и (3) появлении результирующей дислокации после полного зарастания частицы на третьей стадии. Также впервые в наномасштабе зарегистрирован процесс прорастания винтовой дислокации сквозь накрывающий ее кристаллический макрослой.
Ключевые слова
Об авторах
Н. Н. Пискунова
Институт геологии имени акад. Н.П. Юшкина, Коми НЦ УрО РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: piskunova@geo.komisc.ru
Россия, 167982, Сыктывкар, Первомайская ул., 54
Список литературы
- Авров Д.Д., Александрова О.А., Лебедев А.О., Мараева Е.В. Технология материалов микроэлектроники: методы разделения и очистки: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, 2020. 204 с.
- Пискунова Н.Н. Изучение процессов самоорганизации на поврежденной поверхности кристалла с помощью атомно-силовой микроскопии // ЗРМО. 2022. Ч. 151. № 5. С. 112–127.
- Смольский И.Л., Руднева Е.Б. Влияние морфологии растущих граней на ориентацию ростовых дислокаций в кристаллах KDP // Кристаллография. 1993. Т. 38. Вып. 4. С. 248–256.
- Современная кристаллография / Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С., Кузнецов В.А., Демьянец Л.Н., Лобачев А.Н. Т. 3. М.: Наука, 1980. 407 с.
Дополнительные файлы
