PT-симметричная фотопроводимость, стимулированная микроволновым излучением, в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1−xCdxTe

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

В работе сообщается об обнаружении нового эффекта - PT-симметричной фотопроводимости при воздействии микроволнового излучения в гетероструктурах на основе толстых пленок Hg1-xCdxTe в области составов, соответствующих топологической фазе, при том, что отдельно симметрия по магнитному полю (T-симметрия) и по расположению пар потенциальных контактов (P-симметрия) не сохраняются. В аналогичных гетероструктурах на основе тривиальной фазы Hg1-xCdxTe микроволновая фотопроводимость является как P-, так и T-симметричной.

Об авторах

С. Н. Чмырь

МГУ имени М. В. Ломоносова

А. С. Казаков

МГУ имени М. В. Ломоносова

А. В. Галеева

МГУ имени М. В. Ломоносова

Д. Е. Долженко

МГУ имени М. В. Ломоносова

А. И. Артамкин

МГУ имени М. В. Ломоносова

А. В. Иконников

МГУ имени М. В. Ломоносова

Н. Н. Михайлов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН

С. А. Дворецкий

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН

М. И. Банников

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

Список литературы

  1. M. Z. Hasan and C. L. Kane, Rev. Mod. Phys. 82, 3045 (2010).
  2. Y. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 82, 102001 (2013).
  3. O. Breunig and Y. Ando, Nat. Rev. Phys. 4, 184 (2022).
  4. H. Plank and S. D. Ganichev, Solid State Electronics 147, 44 (2018).
  5. K.-M. Dantscher, D. A. Kozlov, P. Olbrich, C. Zoth, P. Faltermeier, M. Lindner, G. V. Budkin, S. A. Tarasenko, V. V. Bel'kov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, D. Weiss, B. Jenichen, and S. D. Ganichev, Phys. Rev. B 92, 165314 (2015).
  6. K.-M. Dantscher, D. A. Kozlov, M. T. Scherr, S. Gebert, J. B¨arenf¨anger, M. V. Durnev, S. A. Tarasenko, V. V. Bel'kov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, Z. D. Kvon, J. Ziegler, D. Weiss, and S. D. Ganichev, Phys. Rev B 95, 201103 (2017).
  7. S. G. Egorova, V. I. Chernichkin, L. I. Ryabova, E. P. Skipetrov, L. V. Yashina, S. N. Danilov, S. D. Ganichev, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 5, 11540 (2015).
  8. A. V. Galeeva, S. G. Egorova, V. I. Chernichkin, M. E. Tamm, L. V. Yashina, V. V.Rumyantsev, S. V. Morozov, H. Plank, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, and D. R. Khokhlov, Semicond. Sci. Technol. 31, 095010 (2016).
  9. A. V. Galeeva, I. V. Krylov, K. A. Drozdov, A. F. Knjazev, A. V. Kochura, A. P. Kuzmenko, V. S. Zakhvalinskii, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, and D. R. Khokhlov, Beilstein J. Nanotechnol. 8, 167 (2017).
  10. A. Rogalski, Rep. Prog. Phys. 68, 2267 (2005).
  11. M. Weiler, Semiconductors and semimetals, ed. by R. Willardson and A. Beer, Academic press, N.Y. (1981), v. 16, p. 119.
  12. M. Orlita, D. M. Basko, M. S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Faugeras, A.-L. Barra, G. Martinez, and M. Potemski, Nat. Phys. 10, 233 (2014).
  13. A. V. Galeeva, A. S. Kazakov, A. I. Artamkin, L. I. Ryabova, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 10, 2377 (2020).
  14. A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, A. S. Kazakov, A. V. Ikonnikov, L. I. Ryabova, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 11, 1587 (2021).
  15. A. S. Kazakov, A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, A. V. Ikonnikov, L. I. Ryabova, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 11, 11638 (2021).
  16. A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, A. S. Kazakov, S. N. Danilov, S. A. Dvoretskiy, N. N. Mikhailov, L. I. Ryabova, and D. R. Khokhlov, Beilsten J. Nanotechnol. 9, 1035 (2018).
  17. K. K. Svitashev, S. A. Dvoretskiy, Y. G. Sidorov, V. A. Shvets, A. S. Mardezhov, I. E. Nis, V. S. Varavin, V. Liberman, and V. G. Remesnik, Crystal Research and Technology 29(7), 931 (1994).
  18. V. S. Varavin, S. A. Dvoretskiy, D. G. Ikusov, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, G. Yu. Sidorov, Yu. G. Sidorov, P. N. Sizikov, and I. N. Uzhakov, Optoelectroncs, Instrumentation and Data Processing 49, 4 (2013).
  19. S. A. Dvoretsky, D. G. Ikusov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, R. N. Smirnov, Yu. G. Sidorov, and V. A. Shvets, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 10, 47 (2007).

© Российская академия наук, 2023

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах