PT-simmetrichnaya fotoprovodimost', stimulirovannaya mikrovolnovym izlucheniem, v geterostrukturakh na osnove topologicheskoy fazy Hg1−xCdxTe

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

В работе сообщается об обнаружении нового эффекта - PT-симметричной фотопроводимости при воздействии микроволнового излучения в гетероструктурах на основе толстых пленок Hg1-xCdxTe в области составов, соответствующих топологической фазе, при том, что отдельно симметрия по магнитному полю (T-симметрия) и по расположению пар потенциальных контактов (P-симметрия) не сохраняются. В аналогичных гетероструктурах на основе тривиальной фазы Hg1-xCdxTe микроволновая фотопроводимость является как P-, так и T-симметричной.

Sobre autores

S. Chmyr'

МГУ имени М. В. Ломоносова

A. Kazakov

МГУ имени М. В. Ломоносова

A. Galeeva

МГУ имени М. В. Ломоносова

D. Dolzhenko

МГУ имени М. В. Ломоносова

A. Artamkin

МГУ имени М. В. Ломоносова

A. Ikonnikov

МГУ имени М. В. Ломоносова

N. Mikhaylov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН

S. Dvoretskiy

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН

M. Bannikov

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

Bibliografia

  1. M. Z. Hasan and C. L. Kane, Rev. Mod. Phys. 82, 3045 (2010).
  2. Y. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 82, 102001 (2013).
  3. O. Breunig and Y. Ando, Nat. Rev. Phys. 4, 184 (2022).
  4. H. Plank and S. D. Ganichev, Solid State Electronics 147, 44 (2018).
  5. K.-M. Dantscher, D. A. Kozlov, P. Olbrich, C. Zoth, P. Faltermeier, M. Lindner, G. V. Budkin, S. A. Tarasenko, V. V. Bel'kov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, D. Weiss, B. Jenichen, and S. D. Ganichev, Phys. Rev. B 92, 165314 (2015).
  6. K.-M. Dantscher, D. A. Kozlov, M. T. Scherr, S. Gebert, J. B¨arenf¨anger, M. V. Durnev, S. A. Tarasenko, V. V. Bel'kov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, Z. D. Kvon, J. Ziegler, D. Weiss, and S. D. Ganichev, Phys. Rev B 95, 201103 (2017).
  7. S. G. Egorova, V. I. Chernichkin, L. I. Ryabova, E. P. Skipetrov, L. V. Yashina, S. N. Danilov, S. D. Ganichev, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 5, 11540 (2015).
  8. A. V. Galeeva, S. G. Egorova, V. I. Chernichkin, M. E. Tamm, L. V. Yashina, V. V.Rumyantsev, S. V. Morozov, H. Plank, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, and D. R. Khokhlov, Semicond. Sci. Technol. 31, 095010 (2016).
  9. A. V. Galeeva, I. V. Krylov, K. A. Drozdov, A. F. Knjazev, A. V. Kochura, A. P. Kuzmenko, V. S. Zakhvalinskii, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, and D. R. Khokhlov, Beilstein J. Nanotechnol. 8, 167 (2017).
  10. A. Rogalski, Rep. Prog. Phys. 68, 2267 (2005).
  11. M. Weiler, Semiconductors and semimetals, ed. by R. Willardson and A. Beer, Academic press, N.Y. (1981), v. 16, p. 119.
  12. M. Orlita, D. M. Basko, M. S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Faugeras, A.-L. Barra, G. Martinez, and M. Potemski, Nat. Phys. 10, 233 (2014).
  13. A. V. Galeeva, A. S. Kazakov, A. I. Artamkin, L. I. Ryabova, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 10, 2377 (2020).
  14. A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, A. S. Kazakov, A. V. Ikonnikov, L. I. Ryabova, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 11, 1587 (2021).
  15. A. S. Kazakov, A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, A. V. Ikonnikov, L. I. Ryabova, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 11, 11638 (2021).
  16. A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, A. S. Kazakov, S. N. Danilov, S. A. Dvoretskiy, N. N. Mikhailov, L. I. Ryabova, and D. R. Khokhlov, Beilsten J. Nanotechnol. 9, 1035 (2018).
  17. K. K. Svitashev, S. A. Dvoretskiy, Y. G. Sidorov, V. A. Shvets, A. S. Mardezhov, I. E. Nis, V. S. Varavin, V. Liberman, and V. G. Remesnik, Crystal Research and Technology 29(7), 931 (1994).
  18. V. S. Varavin, S. A. Dvoretskiy, D. G. Ikusov, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, G. Yu. Sidorov, Yu. G. Sidorov, P. N. Sizikov, and I. N. Uzhakov, Optoelectroncs, Instrumentation and Data Processing 49, 4 (2013).
  19. S. A. Dvoretsky, D. G. Ikusov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, R. N. Smirnov, Yu. G. Sidorov, and V. A. Shvets, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 10, 47 (2007).

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2023

Este site utiliza cookies

Ao continuar usando nosso site, você concorda com o procedimento de cookies que mantêm o site funcionando normalmente.

Informação sobre cookies