Rost silitsena metodom molekulyarno-luchevoy epitaksii na podlozhkakh CaF2/Si(111), modifitsirovannykh elektronnym oblucheniem
- Authors: Zinov'eva A.F.1, Zinov'ev V.A.1, Katsyuba A.V.1, Volodin V.A.1, Muratov V.I.1, Dvurechenskiy A.V.1
-
Affiliations:
- Issue: Vol 119, No 9-10 (2024)
- Pages: 692–696
- Section: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0370-274X/article/view/260852
- DOI: https://doi.org/10.31857/S123456782409009X
- EDN: https://elibrary.ru/DHFOUQ
- ID: 260852
Cite item
Abstract
About the authors
A. F. Zinov'eva
Email: aigul@isp.nsc.ru
V. A. Zinov'ev
A. V. Katsyuba
V. A. Volodin
V. I. Muratov
A. V. Dvurechenskiy
References
- К. А. Лозовой, В. В. Дирко, В. П. Винарский, А.П. Коханенко, А. В. Войцеховский, Н.Ю. Акименко, Изв. вузов. Физика. 63, 104 (2021).
- P. Vogt, P. De Padova, C. Quaresima, J. Avila, E. Frantzeskakis, M. C. Asensio, A. Resta, B. Ealet, and G. Le Lay, Phys. Rev. Lett. 108, 155501 (2012).
- B. Feng, Z. Ding, S. Meng, Y. Yao, X. He, P. Cheng, L. Chen, and K. Wu, Nano Lett. 12, 3507 (2012).
- D. Chiappe, C. Grazianetti, G. Tallarida, M. Fanciulli, and A. Molle, Adv. Mater. 24, 5088 (2012).
- H. Enriquez, S. Vizzini, A. Kara, B. Lalmi, and H. Oughaddou, J. Phys.: Condens. Matter 24, 314211 (2012).
- M. E. Davila, L. Xian, S. Cahangirov, A. Rubio, and G. Le Lay, New J. Phys. 16, 095002 (2014)
- S. Kokott, P. Pflugradt, L. Matthes, and F. Bechstedt, J. Phys.: Condens. Matter 26, 185002 (2014).
- A. Kacyuba, A. Dvurechenskii, G. Kamaev, V. Volodin, and A. Krupin, Mater. Lett. 268, 127554 (2020).
- A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, and Z. V. Smagina, Nanomaterials 12, 1407 (2022).
- A. Kacyuba, A. Dvurechenskii, G. Kamaev, V. Volodin, and A. Krupin, J. Cryst. Growth 562, 126080 (2021).
- R. Gonzalez-Rodriguez, R. M. del Castillo, E. Hathaway, Y. Lin, J. L. Coffer, and J. Cui, ACS Appl. Nano Mater. 5, 4325 (2022).
- R. Yaokawa, T. Ohsuna, T. Morishita, Y. Hayasaka, M. J. S. Spencer, and H. Nakano, Nat. Commun. 7, 10657 (2016).
- В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А.К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А.Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский, Письма в ЖЭТФ 116, 608 (2022).
- P. De Padova, H. Feng, J. Zhuang, Z. Li, A. Generosi, B. Paci, C. Ottaviani, C. Quaresima, B. Olivieri, M. Krawiec, and Y. Du, Phys. Chem. C 121, 27182 (2017).
- L. S. Charles, W. E. Moddeman, and J. T. Grant, Appl. Phys. Lett. 52, 6921 (1981).
- A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, N. P. Stepina, A. F. Zinovieva, and V. A. Zinovyev, Mater. Proc. 14, 68 (2023).
- G. Vogg, Martin S. Brandt, M. Stutzmann, and M. Albrecht, J. Cryst. Growth 203, 570 (1999).
- X. Meng, A. Ueki, H. Tatsuoka, and H. Itahara, Chem. Eur. J. 23, 3098 (2017).
- A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, V. A. Volodin, A. Y. Krupin, A. V. Kacyuba, and A. V. Dvurechenskii, Nanomaterials 12, 3623 (2022)
- V. A. Zinovyev, A. V. Kacyuba, V. A. Volodin, A. F. Zinovieva, S. G. Cherkova, Z. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. Y. Krupin, O.M. Borodavchenko, and V. D. Zhivulko, Semiconductors 55, 808 (2021).
- A. Klust, M. Grimsehl, and J. Wollschlager, Appl. Phys. Lett. 82, 4483 (2003).
- C. R. Wang, B. H. Muller, E. Bugiel, and K. R. Hofmann, Appl. Surf. Si. 211, 203 (2003).
- J. Suela, E. Abramof, P. H. O. Rappl, F. E. Freitas, H. Closs, and C. Boschetti, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 185405 (2011).
- P. Vogt, P. Capiod, M. Berthe, A. Resta, P. De Padova, T. Bruhn, G. Le Lay, and B. Grandidier, Appl. Phys. Lett. 104, 021602 (2014).
- C. Grazianetti, E. Cinquanta, L. Tao, P. De Padova, C. Quaresima, C. Ottaviani, D. Akinwande, and А. Molle, ACS Nano 11, 3376 (2017).
- E. Noguchi, K. Sugawara, R. Yaokawa, T. Hitosugi, H. Nakano , and T. Takahashi, Adv. Mater. 27, 856 (2015).
- S. M. Castillo, Z. Tang, A. P. Litvinchuk, and A. M. Guloy, Inorg. Chem. 55, 10203 (2016).