Email this article Lokal'nye poverkhnostnye plazmonnye rezonansy v plenochnykh strukturakh Cu/As2Se3
- Authors: Kogay V.Y.1, Mikheev G.M1
-
Affiliations:
- Issue: Vol 120, No 3-4 (2024)
- Pages: 197–202
- Section: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0370-274X/article/view/262248
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24080061
- EDN: https://elibrary.ru/QYIHTH
- ID: 262248
Cite item
Open Access
Access granted
Subscription Access
Abstract
Впервые синтезированы плазмонные наноструктуры в результате диффузии Cu в пленку As2Se3 при формировании пленочной структуры Cu/As2Se3 последовательным напылением в вакууме Cu и As2Se3. Методом спектроскопической эллипсометрии получены спектры коэффициентов экстинкции и показателя преломления, а также действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости синтезированных структур в диапазоне длин волн 240–2500 нм, свидетельствующие о наличии локализованных поверхностных плазмонных резонансов. Показано, что изменением толщины пленки меди и термическим отжигом можно управлять частотным положением плазмонных резонансов в диапазоне длин волн от 470 до 660 нм.
References
- S.A. Maier, Plasmonics: Fundamentals and Applications, Springer, N.Y. (2007).
- J. J. Mock, D.R. Smith, and S. Schultz, Nano Lett. 3, 485 (2003).
- S. Raza, W. Yan, N. Stenger, M. Wubs, and N.A. Mortensen, Opt. Express 21, 203 (2013).
- V. Amendola, O.M. Bakr, and S. Francesco, Plasmonics 5, 85 (2010).
- В.В. Климов, Наноплазмоника, Физматлит, М. (2009).
- M. I. Stockman, M. F. Kling, U. Kleineberg, and F. Krausz, Nat. Photonics 1, 539 (2007).
- D. J. Bergman and M. I. Stockman, Phys. Rev. Lett. 90, 027402 (2003).
- M.R. Beversluis, A. Bouhelier, and L. Novotny, Phys. Rev. 68, 115433 (2003).
- S. F. Bartolucci, A.C. Leff, and J.A. Maurer, Nanoscale Adv. 6, 2499 (2024).
- В.И. Емельянов, Н.И. Коротеев, УФН 135, 345 (1981).
- И.Р. Нибиев, Р. Г. Ефремов, Г.Д. Чуманов, УФН 154, 459 (1988).
- R. Pilot, C. Durante, L. Orian, M. Bhamidipati, and L. Fabris, Biosensors 9, 57 (2019).
- I. Boginskaya, A. Gainutdinova, A. Gusev, K. Mailyan, A. Mikhailitsyn, M. Sedova, A. Vdovichenko, A. Glushchenkov, A. Dorofeenko, and I. Ryzhikov, Coatings 11, 1171 (2021).
- N.N. Durmanov, R.R. Guliev, A.V. Eremenko et al. (Collaboration), Sensors Actuators B Chem. 257, 37 (2018).
- M. Li, S.K. Cushing, and N. Wu, Analyst 140, 386 (2015).
- M.D. Susman, Y. Feldman, T.A. Bendikov, A. Vaskevich, and I. Rubinstein, Nanoscale 9, 12573 (2017).
- G.H. Chan, J. Zhao, E.M. Hicks, G.C. Schatz, and R.P.V. Duyne, Nano Lett. 7, 1947 (2007).
- L.Wang, M.H. Kafshgari, and M. Meunier, Adv. Funct. Mater. 30, 2005400 (2020).
- А.К. Сарычев, А.В. Иванов, К.Н. Афанасьев, И.В. Быков, И.А. Богинская, И.Н. Курочкин, А.Н. Лагарьков, А.М. Мерзликин, В.В. Михеев, Д.В. Негров, И.А. Рыжиков, М.В. Седова, Квантовая электроника 48, 1147 (2018).
- J. Huang, X. Wang, X. L. Phuah, P. Lu, Z. Qi, and H. Wang, Mater. Today Nano 8, 100052 (2019).
- A.R. Indhu, C. Dharanya, and G. Dharmalingam, Plasmonics 19, 1303 (2024).
- A.E. Fateev, V. S. Antropova, V.Y. Kogai, R.G. Zonov, T.N. Mogileva, and G.M. Mikheev, Opt. Mater. (Amst). 151, 115361 (2024).
- Y.-M. Zhao, X.-G. Hu, C. Chen, Z.-H. Wang, A.-P. Wu, H.-W. Zhang, P.-X. Hou, C. Liu, and H.-M. Cheng, Nano Res. 17, 5930 (2024).
- C. Wei and Q. Liu, CrystEngComm 19, 3254 (2017).
- P. Liu, H. Wang, X. Li, M. Rui, and H. Zeng, RSC Adv. 5, 79738 (2015).
- S. Mohapatra, Y.K. Mishra, and A.M. Warrier, Plasmonics 7, 25 (2012).
- B. Karthikeyan, M. Anija, C. S. S. Sandeep, T.M.M. Nadeer, and R. Philip, Opt. Commun. 281, 2933 (2008).
- З.У. Борисова, Халькогенидные полупроводниковые стекла, Л. университет, Л. (1983).
- В.Я. Когай, Письма в ЖТФ 44, 3 (2018).
- T. Lunskens, P. Heister, M. Thamer, C.A. Walenta, A. Kartouzian, and U. Heiz, Phys. Chem. Chem. Physics, 17, 17541 (2015).
- N. Nilius, N. Ernst, and H. Freund, Phys. Rev. Lett. 84, 3994 (2000).
- C. S¨onnichsen, T. Franzl, T. Wilk, G. von Plessen, and J. Feldmann, Phys. Rev. Lett. 88, 077402 (2002).
- M. Piliarik, P. Kvasnicka, N. Galler, and J.R. Krenn, Opt. Express 19, 9213 (2011).
- M. Moskovits, J. Chern. Phys. 69, 4159 (1978).
- D. I. Yakubovsky, Y.V. Stebunov, R.V. Kirtaev, G.A. Ermolaev, M. S. Mironov, S.M. Novikov, A.V. Arsenin, and V. S. Volkov, Adv. Mater. Interfaces 6, 1900196 (2019).
- D. I. Yakubovsky, Y.V. Stebunov, R.V. Kirtaev, K.V. Voronin, A.A. Voronov, A.V. Arsenin, and V. S. Volkov, Nanomaterials 8, 1058 (2018).
- Л.А. Головень, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, УФН 177, 619 (2007).
- K.N. Afanasev, I.A. Boginskaya, A.V. Dorofeenko, A.V. Gysev, K.A. Mailyan, A.V. Pebalk, V.N. Chvalyn, S.A. Ozerin, M.V. Sedova, I.A.Rodionov, V.V.Pogosov, and I.A. Ryzhikov, IEEE Trans. Nanotechnol. 16, 274 (2017).
