Email this article Magnitnye pereklyucheniya FSF-mostikov pri nizkikh temperaturakh
- Authors: Karelina L.N1, Shuravin N.S1, Egorov S.V1, Bol'ginov V.V1, Ryazanov V.V1
-
Affiliations:
- Issue: Vol 119, No 7-8 (2024)
- Pages: 616-621
- Section: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0370-274X/article/view/261308
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567824080093
- EDN: https://elibrary.ru/VZQDOQ
- ID: 261308
Cite item
Open Access
Access granted
Subscription Access
Abstract
В статье представлены эксперименты по изучению вольт-амперных характеристик планарных микромостиков Pd0.99Fe0.01-Nb-Pd0.99Fe0.01 при температурах существенно меньше критической. Обнаружено, что даже при таких температурах наблюдается эффект магнитной памяти, проявляющийся в зависимости формы вольт-амперных характеристик от взаимной ориентации намагниченностей F-слоев. Показано, что исследованный образец может функционировать в качестве магнитного переключателя с амплитудой изменения напряжения более 600 мкВ, что соответствует характеристической частоте около 300 ГГц при использовании таких мостиков в качестве элементов памяти в устройствах быстрой одноквантовой логики. Такие характеристики были получены при температуре 0.93Tc, являющейся минимальной рабочей температурой реализованного элемента памяти. Обнаружен низковольтный режим работы образца, характеризующийся широким диапазоном допустимых токов питания.
About the authors
L. N Karelina
N. S Shuravin
S. V Egorov
V. V Bol'ginov
Email: bolg@issp.ac.ru
V. V Ryazanov
References
- А. И. Ларкин, Ю. Н. Овчинников, ЖЭТФ 47, 1136 (1964).
- F. S. Bergeret, A. F. Volkov, and K. B. Efetov, Rev. Mod. Phys. 77, 1321 (2005).
- L. R. Tagirov, Phys. Rev. Lett. 83, 2058 (1999).
- S. Oh, D. Youm, and M. R. Beasley, Appl. Phys. Lett. 71, 2376 (1997).
- L. N. Karelina, R. A. Hovhannisyan, I. A. Golovchanskiy, V. I. Chichkov, A. Ben Hamida, V. S. Stolyarov, L. S. Uspenskaya, Sh. A. Erkenov, V. V. Bolginov, and V. V. Ryazanov, J. Appl. Phys. 130, 173901 (2021).
- Л. Н. Карелина, В. В. Больгинов, Ш. А. Эркенов, С. В. Егоров, И. А. Головчанский, В. И. Чичков, А. Бен Хамида, В. В. Рязанов, Письма в ЖЭТФ 112, 743 (2020).
- Л. Н. Карелина, Н. С. Шуравин, А. С. Ионин, С. В. Бакурский, С. В. Егоров, И. А. Головчанский, В. И. Чичков, В. В. Больгинов, В. В. Рязанов, Письма в ЖЭТФ 116, 108 (2022).
- T. I. Larkin, V. V. Bol’ginov, V. S. Stolyarov, V. V. Ryazanov, I. V. Vernik, S. K. Tolpygo, and O. A. Mukhanov, Appl. Phys. Lett. 100, 222601 (2012).
- В. В. Шмидт, Введение в физику сверхпроводников, 2-е изд., МЦНМО, М. (2000).
- В. В. Рязанов, В. А. Обознов, А. С. Прокофьев, С. В. Дубонос, Письма в ЖЭТФ 77, 43 (2003).
