Obnaruzhenie spektrov epr opticheski indutsirovannykh nositeley so svoystvami effektivnoy massy v dikhal'kogenide perekhodnogo metalla WS2
- 作者: Babunts R.1, Batueva A.1, Gurin A.1, Likhachev K.1, Edinach E.1, Baranov P.1
-
隶属关系:
- 期: 卷 117, 编号 9-10 (5) (2023)
- 页面: 697-703
- 栏目: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0370-274X/article/view/145210
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567823090100
- EDN: https://elibrary.ru/BPQAFB
- ID: 145210
如何引用文章
详细
Спиновые свойства дихалькогенидов переходных металлов представляют интерес для применений в спинтронике. Нами были обнаружены анизотропные спектры ЭПР в монокристалле WS2, индуцированные оптическим возбуждением. Сделано предположение, что эти спектры принадлежат локализованным носителям вблизи валентной зоны и отражают особенности 5 d оболочки кристалла. Показано, что g-фактор для перпендикулярной ориентации магнитного поля относительно аксиальной оси симметрии кристалла (магнитное поле ориентировано в плоскости слоя) больше, чем для параллельной ориентации магнитного поля (перпендикулярно плоскости слоя), что может дать информацию о типе 5d функции. Наиболее вероятно, что мы имеем 5d(z2 - r2) волновую функцию, которую можно будетсвязать с валентной зоной кристалла.
参考
- K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306(5696), 666 (2004); doi: 10.1126/science.1102896.
- K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, and A. K. Geim, Proc. Natl Acad. Sci. USA 102, 10451 (2005).
- P. Avouris, T. F. Heinz, and T. Low, 2D materials: Properties and devices, Cambridge University Press, Cambridge; https://doi.org/10.1017/9781316681619.
- A. Chaves, J. G. Azadani, H. Alsalman, D. R. da Costa, R. Frisenda, A. J. Chaves, S. H. Song, Y. D. Kim, D. He, J. Zhou, A. Castellanos-Gomez, F. M. Peeters, Zh. Liu, C. L. Hinkle, S.-H. Oh, P. D. Ye, S. J. Koester, Y. H. Lee, Ph. Avouris, X. Wang, and T. Low, npj 2D Mater. Appl. 4(29) (2020); https://doi.org/10.1038/s41699-020-00162-4.
- А. Б. Логинов, Р. Р. Исмагилов, С. Н. Бокова-Сирош, И. В. Божьев, Е. Д. Образцова, Б. А. Логинов, А. Н. Образцов, ЖТФ 91, 1509 (2021); DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.10.51364.102-21.
- В. Л. Калихман, Я. С. Уманский, УФН 108, 503 (1972).
- E. C. Ahn, Npj 2D Mater. Appl. 4(1), 1 (2020); doi: 10.1038/s41699-020-0152-0.
- A. Kumar, D. Yagodkin, N. Stetzuhn, S. Kovalchuk, A. Melnikov, P. Elliott, S. Sharma, C. Gahl, and K. I. Bolotin, Nano Lett. 21, 7123 (2021).
- К. В. Лихачев, И. Д. Бреев, С. В. Кидалов, П. Г. Баранов, С. С. Нагалюк, А. В. Анкудинов, А. Н. Анисимов, Письма в ЖЭТФ 116(11), 810 (2022).
- E. V. Edinach, Yu. A. Uspenskaya, A. S. Gurin, R. A. Babunts, H. R. Asatryan, N. G. Romanov, A. G. Badalyan, and P. G. Baranov, Phys. Rev. B 100, 104435 (2019).
- Р. А. Бабунц, А. С. Гурин, И. В. Ильин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, А. Г. Бадалян, Н. Г. Романов, П. Г. Баранов, ФТТ 63(11), 1906 (2021).
- H. Zobeiri, S. Xu, Y. Yue, Q. Zhang, Y. Xie, and X. Wang, E ect of temperature on Raman intensity of nm-thick WS2: combined e ects of resonance Raman, optical properties, and interface optical interference, Nanoscale, The Royal Society of Chemistry 12(10), 6064 (2020); doi: 10.1039/c9nr10186a rsc.li/nanoscale.
- H. Zeng, G.-B. Liu, J. Dai, Y. Yan, B. Zhu, R. He, L. Xie, S. Xu, X. Chen, W. Yao, and X. Cui, Sci. Rep. 3, 1608 (2013); doi: 10.1038/srep01608.
- P. G. Baranov, H.-J. von Bardeleben, F. Jelezko, and J. Wrachtrup, Magnetic Resonance of Semiconductors and Their Nanostructures: Basic and Advanced Applications, Springer Series in Materials Science, Springer-Verlag, GmbH, Austria (2017), v. 253.
- Q. Cheng, J. Pang, D. Sun, J. Wang, S. Zhang, F. Liu, Y. Chen, R. Yang, N. Liang, X. Lu, Y. Ji, J. Wang, C. Zhang, Y. Sang, H. Liu, and W. Zhou, InfoMat. 2(4), 656 (2020; wileyonlinelibrary.com/journal/inf2; https://doi.org/10.1002/inf2.12093.
- A. Abragam and B. Bleaney, Electron Paramagnetic Resonance of Transition Ions, Clarendon Press, Oxford (1970).
- P. Byrley, M. Liu, and R. Yan, Front. Chem. 7, 442 (2019); doi: 10.3389/fchem.2019.00442.
- I. Tanabe, M. Gomez, W. C. Coley, D. Le, El. M. Echeverria, G. Stecklein, V. Kandyba, S. K. Balijepalli, V. Klee, A. E. Nguyen, E. Preciado, I-H. Lu, S. Bobek, D. Barroso, D. Martinez-Ta, A. Barinov, T. S. Rahman, P. A. Dowben, P. A. Crowell, and L. Bartels, Appl. Phys. Lett. 108, 252103 (2016); https://doi.org/10.1063/1.4954278.