Effekt rezistivnogo pereklyucheniya v memristorakh TaN/HfOx/Ni s filamentom, sformirovannym pod deystviem lokal'noy elektronno-luchevoy kristallizatsii

Изучено влияние интенсивного воздействия электронного луча на слой нестехиометрического оксида HfOx (x ≈ 1.8) в составе мемристора со структурой TaN/HfOx/Ni на его электрофизические свойства. Обнаружено, что в результате воздействия в пленке HfOx образуются кристаллические фазы h-Hf, m-HfO2, o-HfO2 и t-HfO2. Установлено, что при определенных значениях флюенса электронов мемристоры демонстрируют резистивное переключение. При этом, по сравнению с необлученными мемристорами, у таких мемристоров в несколько раз меньше величины напряжений резистивного переключения. Кроме того, у них наблюдается кратное снижение разброса напряжений резистивного переключения, а также сопротивлений в низко- и высокоомном состояниях. Вольт-амперные характеристики полученных мемристоров указывают на то, что транспорт заряда в них описывается механизмом тока, ограниченным пространственным зарядом.