Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
- Авторы: Козловский В.И.1, Женишбеков С.М.1, Скасырский Я.К.1, Фролов М.П.1, Андреев А.Ю.2, Яроцкая И.В.2, Мармалюк А.А.2
-
Учреждения:
- Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
- Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
- Выпуск: Том 53, № 8 (2023)
- Страницы: 636-640
- Раздел: Лазеры
- URL: https://journals.rcsi.science/0368-7147/article/view/255538
- ID: 255538
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Исследован полупроводниковый дисковый лазер (ПДЛ) на основе гетероструктуры AlxGa1 – x As/AlyGa1 – y As, излучающий на длине волны вблизи 780 нм, при накачке импульсным лазером на красителе с длинами волн излучения 601 и 656 нм. Использовалась структура с встроенным брэгговским зеркалом и 10 квантовыми ямами (КЯ), расставленными по глубине с периодом, равным половине длины волны излучения лазера в структуре. При накачке с l = 601 нм достигнута мощность 9.3 Вт на длине волны 782 нм при дифференциальном коэффициенте полезного действия (КПД) 12 %. При накачке с l = 656 нм дифференциальный КПД практически не изменился, хотя поглощение накачки по глубине было более однородным. Эти результаты сравниваются с результатами, полученными ранее при накачке лазерами с длинами волн 450 и 532 нм, а также при накачке электронным пучком. Делается заключение, что распределение неравновесных носителей по КЯ в значительной степени определяется их длиной диффузии, которая в данной структуре равна примерно 1 мкм.
Об авторах
В. И. Козловский
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Россия, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
С. М. Женишбеков
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Россия, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
Я. К. Скасырский
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Россия, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
М. П. Фролов
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Россия, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
А. Ю. Андреев
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Россия, Москва, ул. Введенского д. 3, корп.1, 117342
И. В. Яроцкая
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Россия, Москва, ул. Введенского д. 3, корп.1, 117342
А. А. Мармалюк
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Россия, Москва, ул. Введенского д. 3, корп.1, 117342
Список литературы
- Jetter M., Michler P. Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers: VECSEL Technology and Applications (Wiley, 2021).
- Hastie J.E., Calvez S., Dawson M.D., in Semiconductor lasers (Woodhead Publishing Limited, 2013, p. 341).
- Baumgärtner S., Kahle H., Bek R., Schwarzbäck T., Jetter M., Michler P. J. Crystal Growth, 414, 219 (2015).
- Sirbu A., Volet N., Mereuta A., Lyytikainen J., Rautiainen J., Okhotnikov O., Walczak J., Wasiak M., Czyszanowski T., Caliman A., Zhu Q., Iakovlev V., Kapon E. Advances in Optical Technologies, 2011, 209093 (2011).
- Бутаев М.Р., Скасырский Я.К., Козловский В.И., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Мармалюк А.А. Квантовая электроника, 52 (4), 362 (2022) [Quantum Electron., 52 (4), 362 (2022)].
- Kahle H., Penttinen J.-P., Phung H.-M., Rajala P., Tukiainen A., Ranta S., Guina M. Opt. Lett., 44 (5), 1146 (2019).
- Aspnes D.E., Kelso S.M., Logan R.A., Bhat R. J. Appl. Phys., 60, 754 (1986).
- Wittryand D.B., Kyser D.F. J. Appl. Phys., 38, 375 (1967).
Дополнительные файлы
