Получение и электронный транспорт в тонких пленках иридата стронция

Обложка
  • Авторы: Москаль И.Е.1,2, Петржик А.М.1, Кислинский Ю.В.1, Шадрин А.В.1,2, Овсянников Г.А.1, Дубицкий Н.В.3
  • Учреждения:
    1. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”
    2. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
    3. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “МИРЭА – Российский технологический университет”
  • Выпуск: Том 88, № 4 (2024)
  • Страницы: 673-676
  • Раздел: Магнитные явления и умные композитные материалы
  • URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/271466
  • DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524040211
  • EDN: https://elibrary.ru/QGROJC
  • ID: 271466

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Представлены результаты исследования эпитаксиальных тонких пленок SrIrO3, приведены данные по технологии роста, кристаллической структуре и электронному транспорту. В пленках SrIrO3, напыленных в смеси газов Ar и O2, зависимость сопротивления от температуры имеет металлический характер. Пленки, полученные в чистом аргоне, могут иметь как металлический, так и диэлектрический ход зависимости сопротивления от температуры при разных условиях напыления по давлению и температуре. Для диэлектрических образцов рассчитана энергия активации и проведено сравнение с энергией активации для пленок Sr2IrO4.

Об авторах

И. Е. Москаль

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”

Автор, ответственный за переписку.
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва; Долгопрудный

А. М. Петржик

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”

Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва

Ю. В. Кислинский

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”

Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва

А. В. Шадрин

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”

Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва; Долгопрудный

Г. А. Овсянников

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”

Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва

Н. В. Дубицкий

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “МИРЭА – Российский технологический университет”

Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Petrzhik A.M., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 100. Art. No. 024501.
  2. Petrzhik A.M., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // J. Surf. Invest. X-Ray Synchrotron Neutron Techn. 2020. V. 14. No. 3. P. 547.
  3. Ovsyannikov G.A., Constantinian K.Y., Shmakov V.A. et al. // Phys. Rev. B. 2023. V. 107. Art. No. 144419.
  4. Kazunori Nishio, Harold Y. Hwang // APL Materials. 2016. V. 4. Art. No. 036102.
  5. Gutierrez-Llorente A., Iglesias L., Rodr’iguez-Gonz’alez B., Rivadulla F. // APL Materials. 2018. V. 6. Art. No. 091101.
  6. Fuentes V., Vasic B., Konstantinovic Z. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2020. V. 501. Art. No. 166419.
  7. Петржик А.М., Cristiani G., Логвенов Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. № 12. С. 25; Petrzhik A.M., Cristiani G., Logvenov G. et al. // Tech. Phys. Lett. 2017. V. 43. No. 6. P. 554.
  8. Biswas A., Jeong Y.H. // Current Appl. Phys. 2017. V. 17. P. 605.
  9. Кислинский Ю.В., Овсянников Г.А., Петржик А.М. и др. // ФТТ. 2015. Т. 57. № 12. С. 2446; Kislinskii Yu.V., Ovsyannikov G.A., Petrzhik A.M. et al. // Phys. Solid State. 2015. V. 57. No. 12. P. 2519.
  10. Gao G., Schlottmann P. // Rep. Prog. Phys. 2018. V. 81. Art. No. 042502.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).