Отправить статью по E-mail Электронная микроскопия и спектроскопия энергетических потерь электронов тонких пленок нитрида титана в TiNx/La: HfO2 (Hf0.5Zr0.5O2)/TiNx/SiO2
- Авторы: Суворова Е.И.1, Уваров О.В.2, Клименко А.А.3, Чиж К.В.2,3
-
Учреждения:
- Федеральное государственное учреждение “Федеральный научно-исследовательский центр “Кристаллография и фотоника” Российской академии наук”, Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр “Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук”
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук”
- Выпуск: Том 87, № 10 (2023)
- Страницы: 1434-1440
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/141839
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523702502
- EDN: https://elibrary.ru/DGTUPE
- ID: 141839
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Методами электронной микроскопии и спектроскопии энергетических потерь электронов исследована структура и свойства электродов TiNx, полученных методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения, в системе 20 нм TiNx/10 нм La: HfO2(Hf0.5Zr0.5O2)/20 нм TiNx/1 мкм SiO2. Показано, что материал электродов имеет состав TiNxOy, ширина запрещенной зоны изменяется в пределах 1.7–2.5 эВ, удельное сопротивление составляет 208 мкОм ⋅ см и значение температурного коэффициента сопротивления (20–100°C) равно –31.4 · 10–6 1/K.
Об авторах
Е. И. Суворова
Федеральное государственное учреждение“Федеральный научно-исследовательский центр “Кристаллография и фотоника” Российской академии наук”,
Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук
Автор, ответственный за переписку.
Email: suvorova@crys.ras.ru
Россия, Москва
О. В. Уваров
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр“Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук”
Email: suvorova@crys.ras.ru
Россия, Москва
А. А. Клименко
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук”
Email: suvorova@crys.ras.ru
Россия, Москва
К. В. Чиж
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр“Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук”
Email: suvorova@crys.ras.ru
Россия, Москва; Россия, Москва
Список литературы
- Müller J., Polakowski P., Polakowski S., Mikolajick T. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2015. V. 4. No. 5. P. N30.
- Park M.H., Lee Y.H., Mikolajick T. et al. // MRS Commun. 2018. V. 8. P. 795.
- Chernikova A.G., Kuzmichev D.S., Negrov D.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. Art. No. 242905.
- Song G., Wang Y., Tan D.Q. // IET Nanodielectr. 2022. V. 5. P.1.
- Munde M.S., Mehonic A., Ng W.H. et al. // Sci. Reports. 2017. V. 7. Art. No. 9274.
- Suvorova E.I., Uvarov O.V., Chizh K.V. et al. // Nanomaterials. 2022. V. 12. Art. No. 3608.
- Abdallah I., Dupressoire C., Laffont L. et al. // Corros. Sci. 2019. V. 153. P. 191.
- Bertoni G., Beyers E., Verbeeck J. et al. // Ultramicroscopy. 2006. V. 106. P. 630.
- Matveyev Y., Negrov D., Chernikova A. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2017. V. 9. No. 49. P. 43370.
- Agustin M.P., Fonseca L.R.C., Hooker J.C., Stemmer S. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. Art. No. 121909.
- Graciani J., Hamad S., Sanz J. Fdez // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. Art. No. 184112.
Дополнительные файлы
