Самоподдержание проводящего состояния и биполярные ионизирующие домены Ганна в импульсных лавинных арсенид-галлиевых диодах
- Авторы: Рожков А.В.1, Иванов М.С.1, Родин П.Б.1
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
- Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
- Страницы: 873-878
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135412
- DOI: https://doi.org/10.31857/S036767652370151X
- EDN: https://elibrary.ru/VMNICK
- ID: 135412
Цитировать
Аннотация
Доменная неустойчивость в неравновесной электронно-дырочной плазме приводит к формированию узких движущихся областей ионизирующего электрического поля – коллапсирующих доменов Ганна. В приборах силовой импульсной электроники на основе арсенида галлия ударная ионизация в коллапсирующих доменах выступает как эффективный механизм генерации неравновесных носителей при низких напряжениях и слабых средних полях.
Об авторах
А. В. Рожков
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург
М. С. Иванов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург
П. Б. Родин
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Автор, ответственный за переписку.
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург
Список литературы
- Gunn J.B. // Solid State Commun. 1963. V. 1. No. 4. P. 88.
- Kroemer R. // Proc. IEEE. 1964. V. 52. P. 1736.
- Гельмонт Б.Л., Шур М.С. // ЖЭТФ. 1971. Т. 33. № 6. С. 305.
- Vainshtein S.N., Yuferev V.S., Kostamovaara J.T. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. Art. No. 024502.
- Vainshtein S., Kostomovaara J., Yuferev V.S. et al. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. Art. No. 176601.
- Hu L., Su J., Ding Z. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. Art. No. 094503.
- Chowdhury A.R., Dickens J.C., Neuber A.A. et al. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. Art. No. 085703.
- Prudaev I.A., Oleinik V.L., Smirnova T.E. et al. // IEEE Trans. Electron. Dev. 2018. V. 65. No. 8. P. 3339.
- Иванов М.С., Рожков А.В., Родин П.Б. // Письма в ЖТФ. 2022. Т. 48. № 20. С. 31.
- Vainshtein S.N., Duan G., Yuferev V.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 115. No. 12. Art. No. 123501.
- Ivanov M.S., Brylevskiy V.I., Smirnova I.A. et al. // J. Appl. Phys. 2022. V. 131. Art. No. 014502.
- Алферов Ж.И., Грехов И.В., Ефанов В.М. и др. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. № 18. С. 1089.
- Levinshtein M., Vainshtein S., Kostomovaara J. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices. New Jersey: World Scientific, 2005.
- Brylevskiy V.I., Smirnova I.A., Rozhkov A.V. et al. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2016. V. 44. No. 10. P. 1941.
- Хлудков С.С., Толбанов О.П., Корецкий А.В. // Изв. вузов. Физика. 1986. Т. 29. № 4. С. 54.
- Schoell E. Nonlinear spatio-temporal dynamics and chaos in semiconductors. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 2001.
Дополнительные файлы
![](/img/style/loading.gif)