Исследование гетероструктур на основе оксида гафния

Обложка
  • Авторы: Шарифуллина Я.И.1, Гумарова И.И.1,2, Мамин Р.Ф.1,2, Недопекин О.В.1
  • Учреждения:
    1. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Казанский (Приволжский) федеральный университет”
    2. Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского – обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр Российской академии наук”
  • Выпуск: Том 87, № 4 (2023)
  • Страницы: 580-586
  • Раздел: Статьи
  • URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135366
  • DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522701034
  • EDN: https://elibrary.ru/MDCZEP
  • ID: 135366

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты ab initio расчетов объемных структур и тонких пленок оксида гафния, а также гетероструктур на основе оксида гафния в тетрагональной фазе и кремния. Изучены их структурные и электронные свойства. Рассмотрены спектры плотности состояний, проведен анализ полученных результатов, а также выполнено сравнение некоторых из них с ранее полученными данными (для изученных систем).

Об авторах

Я. И. Шарифуллина

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Казанский (Приволжский) федеральный университет”

Автор, ответственный за переписку.
Email: janesharifullina@yandex.ru
Россия, Казань

И. И. Гумарова

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Казанский (Приволжский) федеральный университет”; Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского – обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр
“Казанский научный центр Российской академии наук”

Email: janesharifullina@yandex.ru
Россия, Казань; Россия, Казань

Р. Ф. Мамин

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Казанский (Приволжский) федеральный университет”; Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского – обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр
“Казанский научный центр Российской академии наук”

Email: janesharifullina@yandex.ru
Россия, Казань; Россия, Казань

О. В. Недопекин

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Казанский (Приволжский) федеральный университет”

Email: janesharifullina@yandex.ru
Россия, Казань

Список литературы

  1. Gritsenko V.A., Perevalov T.V., Islamov D.R. // Phys. Reports. 2016. V. 613. P. 1.
  2. Song Ch., Kwon H. // Electronics. 2021. V. 10. Art. No. 2759.
  3. Воротилов К.А., Сигов А.С. // Нано- и микросист. техника. 2008. Т. 10. С. 30.
  4. Ishiwara H. // J. Nanosci. Nanotech. 2012. V. 12. Art. No. 7619-27.
  5. Mikolajick T., Slesazeck S., Mulaosmanovic H. et al. // J. Appl. Phys. 2021. V. 129. Art. No. 100901.
  6. Tsymbal E., Dagotto E., Eom C., Ramesh R. // In: Multifunctional oxide heterostructures. Oxford: Oxford University Press, 2012. P. 340.
  7. Sugibuchi K., Kurogi Y., Endo N. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 2877.
  8. Muller J., Polakowski P., Muller S. et al. // Proc. NVMTS (Pittsburgh, 2016). P. 1.
  9. Mo F., Tagawa Y., Jin C. et al. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2019. V. 11. P. 1.
  10. Zacharaki C., Tsipas P., Chaitoglou S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 114. Art. No. 112901.
  11. Lee Y., Son S., Ham W., Ahn S. // Materials. 2022. V. 15. Art. No. 2251.
  12. Chanthbouala A, Crassous A., Garcia V. et al. // Nature Nanotech. 2012. V. 7. P. 101.
  13. Garcia V., Fusil S., Bouzehouane K. et al. // Nature. 2009. V. 460. P. 81.
  14. Wang P., Yu S. // MRS Commun. 2020. V. 10. P. 538.
  15. Böscke T., Müller J., Bräuhaus D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. Art. No. 102903.
  16. Kisi E.H., Howard C.J. // Key Engin. Mater. 1998. V. 153. P. 1.
  17. Huan T.D., Sharma V., Rossetti G.A., Ramprasad R. // Phys. Rev. B. 2014. V. 90. Art. No. 064111.
  18. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. № 18. Art. No. 3865.
  19. Robertson J., Wallace R.M. // Mater. Sci. Engin. R. 2015. V. 88. P. 1.
  20. Afanas’ev V.V., Stesmans A., Chen F. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. Art. No. 1053.
  21. Adelmann C., Sriramkumar V., Van Elshocht S. et al. // J. Appl. Phys. 2007. V. 91. Art. No. 162902.
  22. Kresse G., Furthmüller J. // Comp. Mater. Sci. 1996 V. 6. No. 1. P. 15.
  23. Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. No. 16. Art. No. 11169.
  24. Kresse G., Joubert D. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. No. 3. Art. No. 1758.
  25. MedeA version 3.4. San Diego: Materials Design Inc., 2012.
  26. Laudadio E., Stipa P., Pierantoni L. et al. // Crystals. 2022. V. 12. P. 2.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (770KB)
3.

4.

Скачать (192KB)
5.

Скачать (187KB)

© Я.И. Шарифуллина, И.И. Гумарова, Р.Ф. Мамин, О.В. Недопекин, 2023

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах