Ab initio  study of the heterostructure BaTiO 3 /Si

A. E. Zagidullina; Загидуллина А. Э.; I. I. Gumarova; Гумарова И. И.; А. A. Evseev; Евсеев А. А.; R. F. Mamin; Мамин Р. Ф.

doi:10.31857/S0367676522701009

Ab initio исследование электронных свойств гетероструктуры BaTiO₃/Si

Авторы: Загидуллина А.Э.¹, Гумарова И.И.¹, Евсеев А.А.¹, Мамин Р.Ф.¹
Учреждения:
1. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Казанский (Приволжский) федеральный университет
Выпуск: Том 87, № 4 (2023)
Страницы: 562-566
Раздел: Статьи
URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135363
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522701009
EDN: https://elibrary.ru/NPGSRY
ID: 135363

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Представлены ab initio расчеты гетероструктуры на основе титаната бария в сегнетоэлектрической фазе и кремния. Рассмотрены спектры плотности состояний для различных конфигураций гетероструктры, из которых следует возможность создания проводящего состояния в системе, состоящей из непроводящих компонент.

Список литературы

Demkov A., Ortmann E., Reynaud M. et al. // Phys. Stat. Sol. B. 2021. V. 258. Art. No. 2000497.
Niranjan M.K., Wang Y., Jaswal S.S., Tsymbal E.Y. // Phys. Rev. Lett. 2009. V. 103. Art. No. 016804.
Fredrickson K.D., Demkov A. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. Art. No. 115126.
Yao Z.H., Song Z., Hao H. et al. // Adv. Mater. 2017. V. 29. Art. No. 1601727.
Palneedi H., Peddigari M., Hwang G-T. et al. // Adv. Funct. Mater. 2018. V. 28. Art. No. 1803665.
Buscaglia V., Buscaglia M., Canu G. // In: Encyclopedia of materials: Technical ceramics and glasses. 2021. V. 3. P. 311.
Guo W., Posadas A., Demkov A., Vac J. // Sci. Technol. 2021. V. 39. Art. No. 030804.
Li W., Lee J., Demkov A. // Appl. Phys. 2022. V. 131. Art. No. 054101.
McKee R., Walker F., Chisholm M. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. P. 3014.
McKee R., Walker F., Chisholm M. // Science. 2001. V. 293. P. 468.
Kim D., Kwok H. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 1803.
Appleby D., Ponon N., Kwa K.S.K. et al. // Appl. Phys. 2014. V. 116. Art. No. 124105.
Niu G., Yin S., Saint-Girons G. et al. // Microelectron. Engin. 2011. V. 88. P. 1232.
McDaniel M., Ngo T.Q., Hu S. et al. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. Art. No. 041301.
Edmondson B., Kwon S., Ortmann J.E. et al. // J. Amer. Ceram. Soc. 2019. V. 103. P. 1209.
Kohn W., Becke A., Parr R. // J. Phys. Chem. 1996. V. 100. No. 31. Art. No. 12974.
Perdew J., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. Art. No. 18. P. 3865.
Blochl P. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. Art. No. 24. Art. No. 17 953.
Kresse G., Furthmuller J. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. P. 11 169.
Kresse G., Joubert D. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. No. 3. Art. No. 1758.