Ab initio  study of the heterostructure BaTiO 3 /Si

A. E. Zagidullina; Загидуллина А. Э.; I. I. Gumarova; Гумарова И. И.; А. A. Evseev; Евсеев А. А.; R. F. Mamin; Мамин Р. Ф.

doi:10.31857/S0367676522701009

Ab initio study of the heterostructure BaTiO₃/Si

Авторлар: Zagidullina A.¹, Gumarova I.¹, Evseev А.¹, Mamin R.¹
Мекемелер:
1. Kazan Federal University
Шығарылым: Том 87, № 4 (2023)
Беттер: 562-566
Бөлім: Articles
URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135363
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522701009
EDN: https://elibrary.ru/NPGSRY
ID: 135363

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

We presented ab initio calculations of a heterostructure based on the ferroelectric phase of barium titanate and silicon. The spectra of the density of states for various configurations of the heterostructure are considered, from which it follows that a conducting state can be created in a system consisting of nonconducting components.

Авторлар туралы

A. Zagidullina

Kazan Federal University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: zanalina060200@gmail.com
Russia, 420008, Kazan

I. Gumarova

Kazan Federal University

Email: zanalina060200@gmail.com
Russia, 420008, Kazan

А. Evseev

Kazan Federal University

Email: zanalina060200@gmail.com
Russia, 420008, Kazan

R. Mamin

Kazan Federal University

Email: zanalina060200@gmail.com
Russia, 420008, Kazan

Әдебиет тізімі

Demkov A., Ortmann E., Reynaud M. et al. // Phys. Stat. Sol. B. 2021. V. 258. Art. No. 2000497.
Niranjan M.K., Wang Y., Jaswal S.S., Tsymbal E.Y. // Phys. Rev. Lett. 2009. V. 103. Art. No. 016804.
Fredrickson K.D., Demkov A. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. Art. No. 115126.
Yao Z.H., Song Z., Hao H. et al. // Adv. Mater. 2017. V. 29. Art. No. 1601727.
Palneedi H., Peddigari M., Hwang G-T. et al. // Adv. Funct. Mater. 2018. V. 28. Art. No. 1803665.
Buscaglia V., Buscaglia M., Canu G. // In: Encyclopedia of materials: Technical ceramics and glasses. 2021. V. 3. P. 311.
Guo W., Posadas A., Demkov A., Vac J. // Sci. Technol. 2021. V. 39. Art. No. 030804.
Li W., Lee J., Demkov A. // Appl. Phys. 2022. V. 131. Art. No. 054101.
McKee R., Walker F., Chisholm M. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. P. 3014.
McKee R., Walker F., Chisholm M. // Science. 2001. V. 293. P. 468.
Kim D., Kwok H. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 1803.
Appleby D., Ponon N., Kwa K.S.K. et al. // Appl. Phys. 2014. V. 116. Art. No. 124105.
Niu G., Yin S., Saint-Girons G. et al. // Microelectron. Engin. 2011. V. 88. P. 1232.
McDaniel M., Ngo T.Q., Hu S. et al. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. Art. No. 041301.
Edmondson B., Kwon S., Ortmann J.E. et al. // J. Amer. Ceram. Soc. 2019. V. 103. P. 1209.
Kohn W., Becke A., Parr R. // J. Phys. Chem. 1996. V. 100. No. 31. Art. No. 12974.
Perdew J., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. Art. No. 18. P. 3865.
Blochl P. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. Art. No. 24. Art. No. 17 953.
Kresse G., Furthmuller J. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. P. 11 169.
Kresse G., Joubert D. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. No. 3. Art. No. 1758.