Отправить статью по E-mail 
Влияние отжига на латеральную однородность Ti/InAlAs барьеров Шоттки
- Авторы: Гензе И.Ю.1,2, Аксенов М.С.1,2, Дмитриев Д.В.1
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет»
- Выпуск: Том 88, № 9 (2024)
- Страницы: 1473-1477
- Раздел: Квантовая оптика и квантовые технологии
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/283431
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524090209
- EDN: https://elibrary.ru/OCQTIC
- ID: 283431
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Аннотация
Изучено влияние температуры (300–450 °С) и времени (0–20 мин) отжига на параметры (высота барьера, коэффициент идеальности) и однородность Au/Pt/Ti/i(n)-In0.52Al0.48As(001) барьеров Шоттки. Однородность барьеров Шоттки определялась путем анализа температурных зависимостей параметров в диапазоне 80–350 К, а также графиков Ричардсона в рамках модели Танга.
Ключевые слова
Полный текст
Об авторах
И. Ю. Гензе
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет»
Автор, ответственный за переписку.
Email: genze@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск; Новосибирск
М. С. Аксенов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет»
Email: genze@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск; Новосибирск
Д. В. Дмитриев
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»
Email: genze@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск
Список литературы
- Тakahashi T., Kawano Y., Makiyama K. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 2017. V. 64. No. 1. P. 89.
- Чиж А.Л., Микитчук К.Б., Журавлев К.С. и др. // Письма в ЖТФ. 2019. T. 45. № 14. C. 52; Chizh A.L., Mikitchuk K.B., Zhuravlev K.S. et al. // Tech. Phys. Lett. 2019. V. 45. P. 739.
- Сhistokhin I.B., Aksenov M.S., Valisheva N.A. et al. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2018. V. 74. P. 193.
- Rhoderick E.H., Williams R.H. Metal-semiconductor contacts. Oxford: Clarendon Press, 1988. P. 57.
- Тung R.T. // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. No. 23. Art. No. 13509.
- Gammon P.M., Pérez-Tomás A., Shah V. A. et al. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. No. 22. Art. No. 223704.
- Чистохин И.Б., Аксенов М.С., Валишева Н.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2019. T. 45. № 4. C. 59, Сhistokhin I. B., Aksenov M. S., Valisheva N. A. et al. // Tech. Phys. Lett. 2019. V. 45. No 2. P. 180.
- Dmitriev D.V., Valisheva N.A., Gilinsky A.M. et al. // IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng. 2019. V. 475. Art. No. 012022.
- Wang L., Adesida I. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. No. 2. Art. No. 022110.
- Aksenov M.S., Genze I.Yu., Chistokhin I.B. et al. // Surf. Interfaces. 2023. V. 39. Art. No. 102920.
- Korucu D., Turut A. // Int. J. Electron. 2014. V. 101. No. 11. P. 1595.
- Helal H., Benamara Z., Comini E. et al. // Eur. Phys. J. Plus. 2022. V. 137. No. 4. Art. No. 450.
- Özdemir A.F., Göksu T., Yıldırım N., Turut A. // Phys. B. Cond. Matter. 2021. V. 616. No. 1. Art. No. 413125.
- Jabbari I., Baira M., Maaref H., Mghaieth R. // Chin. J. Phys. 2021. V. 73. P. 719.
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
2.
Рис. 1. Зависимость высоты барьера φb (а) и коэффициента идеальности n (б) от времени отжига t при температурах 300 (кривая 1), 350 (кривая 2) и 400 °C (кривая 3). Прямые ветви зависимостей тока I от напряжения V для Ti/InAlAs БШ (в) до отжига (кривая 1), а также отожженных в течение 20 мин при температурах 300 °C (кривая 2), 350 °C (кривая 3), 400 °C (кривая 4) и 450 °C (кривая 5).
Скачать (27KB)
3.
Рис. 2. Прямые ветви зависимостей тока I от напряжения V для Ti/InAlAs БШ, отожженных при температуре 300 °C (а) и 400 °C (б) в течение 20 мин, измеренные при температурах 80 К, затем от 100 до 350 с шагом 25 K.
Скачать (42KB)
4.
Рис. 3. Температурные зависимости высоты барьера (φb-T, кривая 1) и коэффициента идеальности (n-T, кривая 2) для Ti/InAlAs БШ, отожженных при температуре 300 °C (а) и 400 °C (б) в течение 20 мин. На вставках зависимость φb-n.
Скачать (32KB)
5.
Рис. 4. Графики Ричардсона для Ti/InAlAs БШ, отожженных при температуре 300 °C (а) и 400 °C (б) в течение 20 мин, в рамках теории ТЭ (пустые квадраты) и модели Танга (заполненные квадраты).
Скачать (37KB)
