Ядерно-сканирующий микрозонд в исследовании эпислоев карбида кремния

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Обсуждаются результаты исследования поверхностей образцов гомоэпитаксиальных слоев 4H-SiC методом ядерно-сканирующего микрозонда в режиме обратного резерфордовского рассеяния. Анализ состояния поверхностей образцов, и режимов синтеза показал, что увеличение содержания кремния в верхних слоях некоторых образцов предшествует формированию высокодефектных слоев 4H-SiC.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

М. Э. Бузоверя

Федеральное государственное унитарное предприятие Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики

Email: dismos51@gmail.com
Россия, Саров

И. А. Карпов

Федеральное государственное унитарное предприятие Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики

Email: dismos51@gmail.com
Россия, Саров

А. Ю. Архипов

Федеральное государственное унитарное предприятие Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики

Email: dismos51@gmail.com
Россия, Саров

Д. А. Скворцов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарёва

Автор, ответственный за переписку.
Email: dismos51@gmail.com

Научно-исследовательская лаборатория «Синтез и обработка монокристаллов карбида кремния»

Россия, Саранск

В. А. Неверов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарёва

Email: dismos51@gmail.com

Научно-исследовательская лаборатория «Синтез и обработка монокристаллов карбида кремния»

Россия, Саранск

Б. Ф. Мамин

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарёва

Email: dismos51@gmail.com

Научно-исследовательская лаборатория «Синтез и обработка монокристаллов карбида кремния»

Россия, Саранск

Список литературы

  1. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. // Изв. вузов. Электроника. 2011. № 6(92). С. 3.
  2. Афанасьев А.В., Ильин В.А., Лучинин В.В., Решанов С.А. // Изв. вузов. Электроника. 2020. Т. 25. № 6. С. 483.
  3. Авров Д.Д., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. // Изв. вузов. Электроника. 2015. Т. 20. № 3. С. 225.
  4. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Волкова А.А. // ЖТФ. 2005. Т. 75. № 4. С. 114; Davydov S.Yu., Lebedev A.A., Savkina N.S., Volkova A.A. // Tech. Phys. 2005. V. 50. No. 4. P. 503.
  5. Schöler M., Schuh P., Steiner J., Wellmann P.J. // Mat. Sci. Forum. 2019. V. 963. P. 157.
  6. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 2. С. 153.
  7. Гаврилов Г.Е., Бузоверя М.Э., Карпов И.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 8. С. 1155; Gavrilov G.E., Buzoverya M.E., Karpov I.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. No. 8. P. 956.
  8. Lilov S.K. // Mater. Sci. Engin. B. 1993. V. 21. P. 65.
  9. Vasiliauskas R., Marinova M., Hens P. et al. // Cryst. Growth Des. 2012. V.12. P. 197.
  10. Быков Ю.О., Лебедев А.О., Щеглов М.П. // Неорг. матер. 2020. T. 56. № 9. C. 979.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Схема эпитаксиальной сэндвич-ячейки в тепловом узле ростовой установки (а): 1 — зона переноса молекулярных компонентов пара; 2 — источник паров SiC (сублимационная пластина); 3 — кристалл затравка (монокристаллическая 4H-SiC подложка); 4 — графитовое кольцо (спейсер); 5 —графитовый тигель; 6 — графитовая теплоизоляция; 7 — кварцевая труба; 8 — индукционный нагреватель. Динамика процессов эпитаксии (б) EPI-1 (вверху) и EPI-2 (внизу): TЯЧ (эксп.) — температура верха эпитаксиальной ячейки, регистрируемая пирометром; ТИСТ (модель) — расчетная температура поверхности сублимационной пластины; GЭС (модель) — расчетная скорость роста эпитаксиального слоя.

Скачать (247KB)
Метаданные
3. Рис. 2. АСМ-изображения: образец EPI-1 (а), высота ступеней — 0.5 нм, ширина террас 2.76 мкм, число пиков в области — 13; образец EPI-2 (б), высота ступеней — 0.5 нм, ширина террас — 5.61 мкм, число пиков в области — 58.

Скачать (208KB)
Метаданные
4. Рис. 3. RBS-спектры образцов EPI-1 (а) и EPI-2 (б). Карты распределения элементов (размер 30 × 30 мкм), образцы EPI-1 (в) и EPI-2 (г).

Скачать (308KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Рассчитанная динамика ростовых параметров в области, соответствующей заключительному этапу роста ЭС SiC EPI-1 (слева) и EPI-2 (справа). Пунктирными линиями отмечена область формирования приповерхностного слоя толщиной ~ 2 мкм. ТЭП (модель) — расчетная температура эпитаксиальной поверхности.

Скачать (182KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».