电邮这篇文章 Influence of silicon dioxide on the structure and dielectric properties of barium titanate
- 作者: Korotkov L.N.1, Tolstykh N.A.1, Borodin N.N.1, Kashirin M.A.1, Anisimov R.G.1, Popov S.V.2, Pankova M.A.3
-
隶属关系:
- Voronezh State Technical University
- Military Educational and Scientific Centre of the Air Force N. E. Zhukovsky and Y. A. Gagarin Air Force Academy
- Voronezh Institute of the Ministry of Internal Affairs of Russia
- 期: 卷 88, 编号 5 (2024)
- 页面: 716-721
- 栏目: Physics of ferroelectrics
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/274194
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524050046
- EDN: https://elibrary.ru/OXRQGO
- ID: 274194
如何引用文章
开放存取
##reader.subscriptionAccessGranted##
订阅存取
详细
The influence of silicon dioxide on the structure and dielectric properties of ceramic barium titanate was studied. The obtained results show that Si in concentrations up to 1 mol. % enters to the BaTiO3 lattice, forming the BaTi1-xSixO3 solid solution. Doping barium titanate with silicon leads to a decrease in the size of the crystal cell, a slight diffuseness of the ferroelectric phase transition, a decrease in its temperature and the appearance of signs of a relaxer ferroelectric.
作者简介
L. Korotkov
Voronezh State Technical University
编辑信件的主要联系方式.
Email: l_korotkov@mail.ru
俄罗斯联邦, Voronezh, 394026
N. Tolstykh
Voronezh State Technical University
Email: l_korotkov@mail.ru
俄罗斯联邦, Voronezh, 394026
N. Borodin
Voronezh State Technical University
Email: l_korotkov@mail.ru
俄罗斯联邦, Voronezh, 394026
M. Kashirin
Voronezh State Technical University
Email: l_korotkov@mail.ru
俄罗斯联邦, Voronezh, 394026
R. Anisimov
Voronezh State Technical University
Email: l_korotkov@mail.ru
俄罗斯联邦, Voronezh, 394026
S. Popov
Military Educational and Scientific Centre of the Air Force N. E. Zhukovsky and Y. A. Gagarin Air Force Academy
Email: l_korotkov@mail.ru
俄罗斯联邦, Voronezh, 394064
M. Pankova
Voronezh Institute of the Ministry of Internal Affairs of Russia
Email: l_korotkov@mail.ru
俄罗斯联邦, Voronezh, 394065
参考
- Прокопало О.И., Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г. и др. Титанат бария. Ростов-на-Дону.: Изд. РГУ, 1970. 214 с.
- Смоленский Г.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука, 1971. 476 с.
- Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 736 с.
- Rabe K.M., Ahn C.H., Triscone J.-M. Physics of ferroelectrics: a modern perspective Berlin: Springer-Verlag, 2007. 388 p.
- Толстых Н.А., Короткова Т.Н., Аль Джаафари Ф.Д. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 9. С. 1196; Tolstykh N.A., Korotkova T.N., Al’ Dzhaafari F.D. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 9. P. 1086.
- Lemanov V.V., Smirnova E.P., Syrnikov P.P., Tarakanov E.A. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. No. 5. P. 3151.
- Gatea H.A., Shoja S.J., Albazoni H.J. // J. Miner. Met. Mater. Soc. 2023. V. 75. P. 4470.
- Weber U., Greuel G., Boettger U. et al. // J. Amer. Ceram. Soc. 2001. V. 84. No. 4. P. 759.
- Ciomaga C.E., Calderone R., Buscaglia M.T. et al. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2006. V. 8. No. 3. P. 944.
- Jeon H.-P., Lee S.-K., Kim S.-W. et al. // Mater. Chem. Phys. 2005. V. 94. No. 2—3. P. 185.
- Wang J., Tang L., Shenn B., Zhai J. // Ceram. Int. 2014. V. 40. P. 2261.
- Zhang Y., Cao M., Yao Z. et al. // Mater. Res. Bull. 2015. V. 67. P. 70.
- Lu X., Tong Y., Talebinezhad H. et al. // Proc. 2017 ISAF IWATMD PFM. (Atlanta, 2017). P. 56.
- Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат, 2011. 175 с.
- Diao C., Liu H., Hao H. et al. // Ceram. Int. 2014. V. 40. P. 2261.
- Al-jaafari F.M.D., Mohammed M.A., Shahad S.H. et al. // Ferroelectrics. 2023. V. 612. P. 144.
- Гинье А. Рентгенография кристаллов. Теория и практика. М.: ФИЗМАТЛИТ, 1961. 604 с.
- https://dpva.ru/Guide/GuidePhysics/Length/IonicRadius.
- Landolt-Börnstein. Group III Condensed Matter. V. 36A1. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 2011.
- Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986. 556 с.
补充文件
