Investigation of semiconductor materials by the thermo-optical method in a magnetic field

A. N. Kotov; Котов А. Н.; A. A. Starostin; Старостин А. А.; V. V. Shangin; Шангин В. В.; S. B. Bobin; Бобин С. Б.; A. T. Lonchakov; Лончаков А. Т.

doi:10.31857/S0367676523702691

Investigation of semiconductor materials by the thermo-optical method in a magnetic field

Авторлар: Kotov A.¹, Starostin A.¹, Shangin V.¹, Bobin S.², Lonchakov A.²
Мекемелер:
1. Institute of Thermal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
2. Mikheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
Шығарылым: Том 87, № 11 (2023)
Беттер: 1547-1553
Бөлім: Articles
URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/232477
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523702691
EDN: https://elibrary.ru/FXXHRC
ID: 232477

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The results of studying the effect of temperature and magnetic field on the relaxation of the thermo-optical signal in semiconductor samples with different electronic spectra n-Ge, n-InSb, ZnSe:Ni are presented. The results were obtained using a two-beam fiber-optic “pump–probe” method with a Fabry–Perot interferometer in the temperature range from 4.2 to 300 K with the application of a magnetic field up to 8 T. The significant change of behavior of reflected probing beam with wavelength of 1530 nm was found after the action of a pump pulse for the sample of n-Ge at temperatures below 30 K and a field induction of more than 2 T. This phenomenon is caused by transformation of electronic structure.

Негізгі сөздер

thermo-optical phenomena, optical pumping–probing, fiber-optic Fabry–Perot interferometer, thermal reflection, magnetic field, electronic structure, relaxation processes in semiconductors

Әдебиет тізімі

Алферов Ж.И., Вавилов В.С. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с.
Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. 560 с.
Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников М.: Наука, 1977. 366 с.
Сухоруков Ю.П., Телегин А.В., Бессонов В.Д. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2013. Т. 77. № 10. С. 1482; Sukhorukov Yu.P., Telegin A.V., Bessonov V.L. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2013. V. 77. No. 10. P. 1275.
Ганьшина Е.А., Припеченков И.М., Перова Н.Н. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 3. С. 328; Ganshina A.A., Pripechenkov I.M., Perova N.N. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 3. P. 282.
Starostin A.A., Shangin V.V., Lonchakov A.T. et al. // Annalen der Physik. 2020. V. 532. No. 8. Art. No. 1900586.
Romanova E., Kuzyutkina Y., Shiryaev V. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2018. V. 480. P. 13.
Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Яцун В.В. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. № 2. С. 149; Vaksman Y.F., Nisuk Y.A., Yatsun V.V. et al. // Semiconductors. 2010. V. 44. No. 2. P. 141.
Прохоров А.М. Исследования неравновесных носителей в германии при низких температурах. М.: Наука, 1985. 166 с.
Сейсян Р.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М.: Наука, 1984. 284 с.
Сейсян Р.П. // ФТТ. 2016. Т. 58. № 5. С. 833; Seisyan R.P. // Phys. Solid State. 2016. V. 58. No. 5. С. 859.
Сейсян Р.П., Савченко Г.М., Аверкиев Н.С. // ФТП. 2012. Т. 46. № 7. С. 896; Seisyan R.P., Savchenko G.M., Averkiev N.S. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 7. P. 873.
Ландсберг Г.С. Оптика. М.: Физматлит, 2010. 848 с.
Удд Э. Волоконно-оптические датчики. М.: Техносфера, 2008. 520 с.
Бутусов М.М., Галкин С.Л., Оробинский С.П., Пал Б.П. Волоконная оптика и приборостроение. Л.: Машиностроение, 1987. 328 с.
Окоси Т., Окамото К., Оцу М. и др. Волоконно-оптические датчики. Л.: Энергоатомиздат, 1990. 256 с.
Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Благин А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. Ростов-на-Дону: Изд.: СКНЦ ВШ, 2003. 376 с.
Скворцов Л.А. Основы фототермической радиометрии и лазерной термографии. М.: Техносфера, 2017. 218 с.
Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Изд-во иностр. лит., 1962. 253 с.
Новицкий Л.А., Кожевников И.Г. Теплофизические свойства материалов при низких температурах. Справочник. М.: Машиностроение, 1975. 216 с.