Поверхностная квантово-размерная рекомбинация фотоносителей в микрокристаллах CdTe
- Авторы: Селькин А.В.1, Юлдашев Н.Х.2
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук
- Ферганский политехнический институт
- Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
- Страницы: 879-884
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135413
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701521
- EDN: https://elibrary.ru/VMYLQK
- ID: 135413
Цитировать
Аннотация
Исследованы спектры низкотемпературной (T = 2 K) фотолюминесценции пленочной гетероструктуры p-CdTe/n-CdS, содержащей микрокристаллы CdTe. В области выше края собственного поглощения объемного CdTe обнаружена доминирующая полоса “супергорячего” излучения, которая возникает в результате оптических переходов электронов с приповерхностных уровней пространственного квантования микрокристалла в состояния валентной зоны.
Об авторах
А. В. Селькин
Федеральное государственное бюджетное учреждение наукиФизико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Автор, ответственный за переписку.
Email: alexander.selkin@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург
Н. Х. Юлдашев
Ферганский политехнический институт
Email: alexander.selkin@mail.ioffe.ru
Узбекистан, Фергана
Список литературы
- Tuteja M., Koirala P., Soares J. et al. // J. Mater. Res. 2016. V. 31. No. 2. P. 186.
- Durose K., Asher S.E., Gaegermann W. et al. // J. Progr. Photovolt. Res. Appl. 2004. V. 12. No. 2–3. P. 177.
- Caraman I., Vatavu S., Rusu G., Gasin P. // Chalcogenide Lett. 2006. V. 3. No. 1. P. 1.
- Ikhmayies Sh.J., Ahmad-Bitar R.N. // J. Luminescence. 2012. V. 132. No. 2. P. 502.
- Okamoto T., Matsuzaki Y., Amin N. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. No. 7. Art. No. 3894.
- Nakamura K., Gotoh M., Fujihara T. et al. // Solar Energy Mater. Solar Cells. 2003. V. 75. P. 185.
- Potter M.D., Halliday D.P., Cousins M., Durose K. // Thin Solid Films. 2000. V. 361–362. P. 248.
- Косяченко Л.А., Савчук А.И., Грушко Е.В. // ФТП. 2009. Т. 43. № 8. С. 1060; Kosyachenko L.A., Savchuk A.I., Grushko E.V. // Semiconductors. 2009. V. 43. No. 8. P. 1023.
- Ильчук Г.A., Кусьнэж В.В., Рудь В.Ю. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. № 3. С. 335; Ilchuk G.A., Kusnezh V.V., Rud V.Yu. et al. // Semiconductors. 2010. V. 44. No. 3. P. 318.
- Tuteja M. PhD thesis. University of Illinois at Urbana-Champaing, 2014. P. 24.
- Akhmadaliev B.J., Mamatov O.M., Polvonov B.Z., Yuldashev N.Kh. // JAMP. 2016. V. 4. P. 391.
- Fonthal G., Tirado-Mejia L., Marin-Hurtado J.I. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 2000. V. 61. P. 579.
- Ekimov A.I., Onishchenko A.A. // JETP Lett. 1981. V. 34. No. 6. P. 363.
- Екимов А.И., Кудрявцев И.А., Иванов М.Г., Эфрос Ал.Л. //ФТТ. 1989. Т. 31. № 8. С. 192; Ekimov A.I., Kudryavtsev I.A., Ivanov M.G., Efros Al.L. // Sov. Phys. Solid State. 1989. V. 31. No. 8. P. 1385.
- Nozik A.J., Beard M.C., Luther J.M. et al. // Chem. Rev. 2010. V. 110. P. 6873.
- Ando T., Fowler A., Stern F. // Rev. Modern Phys. 1982. V. 54. P. 437.
- Takada Y., Uemura Y. // J. Phys. Soc. Japan. 1977. V. 43. P. 139.
- Rubio-Ponce A., Olguín D., Hernández-Calderón I. // Superficies y Vacío. 2003. V. 16. No. 2. P. 26.
- Capper P., Garland J. Mercury cadmium telluride. Growth, properties and applications. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2011. P. 556.
- Horodyský P., Hlídek P. // Phys. Stat. Sol. B. 2006. V. 243. No. 11. P. 494.
- Абдукадыров А.Г, Сажин М.И., Селькин А.В., Юлдашев Н.Х. // ЖЭТФ. 1990. Т. 97. № 2. С. 644.
- Sel’kin A.V., Yuldashev N.Kh. // In: Semiconductor and insulators: optical and spectroscopic research. Nova Science Publishers, 1992. P. 55.
- Novikov A.B., Novikov B.V., Yuferev R.B. et al. // JETP Lett. 1996. V. 64. P. 42.
- Романовский С.О., Селькин А.В., Стамов И.Г., Феоктистов Н.А. // ФТТ. 1998. Т. 40. № 5. С. 884.