Термостабильность сегнетоэлектрических пленок на основе диоксидов гафния-циркония на кремнии
- Авторы: Попов В.П.1, Антонов В.А.1, Тихоненко Ф.В.1, Мяконьких А.В.2, Руденко К.В.2
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук”
- Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
- Страницы: 867-872
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/135411
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701508
- EDN: https://elibrary.ru/VMKDGC
- ID: 135411
Цитировать
Аннотация
Приведены результаты, свидетельствующие о повышении термостабильности, а также структурные и электрофизические свойства 20 нм сегнетоэлектрических пленок HfO2, Hf0.5Zr0.5O2 cо вставками монослоев Al2O3 и без них, полученных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (PEALD), в меза структурах металл–сегнетоэлектрик–кремний, перспективных для устройств универсальной памяти.
Об авторах
В. П. Попов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
Автор, ответственный за переписку.
Email: popov@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск
В. А. Антонов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
Email: popov@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск
Ф. В. Тихоненко
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
Email: popov@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск
А. В. Мяконьких
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук”
Email: popov@isp.nsc.ru
Россия, Москва
К. В. Руденко
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук”
Email: popov@isp.nsc.ru
Россия, Москва
Список литературы
- Khosla R., Sharma S. // ACS Appl. Electron. Mater. 2021. V. 3. No. 7. P. 286.
- Wang D., Zhang Y., Wang J. et al. // J. Mater. Sci. Technol. 2022. V. 104. P. 1.
- Shen Y., Zhang Z., Zhang Q. et al. // RSC Advances. 2020. V. 10. P. 7812.
- Böscke T.S., Müller J., Bräuhaus D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. Art. No. 102903.
- Müller J., Yurchuk E., Schlösser T. et al. // Proc. 2012 Symp. VLSI Technology. (Honolulu, 2012). P. 25.
- Müller J., Böscke T.S., Schroder U. et al. // Nano Lett. 2012. V. 12. No. 8. P. 4318.
- Materano M., Lomenzo P.D., Kersch A. et al. // Inorg. Chem. Front. 2021. V. 8. P. 2650.
- Chen H., Zhou X., Tang L. et al. // Appl. Phys. Rev. 2022. V. 9. Art. No. 011307.
- Kim H.J., Park M.H., Kim Y.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Art. No. 192903.
- Migita S., Ota H., Shibuya K. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 2019. V. 58. Art. No. SBBA07.
- Chesnokov Yu., Miakonkikh A., Rogozhin A. et al. // J. Mater. Sci. 2018. V. 53. P. 1.
- Grigoriev A., Azad M.M., McCampbell J. // Rev. Sci. Instrum. 2011. V. 82. No. 12. Art. No. 124704.
- Popov V., Antonov V., Tikhonenko F. et al. // J. Physics D. 2021. V. 54. No. 22. Art. No. 2251012021.
- Popov V.P., Tikhonenko F.V., Antonov V.A. et al. // Sol. State. Electron. 2022. V. 194. Art. No. 108348.
- Долженко Д.И., Бородзюля В.Ф., Захарова И.Б., Сударь Н.Т. // ЖТФ. 2021. Т. 91. № 1. С. 58; Dolzhenko D.I., Borodzyulya V.F., Zakharova I.B., Sudar’ N.T. // Tech. Phys. 2021. V. 66. No. 1. P. 53.
- White M.H., Adams D.A., Bu J. // IEEE Circuits Devices Mag. 2000. V. 16. P. 22.
- Zhang Y., Shao Y.Y., Lu X.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Art. No. 172902.
- Mikheev V., Chouprik A., Lebedinskii Y. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2019. V. 11. No. 35. P. 32108.
- Fontanini R., Barbot J., Segatto M. // IEEE J. Electron Dev. Soc. 2022. V. 10. P. 593.
- Kim H.J., Park M.H., Kim Y.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Art. No. 192903.