Отрицательная анизотропия в пленках Ni–Fe

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Получены пленки FeNi, обладающие эффектом “отрицательной анизотропии”, заключающемся в формировании наведенной анизотропии перпендикулярно полю осаждения. Протестирована ранее предложенная модель эффекта, основанная на отрицательной магнитострикции и неоднородных напряжениях. Влияние дополнительных напряжений анализировалось по изменяющейся форме R–H кривых. Изменения анизотропии согласуются с моделью.

Об авторах

П. А. Савин

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образовани
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

Автор, ответственный за переписку.
Email: Peter.Savin@urfu.ru
Россия, Екатеринбург

О. А. Аданакова

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образовани
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

Email: Peter.Savin@urfu.ru
Россия, Екатеринбург

В. Н. Лепаловский

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образовани
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

Email: Peter.Savin@urfu.ru
Россия, Екатеринбург

Е. В. Кудюков

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образовани
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

Email: Peter.Savin@urfu.ru
Россия, Екатеринбург

В. О. Васьковский

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образовани
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт физики металлов имени М.Н. Михеева” Уральского отделения Российской академии наук

Email: Peter.Savin@urfu.ru
Россия, Екатеринбург; Россия, Екатеринбург

Список литературы

  1. Blois M.S. // J. Appl. Phys. 1955. V. 26. P. 975.
  2. Jogschies L., Klaas D., Kruppe R. et al. // Sensors. 2015. V. 15. Art. No. 28665.
  3. Smith D.O. // Appl. Phys. Lett. 1963. V. 2. P. 191.
  4. Soohoo R.F. // Czech. J. Phys. 1971. V. 21. P. 494.
  5. Savin P.A., Adanakova O.A., Lepalovskij V.N. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 2019. V. 1389. Art. No. 012122.
  6. Лесник А.Г. Индуцированная магнитная анизотропия. Киев: Наукова думка, 1976. 160 с.
  7. Miyazaki T., Oomori T., Sato F. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 1994. V. 129. Art. No. L135.
  8. Савин П.А., Васьковский В.О., Кандаурова Г.С., Лепаловский В.Н. // Микроэлектроника. 1991. Т. 20. С. 407.
  9. Maissel L.I., Glang R. Handbook of thin film technology. N.Y.: McGraw Hill, 1970.
  10. Zhukov A., González J., Blanco M. et al. // J. Mater. Res. 2000. V. 15. P. 2107.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (388KB)
3.

Скачать (64KB)
4.

Скачать (152KB)
5.

Скачать (147KB)

© П.А. Савин, О.А. Аданакова, В.Н. Лепаловский, Е.В. Кудюков, В.О. Васьковский, 2023

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах