Creation of Two-Dimensional High Temperature Superconductivity Under the Influence of an Electric Field

V. L. Bodneva; Боднева В. Л.; M. A. Kozhushner; Кожушнер М. А.; B. V. Lidskii; Лидский Б. В.; V. S.  Posvyanskii; Посвянский В. С.; L. I. Trakhtenberg; Трахтенберг Л. И.

doi:10.31857/S0207401X2307004X

Создание двумерной высокотемпературной сверхпроводимости при воздействии электрического поля

Авторы: Боднева В.Л.¹, Кожушнер М.А.¹, Лидский Б.В.¹, Посвянский В.С.¹, Трахтенберг Л.И.¹^,2
Учреждения:
1. Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семёнова Российской академии наук
2. Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Выпуск: Том 42, № 7 (2023)
Страницы: 3-9
Раздел: XXXIV СИМПОЗИУМ “СОВРЕМЕННАЯ ХИМИЧЕСКАЯ ФИЗИКА” (СЕНТЯБРЬ 2022 г., ТУАПСЕ)
URL: https://journals.rcsi.science/0207-401X/article/view/139923
DOI: https://doi.org/10.31857/S0207401X2307004X
EDN: https://elibrary.ru/YAYSGJ
ID: 139923

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Показано, что при воздействии электрического поля на пластинку высокотемпературного сверхпроводника при определенных условиях может возникнуть квазидвумерная сверхпроводимость. Это происходит, если в отсутствие электрического поля при температуре меньше максимальной температуры сверхпроводящего перехода концентрация носителей в пластине находится вне области существования сверхпроводимости. Изучение проведено для пластины лантан-стронциевого купрата при различных концентрациях дырок, температурах и разностях потенциалов. Оказалось, что квазидвумерный сверхпроводящий слой возникает вблизи поверхности пластины. Толщина сверхпроводящего слоя составляет несколько ангстрем и в исследованном диапазоне не зависит от величины поля. Его толщина зависит лишь от концентрации дырок и температуры. В то же время расстояние сверхпроводящего слоя от края пластины является функцией всех трех факторов. Сформулированы условия проведения эксперимента.

Ключевые слова

лантан-стронцевый купрат, двумерная сверхпроводимость, концентрация дырок, электрическое поле.

Список литературы

Bednorz J.G., Müller K. A. // Z. Phys. B. 1986. V. 4. P. 189.
Keimer B., Kivelson S.A., Norman M.R. et al. // Nature. 2015. V. 518. P. 179.
Yoshida T., Zhou X.J., Lu D.H. et al. // J. Phys.: Cond. Matt. 2007. V. 19. P. 125209.
Rice T.M. // Phys. Rev. A. 1965. V. 140. P. 1889.
Reyren N., Thiel S., Caviglia A.D. et al. // Science. 2007. V. 317. P. 1196.
Brun C., Cren T., Cherkez V. et al. // Nature Phys. 2014. V. 10. P. 444.
Uchihashi T. // Supercond. Sci. Tekhnol. 2016. V. 30. P. 1.
Uchihashi T., Yoshizava S., Minamitami E. et al. // Molec. Syst. Des. Eng. 2019. V. 4. P. 511.
Садовский М.В. // УФН. 2016. Т. 186. С. 1035.
Pavlov D.P., Zagidullin R.R., Mikhailov V.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 2019. V. 122. P. 237001.
Glover R.E., Sherill M.D. // Phys. Rev. Lett. 1960. V. 5. P. 248.
Shkuratov S.I. // J. Vac. Sci. Technol. 1993. V. 11. P. 353.
Sakai S. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. P. 9042.
Moravets K. // Ibid. 2002. V. 66. P. 172508.
Konsin P., Sorkin B. // Ibid. 1998. V. 58. P. 5795.
Ahn C.H., Triscone J.-M., Mannhart J. // Nature. 2003. V. 424. P. 1015.
Галашев А.Е., Рахманова О.Р., Катин К.П. и др. // Хим. физика. 2020. Т. 39. № 11. С. 80.
Симбирцева Г.В., Пивень Н.П., Бабенко С.Д. // Хим. физика. 2020. Т. 39. № 12. С. 60.
Val’kov V.V., Dzebisashvili D.M., Barabanov A.F. // Phys. Lett. A. 2015. V. 379. № 5. P. 421.
Вальков В.В., Дзебисашвили Д.М., Барабанов А.Ф. // Письма ЖЭТФ. 2016. Т. 104. С. 745.
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. М.: Наука, 1995.
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1982.
Gelfand I.M., Fomin S.V. Calculus of variations. N.J.: Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, 1963.
Годунов C.К., Рябенький В.С. Разностные схемы. М.: Наука, 1977.
Takagi H., Cava R.J., Marezio M. et al. // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. P. 3777.
Nagano T., Tomioka T.Y., Nakayama Y. et al. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48. P. 9689.
Yamada K., Lee C.H., Kurahashi K. et al. // Ibid. 1998. V. 57. P. 6165.
Takagi H., Ido T., Ishibashi S. et al. // Ibid. 1989. V. 40. P. 2254.
Torrance J.B., Bezinge A., Nazzal A.I., Huang T.C. et al. // Ibid. P. 8872.
Liang R., Bonn D.A., Hardy W.N. // Ibid. 2006. V. 73. P. 180505.
Кожушнер М.А., Посвянский В.С., Лидский Б.В. и др. // ФТТ. 2020. Т. 62. № 8. С. 1154.