Full Text
1. ВВЕДЕНИЕ
Построение аналитических решений для задач плазмодинамики вызывает существенный интерес у специалистов, см., например, [1][3]. Настоящая работа посвящена численной реализации аналитического решения [4], [5] задачи об отклике слоя плазмы на возмущение внешним электрическим полем; о таких задачах см. [6][10].
Предполагается, что на слой плазмы действует электрическое поле постоянной частоты и малой амплитуды. Вектор электрической напряженности этого поля направлен перпендикулярно границе слоя. В результате в плазме возникают колебания заряженных частиц. Движением ионов будем пренебрегать (см. [8]), рассматривая только электроны. Состояние плазмы будет характеризоваться плотностью электронов и напряженностью самосогласованного поля. Приведем подробный вывод поставленной задачи, заимствуя общую схему рассуждений из работ [4] и [10].
Рассматривается бесконечный слой плазмы ширины , занимающий область . В невозмущенном состоянии распределение электронов описывается функцией Максвелла:
(1)
в которой концентрация заряженных частиц при отсутствии внешнего электрического поля, m масса электрона, постоянная Больцмана, T температура плазмы, которая считается постоянной в данной задаче.
В результате внешнего воздействия в слое плазмы возникает самосогласованное поле, описываемое векторами и , а распределение электронов – функцией . Состояние плазмы характеризуется системой Больцмана–Максвелла
(2)
(3)
(4)
(5)
где искомая функция распределения электронов, плотность заряда, заряд электрона, и скорость и импульс электрона, m магнитная проницаемость.
В случае слабого воздействия интеграл столкновений в правой части уравнения (2) можно записать в приближении Бхатнагара–Гросса–Крука [11], [12]:
(6)
где параметр частота столкновений электронов в плазме (эффективная частота рассеяния электронов), локально равновесная функция распределения, определяемая формулой
(7)
в которой концентрация заряженных частиц:
(8)
Учитывая условия задачи, вектор напряженности внешнего поля имеет только одну ненулевую координату:
тогда согласно [13], функция распределения будет зависеть только от одной пространственной переменной и будет иметь вид . Согласно [6], [8], электрическая и магнитная напряженности самосогласованного поля в плазме допускают представления:
которые после подстановки в уравнения (4), (5) дают результат
(9)
Таким образом, магнитное поле не присутствует в уравнении (2), и система (2), (3) содержит только две неизвестных функции: функцию распределения и электрическую напряженность самосогласованного поля .
Учитывая (6)–(9), уравнения (2), (3) преобразуются к виду (см. [10], [13]):
(10)
(11)
Здесь v модуль скорости, т.е. . Таким образом, в результате сделанных предположений поставленная задача свелась к одномерной. Пользуясь условием малости амплитуды внешнего поля, будем решать ее в линейном приближении. Ниже продемонстрируем вывод линеаризованной системы.
При воздействии слабого электрического поля на среду заряженных частиц концентрация электронов перестает быть константой и меняется с изменением координаты. Будем считать, что справедливо следующее представление:
(12)
где частота внешнего поля, а возмущение концентрации мало по сравнению с величиной , т.е.
Локально-равновесная функция распределения запишется в виде
(13)
где
(14)
Функцию распределения электронов будем искать в виде:
(15)
предполагая, что неизвестная функция, причем достаточно малая, т.е. . Заметим, что в линейном приближении
(16)
Учитывая эти равенства и подставив в уравнения (10) и (11) выражения (13)(16) для и , получаем уравнения
(17)
(18)
Используя представления (8) и (12) для и учитывая закон сохранения числа частиц, получаем:
(19)
Подставим результаты (19) в (17) и получим два уравнения относительно двух неизвестных функций E(x) и :
(20)
(21)
Используя формулу для плазменной частоты
можно преобразовать коэффициент перед интегралом в уравнении (21):
Далее перейдем к безразмерным переменным v' и x', используя скорость теплового движения частиц и длину свободного пробега частиц между столкновениями :
Напряженность внешнего электрического поля на границе слоя равна . Введем следующие безразмерные функции:
Подставив новые переменные и новые функции в уравнения (20), (21) и отказавшись от индексов у переменных, получаем систему уравнений:
(22)
(23)
Функция
(24)
обладает свойством а коэффициенты в уравнениях (22) и (23) соответственно и зависят от свойств плазмы и частоты внешнего поля.
В случае зеркального отражения электронов от границы плазмы для функции распределения электронов имеем следующие граничные условия на границе слоя размера 2L:
что равносильно условию:
Для электрического поля граничное условие имеет вид:
Отсюда для функций и получаем следующие граничные условия:
(25)
(26)
Здесь величина слоя в единицах свободного пробега электронов. Таким образом, задача об отклике плазмы на внешнее воздействие состоит в нахождении такого решения уравнений (22), (23), которое удовлетворяет краевым условиям (25), (26).
Статья организована следующим образом: в разд. 2 представлено аналитическое решение поставленной задачи, полученное на основе утверждений из [4] и [5]. В разд. 3 представлено численное исследование решения, полученного в разд. 2.
2. АНАЛИТИЧЕСКОЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ РЕШЕНИЯ КРАЕВОЙ ЗАДАЧИ
Мы получили систему интегродифференциальных уравнений для функций H(x,v) и G(x):
(27)
(28)
Функции H(x,v) и G(x) заданы в полосе
(29)
и удовлетворяют следующим граничным условиям:
(30)
(31)
Функция определяется формулой (24), а коэффициенты A и B зависят от свойств плазмы и выражаются формулами
(32)
Решение задачи (27)–(31) ищется в следующем классе функций:
(33)
В работах [4], [5] был предложен метод и построено аналитическое решение задачи (27)(31) для случая, когда произвольная бесконечно дифференцируемая функция с асимптотикой и нормированная на единицу, т.е. , а величины A и B являются комплексной и вещественной константами соответственно. Частным случаем такой функции является , определенная по формуле (24). Указанное решение задачи было построено с помощью новых результатов, развивающих подход [14], [15] в теории преобразования Фурье обобщенных функций, а также методов [16], [17] для решения сингулярных интегральных уравнений.
Для того чтобы выписать результат решения, введем функцию:
(34)
от структуры множества нулей которой зависит общий вид решения задачи. Заметим, что вид функции общий для любого решения системы (27), (28), а ее свойства определяются набором параметров , A и B, которые зависят от свойств плазмы.
Аналитические и численные оценки показали, что и для модели, рассматриваемой в [4], и для модели, рассматриваемой в настоящей работе, для физически значимых параметров функция имеет два простых корня, которые являются комплексными и противоположными по знаку , что позволяет нам использовать результаты работы [4].
Следуя [4], введем также функции
(35)
(36)
где символ означает, что интеграл понимается в смысле главного значения. Введем еще одну величину, которая потребуется далее значение дисперсионной функции на бесконечности:
(37)
В дальнейшем также потребуются функции , удовлетворяющие требованиям приведенного замечания.
Замечание 1. Будем предполагать, что функция непрерывна при , удовлетворяет условию , , , а кроме того, при малых для нее справедлива асимптотика , , .
Таким образом, справедливо следующее утверждение, см. [5].
Теорема 1. Пусть функция , фигурирующая в (27), (28), определена формулой (24), и соответственно комплексная и вещественная величины, определяемые формулами (32), функция , определенная из (34), имеет два комплексных корня и , . Тогда решение краевой задачи (27)–(31) единственно и имеет вид:
(38)
(39)
где постоянные величины , даются равенствами
(40)
(41)
(42)
а функция определяется формулой
(43)
величина дается равенством (37), функции и определены соответственно формулами (35) и (36).
3. ЧИСЛЕННАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ
3.1. Алгоритм вычисления
Для вычисления решения краевой задачи (27)(31) по формулам (38)(43) выполняются следующие действия: сначала для заданных параметров плазмы и вычисляются значения констант A и B, затем находится значение корня решение уравнения в нижней полуплоскости (Im λ0 < 0). Для решения этого уравнения применяется итерационная процедура Ньютона [18], которая заключается в использовании уравнения, связывающего значение функции и ее производной:
Значение производной вычисляется по формуле
(44)
Для вычисления интегралов в функциях и применяются квадратурные формулы Гаусса 10-го порядка [18].
На фиг. 1 приведены графики зависимости значений от частоты внешнего поля . В 4-й четверти изображены такие, что Im λ0 < 0, во 2-й четверти такие, что Im λ0 > 0.
Фиг. 1. Значения корней дисперсионной функции при ν/ωр=0.001 и разных ω.
Отметим, что метод Ньютона применим, если начальное приближение попадает в достаточно малую окрестность предполагаемого корня, поэтому начальное приближение находится с помощью асимптотических оценок.
После нахождения значения можно вычислить значения констант , , по формулам (40)(42) и приступить к вычислению решения задачи (27)(31).
При вычислении константы , как и при вычислении G(x), H(x,v), необходимо найти значения функций на вещественной оси. Эти значения вычисляются с помощью выражения для , которое дается формулой (36), и формул Сохоцкого [19]:
(45)
Выражение для функции , как и представление для H(x,v), содержит интеграл в смысле главного значения
к вычислению которого мы переходим в следующем пункте.
3.2. Представление для сингулярного интеграла I(λ)
В случае, когда равновесное состояние описывается распределением Максвелла, ядро k(ξ) в уравнениях (38), (39) принимает вид (24):
Интеграл I(λ) в таком случае принимает вид:
(46)
Вводя функцию
(47)
убеждаемся, что она удовлетворяет дифференциальному уравнению, в котором присутствует как параметр:
(48)
Тогда, как нетрудно показать,
(49)
Отсюда, учитывая, что , находим
(50)
Отметим, что этот интеграл может быть также выражен через функцию ошибок [20]. Для вычисления будем использовать формулу (50), к которой применяем квадратурные формулы Гаусса.
3.3. Результаты расчетов
Построены графики напряженности самосогласованного электрического поля в слое. Вместо обозначения функции G(x) на рисунках будем использовать традиционное для напряженности обозначение E(x). Как видно из формулы (39), напряженность можно представить в виде суммы
.
Величина Ea это та составляющая самосогласованного поля, которая не зависит от координаты, являясь константой. Она показывает, какая часть внешнего поля проникает в плазменный слой. Второе слагаемое Eb(x) представляет собой гиперболический косинус, значение которого резко уменьшается при удалении от границы слоя. Это можно трактовать, как экранирование плазмой внешнего поля. Третье слагаемое Ec(x) имеет сложный характер, при малых частотах его вклад составляет доли процента, с ростом частоты внешнего поля его вклад растет. Но во всех случаях величина Ec(x) уменьшается при удалении от границы слоя.
Заметим, что при частоте внешнего поля, близкой к плазменной частоте, в слое начинают наблюдаться осцилляции по координате.
На графиках представлены зависимости от координаты как отдельных мод Eb(x) и Ec(x), так и суммарно всей напряженности E(x), значения частоты внешнего поля варьируются от 0.1 до 1.5 плазменной частоты ωp [8].
На фиг. 211 изображены отдельно моды Eb(x) и Ec(x) при разных значениях частоты внешнего поля. На фиг. 1217 изображены графики напряженности E(x), т.е. сумма всех слагаемых Ea(x) + Eb(x) + Ec(x).
Фиг. 2. Величина Eb(x) в зависимости от координаты x при ω = 0.1ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 3. Величина Eb(x) в зависимости от координаты x при ω = 0.9ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 4. Величина Eb(x) в зависимости от координаты x при ω = ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 5. Величина Eb(x) в зависимости от координаты x при ω = 1.1ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 6. Величина Ec(x) в зависимости от координаты x при ω = 0.1ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 7. Величина Ec(x) в зависимости от координаты x при ω = 0.9ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 8. Величина Ec(x) в зависимости от координаты x при ω = ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 9. Величина Ec(x) в зависимости от координаты x при ω = 1.1ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 10. Величина Ec(x) в зависимости от координаты x при ω = 1.3ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 11. Величина Ec(x) в зависимости от координаты x при ω = 1.5ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 12. Величина E(x) в зависимости от координаты x при ω = 0.1ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 13. Величина E(x) в зависимости от координаты x при ω = 0.9ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 14. Величина E(x) в зависимости от координаты x при ω = 1.0ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 15. Величина E(x) в зависимости от координаты x при ω = 1.1ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 16. Величина E(x) в зависимости от координаты при ω = 1.3ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Фиг. 17. Величина E(x) в зависимости от координаты x при ω = 1.5ωp, ν / ωp = 0.001, синим – вещественная часть, красным – мнимая.
Численное моделирование показывает, что при малых значениях частоты внешнего поля оно почти полностью экранируется и не проникает в плазму. Явно выражен приграничный слой, имеющий размер порядка дебаевского радиуса rD [1].
При увеличении частоты внешнего поля растет модуль постоянной составляющей Ea(x), увеличивается вклад слагаемого Ec(x), а также сильнее выражен эффект экранирования. При частоте внешнего поля, равной плазменной частоте ωp, возникает резонанс, который приводит к тому, что при частоте, немного превышающей плазменную, возникают осцилляции по координате.
При частоте внешнего поля, равной 1.3 и 1.5 от плазменной частоты, внешнее электрическое поле «проходит» через плазменный слой, что соответствует теоретическим данным [6].