High-Temperature Bending Tests of Reaction-Sintered Silicon Carbide-Based Ceramic Materials

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The high-temperature strength properties of silicon carbide-based ceramic materials reaction-sintered in air and vacuum are proved by experimental data. The ultimate bending strength of pressed and cast ceramic material samples at temperatures up to 1400°C was measured as a criterion. High-temperature tests demonstrate the guaranteed strength of ceramics above 100 MPa. An example of the manufacture of a complex shaped ceramic product using the hot slip casting processing under pressure into additive water-soluble forms is given. An approval of the combined technology makes it possible to manufacture bladed ceramic elements with a thickness of about 1 mm.

Авторлар туралы

M. Markov

NRC “Kurchatov Institute”- CRISM “Prometey”, 191015, St. Petersburg, Russia

Email: acjournal.nauka.nw@yandex.ru

S. Vikhman

St. Petersburg State Institute of Technology (Technical University), 191013, St. Petersburg, Russia

Email: acjournal.nauka.nw@yandex.ru

A. Belyakov

NRC “Kurchatov Institute”- CRISM “Prometey”, 191015, St. Petersburg, Russia

Email: acjournal.nauka.nw@yandex.ru

D. Dyuskina

NRC “Kurchatov Institute”- CRISM “Prometey”, 191015, St. Petersburg, Russia

Email: acjournal.nauka.nw@yandex.ru

A. Kashtanov

NRC “Kurchatov Institute”- CRISM “Prometey”, 191015, St. Petersburg, Russia

Email: acjournal.nauka.nw@yandex.ru

S. Perevislov

NRC “Kurchatov Institute”- CRISM “Prometey”, 191015, St. Petersburg, Russia

Email: acjournal.nauka.nw@yandex.ru

A. Chekuryaev

NRC “Kurchatov Institute”- CRISM “Prometey”, 191015, St. Petersburg, Russia

Email: acjournal.nauka.nw@yandex.ru

A. Bykova

NRC “Kurchatov Institute”- CRISM “Prometey”, 191015, St. Petersburg, Russia

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: acjournal.nauka.nw@yandex.ru

Әдебиет тізімі

  1. Руденко В. Н., Третьяченко Г. Н., Трощенко В. Т., Писаренко Г. С. Прочность материалов при высоких температурах / Под ред. акад. Г. С. Писаренко. АН УССР. Ин-т проблем материаловедения. Киев: Наук. думка, 1966. С. 505-541.
  2. Беляков А. Н., Марков М. А., Чекуряев А. Г., Быкова А. Д., Дюскина Д. А., Перевислов С. Н. Исследование реакционно-спеченных материалов B4C-SiC, полученных методом горячего шликерного литья // Физика и химия стекла. 2023. Т. 49. № 3. С. 346-356. EDN: SJSMJO
  3. Беляков А. Н., Марков М. А., Перевислов С. Н., Дюскина Д. А., Чекуряев А. Г., Быкова А. Д., Каштанов А. Д. Исследование структуры и физико-механических характеристик реакционно-спеченных материалов B4C-SiC // Новые огнеупоры. 2023. № 2. С. 29-33. https://doi.org/10.17073/1683-4518-2023-2-29-33
  4. Song S., Lu B., Gao Z., Bao C., Ma Y. Microstructural development and factors affecting the performance of a reaction-bonded silicon carbide composite // Ceram.Int. 2019. V. 45. N 14. P. 17987-17995. https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.06.017
  5. Wang Y.-X., Tan Sh.-H., Jiang D.-L. The Fabrication of reaction-formed silicon carbide with controlled microstructure by infiltrating a pure carbon preform with molten Si // Ceram.Int. 2004. V. 30. N 3. P. 435-439. https://doi.org/10.1016/S0272-8842(03)00128-7
  6. Perevislov S. N., Markov M. A., Krasikov A. V., Bykova A. D. Effect of SiC dispersed composition on physical and mechanical properties of reaction-sintered silicon carbide // Refract. Ind. Ceram. 2020. V. 61. N 2. P. 211-215. https://doi.org/10.1007/s11148-020-00458-4
  7. Markov M. A., Krasikov A. V., Kravchenko I. N., Erofeev M. N., Bykova A. D., Belyakov A. N. Development of novel ceramic construction materials based on silicon carbide for products of complex geometry //j. Machinery Manufacture Reliability. 2021. V.50. N 2. P. 158-163. https://doi.org/10.3103/S1052618821020096
  8. Пат.RU 2739774 C1 (опубл. 28.12.2020). Способ получения конструкционного керамического материала на основе карбида кремния для изделий сложной геометрии.
  9. Hijikata Y., Yagi S., Yaguchi H., Yoshida S. Physics and technology of silicon carbide devices //IntechOpen. 2012. P. 181-191. https://doi.org/10.5772/3428

© Russian Academy of Sciences, 2023

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>