Математическое моделирование процесса электрохимического синтеза тонких пленок Sb2S3
- Authors: Меджидзаде В.А.1, Алиев Г.С.1,2, Джавадова С.П.1, Джафарова С.Ф.1, Шыхалиев Н.И.3, Исмаилова Р.А.3, Алиев А.Ш.1, Тагиев Д.Б.1
-
Affiliations:
- Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева Министерства науки и образования Азербайджана
- Западно-Каспийский Университет
- Азербайджанский технический университет
- Issue: Vol 97, No 2 (2024)
- Pages: 170-176
- Section: Прикладная электрохимия и защита металлов от коррозии
- URL: https://journals.rcsi.science/0044-4618/article/view/262130
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044461824020075
- EDN: https://elibrary.ru/VUYQWO
- ID: 262130
Cite item
Full Text
Abstract
Проведено математическое моделирование и оптимизация технологического процесса электрохимического осаждения тонких пленок Sb2S3 гальваностатическим методом в различных условиях на никелевых электродах. На основании изучения влияния различных факторов (концентрация исходных компонентов, температура, плотность тока и т. д.) выбраны оптимальный режим электролиза и состав электролита для процесса совместного осаждения. Проведен статистический анализ полученного уравнения регрессии, вычислена средняя ошибка аппроксимации, оценено среднеквадратичное отклонение. Для оценки построенного уравнения множественной регрессии вычислен критерий Фишера и оценены коэффициенты регрессии. Полученное уравнение регрессии определяет содержание электролита и условия электролиза, позволяющие осаждать сплав Sb–S, содержащий в составе необходимое количество Sb. Математические расчеты были выполнены в программном пакете с использованием специально разработанного для этого процесса программного обеспечения.
Full Text
В последние годы халькогениды металлов привлекли большое внимание благодаря своим уникальным электрическим и оптическим свойствам [1–8]. Среди этих материалов сульфид сурьмы (Sb2S3) — важный полупроводниковый материал с хорошо известными квантовыми эффектами, фоточувствительностью, термоэлектрическими свойствами и т. д. [9–12].
Сульфид сурьмы (Sb2S3) имеет уникальную параллельную цепочечную структуру, в которой один атом Sb координирован в плоскости сильными ковалентными связями с тремя атомами S, а другой атом Sb координирован с пятью атомами S, из которых три атома связаны прочными ковалентными связями внутри одной цепи, а два других атома S связаны слабой ван-дер-ваальсовой связью с соседней параллельной цепью [13]. Из-за такой структуры Sb2S3 отличается сильным поглощением фотонов и электропроводностью, необходимыми для фотоанодов [14, 15].
Цель исследования — разработка уравнения регрессии процесса электроосаждения Sb2S3. Тонкие пленки Sb2S3 синтезированы электрохимическим методом [16, 17]. При электроосаждении происходит так называемая самосборка частиц, т. е. предварительно сформированные дисперсные частицы из источников катионов и анионов, смешанных с электролитом, послойно прикрепляются к растущей поверхности. В этом случае качество пленки зависит от свойств используемых наночастиц, а также от условий эксперимента, включая контроль величин тока или потенциала. При этом для получения тонких пленок определение оптимального режима синтеза требует проведения многочисленных экспериментов, отнимающих много времени. Во избежание этого на основе полученных результатов составляется математическая модель процесса электроосаждения, что сокращает число проводимых экспериментов и время, затраченное на исследования [18–21].
Математическое моделирование — мощный инструмент для вычисления максимальной рентабельности и решения различных проблем, возникающих при синтезе тонких пленок. Построение математической модели электрохимического процесса и выбор основных параметров, выраженных в виде математических функций, позволяет увеличить выход вещества и снизить его себестоимость [22]. При этом математическая модель должна не только точно описывать фактический процесс, но и обеспечивать точность расчетов, будучи достаточно простой. Используя методы математической статистики результатов процесса, можно легко определить влияние важных параметров (концентрация исходных компонентов, температура, плотность тока) на процесс и его протекание. На основе полученных экспериментальных результатов электроосаждения и для их подтверждения было составлено уравнение регрессии, вычислен критерий значимости и адекватности [23–27].
Экспериментальная часть
Исследование фазового состава, морфологии, рельефа и определение элементного состава (энергодисперсионная спектроскопия, ЭДС) электроосажденных образцов Sb2S3 проводили с помощью рентгенофазового (РФА) анализатора D2 Phaser (Bruker; фильтр CuKα, Ni-электрод) и сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) марки Carel Zeiss Sigma, а также фотокалориметрическим методом.
Для приготовления электролитов химические чистые исходные вещества SbOCl (2A Pharmachem) и Na2SO3 (ООО «АО Реахим») по отдельности растворяли в бидистиллированной воде, содержащей 0.007 М винной кислоты (х.ч.) (IndiaMART).
Вычислительный эксперимент. Для подтверждения экспериментальных данных исследуемого процесса на их основе было составлено регрессионное уравнение
Y = b0 + b1X1 + b2X2 + b3X3,(1)
где bi — эмпирические коэффициенты, Xi — факторы процесса, Y — количество Sb в пленке Sb2S3, а также рассчитаны критерии значимости и адекватности [23–27].
Вычисления выполнены с помощью специально разработанного для этого процесса программного обеспечения. При планировании полного факторного эксперимента (ПФЭ) данного процесса реализуются все возможные комбинации факторов на всех выбранных для исследования уровнях (табл. 1).
Таблица 1
Результаты проведенных экспериментов процесса электроосаждения Sb2S3
N | Плотность тока, мA·cм–2 | Концентрация SbOCl, М | Концентрация Na2SO3, М | Количество Sb в пленке Sb2S3, % | Относительная погрешность [Yэ – Yр]/Yэ | |
Yэ эксперимент | Yр расчет | |||||
1 | 1.5 | 0.025 | 0.025 | 42.3 | 53.04595 | 0.202578 |
2 | 2.5 | 0.025 | 0.025 | 45.0 | 48.36655 | 0.069605 |
3 | 5.0 | 0.025 | 0.025 | 47.8 | 36.66805 | 0.303587 |
4 | 6.0 | 0.025 | 0.025 | 42.5 | 31.98865 | 0.328596 |
5 | 8.0 | 0.025 | 0.025 | 15.1 | 22.62985 | 0.33274 |
6 | 1.5 | 0.05 | 0.05 | 69.8 | 70.07129 | 0.003872 |
7 | 2.5 | 0.05 | 0.05 | 67.7 | 65.39189 | 0.035297 |
8 | 5.0 | 0.05 | 0.05 | 62.5 | 53.69339 | 0.164017 |
9 | 7.0 | 0.05 | 0.05 | 37.6 | 44.33459 | 0.151904 |
10 | 1.5 | 0.06 | 0.04 | 74.2 | 79.16089 | 0.062668 |
11 | 2.5 | 0.06 | 0.04 | 72.5 | 74.48149 | 0.026604 |
12 | 5.0 | 0.06 | 0.04 | 69.8 | 64.78299 | 0.07187 |
13 | 6.0 | 0.06 | 0.04 | 61.9 | 58.10359 | 0.065339 |
14 | 7.0 | 0.06 | 0.04 | 47.5 | 53.42419 | 0.11089 |
15 | 1.5 | 0.04 | 0.06 | 62.1 | 60.98169 | 0.018338 |
16 | 2.5 | 0.04 | 0.06 | 60.1 | 56.30229 | 0.067452 |
17 | 6.0 | 0.04 | 0.06 | 42.5 | 39.92439 | 0.064512 |
18 | 7.0 | 0.04 | 0.06 | 25.7 | 35.24499 | 0.270818 |
Уравнение регрессии для данного процесса составлено и оценено методом множественной регрессии. В частности, полученный вектор оценок коэффициентов регрессии имеет вид
Y(X) = | 1.154 | –0.0556 | –9.299 | –10.641 | × | 946.6 | = | 43.04 |
— | 0.0112 | 0.0359 | 0.132 | 3664.15 | –4.679 | |||
–9.299 | 0.0359 | 374.08 | –168.714 | 43.868 | 794.987 | |||
–10.641 | 0.132 | –168.714 | 410.012 | 41.158 | –113.973 |
Отсюда следует, что уравнение регрессии (оценка уравнения регрессии) имеет следующий вид:
Y = b0 + b1X1 + b2X2 + b3X3 = 43.0397 – 4.6794X1 + 794.9869X2 –113.9731X3,(2)
где X1 — плотность тока (мA·cм–2), X2 и Х3 — исходные концентрации SbOCl и Na2SO3 соответственно, Y — конечное количество Sb2S3 (%).
Также проведен статистический анализ полученного уравнения регрессии: проверка значимости уравнения и его коэффициентов, исследование абсолютных и относительных ошибок аппроксимации. Для нахождения несмещенной оценки дисперсии были осуществлены следующие вычисления (табл. 2).
Таблица 2
Результаты вычислений несмещенной дисперсии
Y | Y(x) | ε = Y – Y(x) | ε2 | (Y – Yср)2 | |ε:Y| |
42.3 | 53.046 | –10.746 | 115.477 | 105.861 | 0.154 |
45 | 48.367 | –3.367 | 11.334 | 57.591 | 0.0748 |
47.8 | 36.668 | 11.132 | 123.916 | 22.933 | 0.233 |
42.5 | 31.989 | 10.511 | 110.483 | 101.786 | 0.247 |
15.1 | 22.63 | –7.53 | 56.703 | 1405.417 | 0.329 |
69.8 | 70.071 | –0.271 | 0.0736 | 296.222 | 0.00389 |
67.7 | 65.392 | 2.308 | 5.327 | 228.346 | 0.0341 |
62.5 | 53.694 | 8.806 | 77.553 | 98.23 | 0.141 |
37.6 | 44.335 | –6.735 | 45.359 | 224.667 | 0.119 |
74.2 | 79.161 | –4.961 | 24.611 | 467.04 | 0.0669 |
72.5 | 74.482 | –1.982 | 3.927 | 396.452 | 0.0273 |
69.8 | 62.783 | 7.017 | 49.236 | 296.222 | 0.101 |
61.9 | 58.104 | 3.796 | 14.411 | 86.697 | 0.0613 |
47.5 | 53.424 | –5.924 | 35.099 | 25.897 | 0.125 |
62.1 | 60.982 | 1.118 | 1.25 | 90.461 | 0.018 |
60.1 | 56.302 | 3.798 | 14.422 | 56.417 | 0.0632 |
42.5 | 39.925 | 2.575 | 6.633 | 101.786 | 0.0606 |
25.7 | 35.245 | –9.545 | 91.112 | 723.012 | 0.371 |
— | — | — | 786.926 | 4785.038 | 1.56 |
Средняя ошибка аппроксимации была рассчитана по формуле
(3)
и оценено среднеквадратичное отклонение:
. (4)
Обсуждение результатов
В выражении (2) коэффициент b1 показывает, что с увеличением плотности тока на 1 мA·cм–2 количество Sb2S3 уменьшается на 0.046%; коэффициенты b2 и b3 свидетельствуют о том, что с увеличением концентраций SbOCl и Na2SO3 на 0.1 моль·л–1 количество осажденного Sb2S3 увеличивается на 7.94 и 1.14% соответственно. Это показывает, что самым чувствительным параметром, влияющим на выход Sb2S3, является исходная концентрация SbOCl. Из рис. 1 видно, что максимальному выходу Sb соответствует плотность тока 4.5 мA·см–2.
Рис. 1. Зависимость выхода Sb от плотности тока в пленке Sb2S3.
На рис. 2 показана зависимость выхода Sb от концентрации SbOCl; видно, что с увеличением концентрации SbOCl выход Sb в пленке Sb2S3 тоже повышается.
Рис. 2. Зависимость выхода Sb от концентрации SbOCl в пленке Sb2S3.
Рис. 3 показывает, что максимальному выходу Sb в пленке соответствует исходная концентрация Na2SO3 0.042 моль·л–1.
Рис. 3. Зависимость выхода Sb от исходной концентрации Na2SO3 в пленке Sb2S3.
Если факторные признаки различны по своей сущности и имеют различные единицы измерения, то коэффициенты регрессии bi при разных факторах являются несопоставимыми. Поэтому уравнение регрессии дополняют соизмеримыми показателями тесноты связи фактора с результатом, позволяющими ранжировать факторы по силе влияния на результат.
Далее была проведена проверка значимости параметров множественного уравнения регрессии (2).
Число степеней свободы системы равно v = n – m – 1, где n — количество экспериментов, m — число оцениваемых параметров.
Считается, что при оценке множественной линейной регрессии для обеспечения статистической надежности необходимо, чтобы число наблюдений по крайней мере в 3 раза превосходило число оцениваемых параметров. Проверка общего качества уравнения множественной регрессии проведена с помощью критерия Фишера [26].
, (5)
, (6)
где F — критерий Фишера, R — множественный коэффициент корреляции.
При степенях свободы k1 = 3 и k2 = n – m – 1 = 18 – – 3 – 1 = 14 табличное значение критерия Фишера Fkp(k1; k2) = Fkp(3; 14) = 5.56 [26].
Поскольку фактическое значение F > Fkp, коэффициент детерминации статистически значим и уравнение регрессии статистически надежно.
Выводы
В результате расчетов получено уравнение множественной регрессии: Y = 43.0397 – 4.6794X1 + + 794.9869X2 – 113.9731X3. Анализ данного уравнения показывает, что с увеличением плотности тока на 1 мA·cм–2 количество Sb2S3 уменьшается на 0.046%, с увеличением начальной концентрации SbOCl на 0.1 моль·л–1 количество Sb2S3 увеличивается на 7.94%, а с увеличением начальной концентрации Na2SO3 на 0.1 моль·л–1 количество Sb2S3 увеличивается на 1.14%. Это означает, что самым чувствительным параметром, влияющим на выход Sb2S3, является начальная концентрация SbOCl. Статистическая значимость уравнения проверена с помощью коэффициента детерминации и критерия Фишера. Установлено, что в исследуемой ситуации 83.55% общей вариабельности выходного количества Sb–S объясняется изменением плотности тока и начальных концентраций SbOCl и Na2SO3.
Конфликт интересов
Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов, требующего раскрытия в данной статье.
Информация о вкладе авторов
В. А. Меджидзаде написала и оформила статью; Г. С. Алиев построил графики и интерпретировал их; С. П. Джавадова проводила электрохимическое осаждение тонких пленок; С. Ф. Джафарова проводила термический отжиг осажденных тонких пленок; Н. И. Шыхалиев и Р. А. Исмаилова изучили математическое моделирование и оптимизацию технологического процесса полученных тонких пленок; А. Ш. Алиев предложил метод электрохимического получения тонких пленок и помог в обсуждении полученных результатов; Д. Б. Тагиев интерпретировал полученные результаты анализов.
About the authors
Вюсала Асим кызы Меджидзаде
Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева Министерства науки и образования Азербайджана
Author for correspondence.
Email: vuska_80@mail.ru
ORCID iD: 0000-0001-5639-3104
Scopus Author ID: 57193275482
ResearcherId: P-9196-2019
к.х.н., доцент
Azerbaijan, 1143, г. Баку, пр. Г. Джавида, д. 113Гошгар Сейфулла оглы Алиев
Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева Министерства науки и образования Азербайджана; Западно-Каспийский Университет
Email: vuska_80@mail.ru
ORCID iD: 0000-0002-2237-3444
Scopus Author ID: 55646110800
ResearcherId: AAA-1293-2019
к.х.н., доцент
Azerbaijan, 1143, г. Баку, пр. Г. Джавида, д. 113; 1001, г. Баку, ул. Истиглалият, д. 31Севиндж Пири кызы Джавадова
Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева Министерства науки и образования Азербайджана
Email: vuska_80@mail.ru
ORCID iD: 0000-0001-7974-6072
Scopus Author ID: 57221292178
ResearcherId: CXU-8057-2022
Azerbaijan, 1143, г. Баку, пр. Г. Джавида, д. 113
Самира Фикрет кызы Джафарова
Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева Министерства науки и образования Азербайджана
Email: vuska_80@mail.ru
ORCID iD: 0009-0001-3928-2960
ResearcherId: CWN-4046-2022
к.х.н.
Azerbaijan, 1143, г. Баку, пр. Г. Джавида, д. 113Низами Исмаил оглы Шыхалиев
Азербайджанский технический университет
Email: vuska_80@mail.ru
ORCID iD: 0009-0003-4474-1855
к.ф-м.н., доцент
Azerbaijan, 1073, г. Баку, пр. Г. Джавида, д. 25Рена Ашраф кызы Исмаилова
Азербайджанский технический университет
Email: vuska_80@mail.ru
ORCID iD: 0000-0001-5841-3420
к.м.н.
Azerbaijan, 1073, г. Баку, пр. Г. Джавида, д. 25Акиф Шихан оглы Алиев
Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева Министерства науки и образования Азербайджана
Email: vuska_80@mail.ru
ORCID iD: 0000-0003-0560-5263
Scopus Author ID: 56385376400
ResearcherId: W-7967-2019
д.х.н., проф.
Azerbaijan, 1143, г. Баку, пр. Г. Джавида, д. 113Дильгам Бабир оглы Тагиев
Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева Министерства науки и образования Азербайджана
Email: vuska_80@mail.ru
ORCID iD: 0000-0002-8312-2980
Scopus Author ID: 6508009961
ResearcherId: HTP-0119-2023
акад.
Azerbaijan, 1143, г. Баку, пр. Г. Джавида, д. 113References
- Chen J.-H., Chiu S.-K., Luo J.-D., Huang S.-Y., Ting H.-A., Hofmann M., Hsieh Y.-P., Ting C.-C. Robust formation of amorphous Sb2S3 on functionalized graphene for high-performance optoelectronic devices in the cyan-gap // Sci. Reports. 2020. V. 10. Article number: 14873. https://doi.org/10.1038/s41598-020-70879-1
- Lee J., Kim D., Park J., Oh J.-W., Kang Y.-C. Tailoring the surface characteristics of CuSe thin films by adjusting the compositional ratio // Phys. Status Solidi A. 2021. 218. 2100148. https://doi.org/10.1002/pssa.202100148
- Park J., Seo J., Lim J.-H., Yoo B. Synthesis of copper telluride thin films by electrodeposition and their electrical and thermoelectric properties // Front Chem. 2022. V. 10. 799305. https://doi.org/10.3389/fchem.2022.799305
- Hossain M. I., Siddiquee K. A. M. H., Islam O., Gafur M. A., Qadir M. R., Ahmed N. A. Characterization of electrodeposited ZnTe thin films // J. Opt. 2019. V. 48. P. 295–301. https://doi.org/10.1007/s12596-019-00550-0
- Bala M., Bhogra A., Khan S. A., Tripathi T. S., Tripathi S. K., Avasthi D. K., Asokan K. Enhancement of thermoelectric power of PbTe thin films by Ag-ion implantation // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. 215301. https://doi.org/10.1063/1.4984050
- Khadir A. Performance investigation of Sb2S3 and Sb2Se3 earth abundant based thin film solar cells // Opt. Mater. 2022. V. 127. 112281. https://doi.org/10.1016/j.optmat.2022.112281
- Jing Y., Jie W. H., Jia S. W., Liang X. X. Superamphiphobic, light-trapping FeSe2 particles with a micro-nano hierarchical structure obtained by an improved solvothermal method // Chin. Phys. B. 2014. V. 23. 016803. https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/1/016803
- Zeynalova A. O., Javadova S. P., Majidzade V. A., Aliyev A. Sh. Electrochemical synthesis of iron monoselenide thin films // Chem. Problems. 2021. V. 19. N 4. P. 262–271. https://doi.org/10.32737/2221-8688-2021-4-262-271
- Wallace A. G., King R. P., Zhelev N., Jaafar A. H., Levason W., Huang R., Reid G., Bartlett P. N. Anodic Sb2S3 electrodeposition from a single source precursor for resistive random-access memory devices // Electrochim. Acta. 2022. V. 432. 141162. https://doi.org/10.1016/j.electacta.2022.141162
- de Araújo Moisés A., Lucas Francisco W. S., Mascaro Lucia H. Effect of the electrodeposition potential on the photoelectroactivity of the SnS/Sb2S3 thin films // J. Solid State Electrochem. 2020. V. 24. P. 389–399. https://doi.org/10.1007/s10008-020-04508-2
- Avilez Garcia R. G., Meza Avendaño C. A., Pal Mou, Paraguay Delgado F., Mathews N. R. Antimony sulfide (Sb2S3) thin films by pulse electrodeposition: Effect of thermal treatment on structural, optical and electrical properties // Mater. Sci. Semicond. Process. 2016. V. 44. P. 91–100. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.12.018
- Zhou B., Hayashi T., Hachiya K., Sagawa T. Preparation of Sb2S3 nanorod arrays by hydrothermal method as light absorbing layer for Sb2S3-based solar cells // Thin Solid Films. 2022. V. 757. 139389. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2022.139389
- Sharma V., Das T. K., Ilaiyaraja P., Dakshinamurthy A. C., Sudakar C. Growth of Sb2S3 semiconductor thin film on different morphologies of TiO2 nanostructures // Mater. Res. Bull. 2020. V. 131. ID 110980. https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2020.110980
- Zakaznova-Herzog V. P., Harmer S. L., Nesbitt H. W., Bancroft G. M., Flemming R., Pratt A. R. High resolution XPS study of the large-band-gap semiconductor stibnite (Sb2S3): Structural contributions and surface reconstruction // Surf. Sci. 2006. V. 600. N 2. P. 348–356. https://doi.org/10.1016/j.susc.2005.10.034
- Park Y. S., Jin X., Tan J., Lee H., Yun J., Ma S., Jang G., Kim T., Shim S. G., Kim K., Lee J., Lee Ch. U., Hwang S.-J., Moon J. High-performance Sb2S3 photoanode enabling iodide oxidation reaction for unbiased photoelectrochemical solar fuel production // Energy Environ. Sci. 2022. N 15. P. 4725–4737. https://doi.org/10.1039/d1ee02940a
- Меджидзаде В. А., Джавадова С. П., Джафарова С. Ф., Алиев А. Ш., Тагиев Д. Б. Электрохимическое осаждение тонких пленок Sb2S3 // ЖПХ. 2022. Т. 95. № 10. C. 1329–1336. https://doi.org/10.31857/S0044461822100127 [Majidzade V. A., Javadova S. P., Jafarova S. F., Aliyev A. Sh., Tagiyev D. B. Electrochemical deposition of Sb2S3 thin films // Russ. J. Appl. Chem. 2022. V. 95. N 10. P. 1627–1633. https://doi.org/10.1134/S1070427222100147].
- Majidzade V. A., Jafarova S. F., Javadova S. P., Aliyev A. Sh., Tagiyev D. B. The latest progress on synthesis and investigation of Sb2S3-based thin films // Chem. Problems. 2023. V. 21. N 2. P. 99–122. https://doi.org/10.32737/2221-8688-2023-2-99-122
- Javadova S. P., Majidzade V. A., Aliyev Q. S., Aliyev A. Sh., Tagiyev D. B. Mathematical modeling of the electrodeposition process of bismuth-selenium system // Chem. Problems. 2021. V. 19. N 1. P. 47–55. https://doi.org/10.32737/2221-8688-2021-1-47-55
- Majidzade V. A., Aliyev G. S., Aliyev A. Sh., Huseynova R. H., Mammadova Z. M. Mathematical modeling and optimization of the electrodeposition process of antimony-selenium system // Azerb. Chem. J. 2021. N 1. P. 30–36. https://doi.org/10.32737/0005-2531-2021-1-30-36
- Jafarova S. F. Mathematical modeling for the electrochemical deposition process of molybdenum-sulfur system // Processes of Petrochem. and Oil Refining. 2019. V. 20. N 2. P. 138–144.
- Majidzade V. A., Javadova S. P., Aliyev G. S., Aliyev A. Sh., Tagiyev D. B. Electrodeposition of Sb–Se thin films from organic electrolyte // Chem. Africa. 2022. V. 5. P. 2085–2094. https://doi.org/10.1007/s42250-022-00480-8
- Меджидзаде В. А., Алиев Г. С., Джавадова С. П., Алиев А. Ш., Дадашова С. Д., Тагиев Д. Б. Математическое моделирование и оптимизация процесса формирования функциональных тонких пленок // Математическое моделирование. 2022. Т. 34. № 6. C. 111–119. https://doi.org/10.20948/mm-2022-06-07 [Majidzade V. A., Aliyev G. S., Javadova S. P., Aliyev A. Sh., Dadashova S. D., Tagiyev D. B. Mathematical modeling and optimization of the process of formation of functional thin MoSe2 films // Math. Models. Comput. Simul. 2023. V. 15. P. 73–78. https://doi.org/10.1134/S2070048223010118
- Самарский А. А. Введение в численные методы. М.: Лань, 2005. 288 с.
- Самарский А. А., Михайлов А. П. Математическое моделирование. Идеи. Методы. Примеры. М.: Физматгиз, 1997. 320 с.
- Быков В. И., Журавлев В. М. Моделирование и оптимизация химико-технологических процессов. Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2002. 298 с.
- Ахназарова С. Л., Кафаров В. В. Методы оптимизации эксперимента в химической технологии. М.: Высш. шк., 1985 327 с.
- Кафаров В. В. Методы кибернетики в химии и химической технологии. Л.: Химия, 1971. 190 c.
Supplementary files
