Высокотемпературное масс-спектрометрическое изучение испарения оксикарбидной керамики на основе МАХ-фаз

Изучены процессы испарения карбидных материалов химического состава Ti₂SiC, Ti₃SiC₂, Ti₂AlC, Ti₃AlC₂, Zr₂AlC и Zr₃AlC₂, содержащих МАХ-фазы, а также оксикарбидных систем на их основе с добавлением HfO₂ масс-спектрометрическим эффузионным методом Кнудсена до температуры 2200 K. Установлено, что основной молекулярной формой пара над образцами состава Ti₂AlC, Ti₃AlC₂, Zr₂AlC и Zr₃AlC₂ при температуре 1٥00 K является атомарный алюминий. Образцы, содержащие кремний, менее летучи, по сравнению с карбидными материалами с алюминием, и переходят в пар при температурах >1900 K с образованием газообразных Si, Si₂, SiC₂ и Si₂C. Введение оксидa гафния в изученные карбиды приводит к появлению в паре кислородсодержащих молекулярных форм, в частности Al₂O и SiO, и уменьшению общего давления пара над образующимися системами. Показано, что наиболее труднолетучими являются образцы оксикарбидной системы Ti₂SiC–HfO₂, а среди оксикарбидных систем, содержащих алюминий, – образцы системы Zr₂AlC–HfO₂ при содержании оксида гафния до 10 мол. % и системы Ti₂AlC–HfO₂ при большем содержании HfO₂.