GeTe–Bi2Te3–Te System

Cover Page

Cite item

Full Text

Abstract

Alloys of the GeTe–Bi2Te3–Te system, synthesized using a special technique that makes it possible to obtain them in a state as close as possible to equilibrium, have been studied using the methods of differential thermal and X-Ray diffraction analysis, as well as scanning electron microscopy. A solid-phase equilibria diagram, a projection of the liquidus surface, some polythermal sections and an isothermal section at 300 K of the phase diagram were constructed. The fields of primary crystallization of phases, types and coordinates of non— and monovariant equilibria are determined. It has been established that monovariant equilibria on curves emanating from the peritectic and eutectic points of the GeTe–Bi2Te3 boundary system undergo transformations at certain transition points. Near the tellurium corner of the concentration triangle, a cascade of invariant transition reactions has been identified, characterizing the joint crystallization of two-phase mixtures of telluride phases and elemental tellurium.

Full Text

ВВЕДЕНИЕ

Слоистые тройные соединения с тетрадимитоподобной структурой, образующиеся в системах AIV–BV–Te (AIV = Ge, Sn, Pb; BV = Sb, Bi), давно находятся в сфере внимания исследователей как термоэлектрические материалы с аномально низкой теплопроводностью [1–9]. Открытие в начале нашего столетия нового квантового состояния вещества – топологического изолятора [10, 11] – дало новый импульс к изучению этих соединений. В ряде работ [12–21], посвященных изучению соединений типа AIVBV2Te4, AIVBV4Te7, AIVBV6Te10 и др., показано, что они являются трехмерными топологическими изоляторами и весьма перспективны для применения в спинтронике, квантовых компьютерах, сканирующих устройствах, используемых в медицине, системах безопасности и т.д. Кроме того, исследования последних лет показали, что теллуриды германия с сурьмой и висмутом относятся к классу материалов с фазовой памятью. Эти материалы, обладающие обратимым фазовым переходом между аморфным и кристаллическим состояниями, в настоящее время рассматриваются в качестве потенциальной энергонезависимой альтернативы традиционной флэш-памяти, а некоторые из них нашли применение как оптические фильтры и компоненты памяти [22–28].

На начальном этапе исследований по разработке новых сложных фаз, в частности халькогенидных, важную роль играют данные по фазовым равновесиям в соответствующих системах [29–31].

Исследованию фазовых равновесий в системах AIV–BV–Te, в частности Ge–Bi–Te, посвящены многочисленные работы [32–37], часть которых обобщена в [38]. Согласно [32], фазовая диаграмма квазибинарного разреза GeTe–Bi2Te3 указанной системы характеризуется образованием соединений Ge3Bi2Te6, GeBi2Te4 и GeBi4Te7, плавящихся с разложением по перитектическим реакциям, а также широких областей твердых растворов на основе обоих исходных бинарных соединений. В работе [33] построены политермические разрезы Ge–Bi2Te3, часть разреза GeТе–BiTe и проекция поверхности ликвидуса в области составов Ge–GeТе–Bi2Te3–Bi, изучена также растворимость на основе Bi2Te3 и BiTe. В работе [34] для твердых растворов на основе GeTe исследованы различные зависимости состав–свойство и построена изотерма растворимости при 770 K. В [35] приведены результаты термодинамического исследования некоторых тройных соединений системы GeТе–Bi2Te3 методом калориметрии. Фазовые равновесия в системе Ge–Bi–Te при температурах 570–770 K исследованы авторами [36] методами рентгенофазового анализа и металлографии. Эту серию исследований завершает работа [37], в которой на основе критического анализа данных по фазовым равновесиям в системе Ge–Bi–Te и ее боковым бинарным системам представлено топологическое изображение фазовой диаграммы, использованное для построения политермических и изотермических разрезов, в также поверхности ликвидуса указанной тройной системы.

В начале нашего столетия была опубликована серия работ, в которых представлены результаты детальных рентгенографических исследований указанной системы [39–41]. Авторы [40], приняв за основу фазовую диаграмму системы GeТе–Bi2Te3, построенную в [32], представили ее компилятивную фазовую диаграмму, на которой помимо указанных тройных соединений отмечены составы некоторых других тройных соединений без указания характера и температур их образования.

В обзорной статье [29] на основании критического анализа имеющейся литературы показано, что данные по фазовым диаграммам большинства систем AIVTe–BV2Te3 противоречивы и нуждаются в уточнении. В связи с этим нами предприняты повторные детальные исследования фазовых равновесий в некоторых системах типа AIVTe–BV2Te3 с применением специально разработанной методики синтеза равновесных образцов [42–46].

Согласно новой версии (рис. 1) фазовой диаграммы системы GeТе–Bi2Te3 [46], она характеризуется наличием шести тройных соединений и ограниченных областей твердых растворов на основе исходных соединений. Соединения Ge2Bi2Te5, GeBi2Te4, GeBi4Te7 и GeBi6Te10 плавятся инконгруэнтно по перитектическим реакциям при температурах 863, 854, 848 и 843 K, а соединения Ge4Bi2Te7 и Ge3Bi2Te6 разлагаются по твердофазной реакции. Показано, что между α1- и α2-фазами на основе высоко- и низкотемпературной модификаций GeTe происходит морфотропный фазовый переход при составе ∼9 мол. % Bi2Te3. Кристаллографические параметры тройных соединений [45, 46] приведены в табл. 1.

 

Рис. 1. Фазовая диаграмма системы GeTe–Bi2Te3 [46]. В верхнем правом углу приведена Т-х-диаграмма по данным [32]

 

Таблица 1. Кристаллографические параметры фаз в системе GeTe–Bi2Te3 [45, 46]

Состав

Сингония, пр. гр., параметры решетки, Å

GeTe

Ромбоэдральная, R3m, a = 4.1628(3), c = 10.6675(8)

Ge4Bi2Te7

Ромбоэдральная, R3m, a = 4.2638(2), c = 73.271(3)

Ge3Bi2Te6

Ромбоэдральная, R3m, a = 4.2730(3), c = 62.634(4)

Ge2Bi2Te5

Тригональная, P3¯m1, a = 4.2986(2), c = 17.335(3)

GeBi2Te4

Ромбоэдральная, R3m, a = 4.3176(3), c = 41.259(5)

GeBi4Te7

Тригональная, P3¯m1, a = 4.3556(2), c = 23,928(4)

GeBi6Te10

Ромбоэдральная, R3m, a = 4.3572(3), c = 101.911(2)

90 мол. % Bi2Te3

Ромбоэдральная, R3m, a = 4.3693(2), c = 30.2132(2)

 

В работах [47, 48] методом ЭДС определены стандартные термодинамические функции образования и стандартные энтропии вышеуказанных соединений.

Для разработки методов направленного синтеза сложных фаз особенно важна информация об их поверхностях ликвидуса и процессах кристаллизации, поэтому мы продолжили исследование системы Ge–Bi–Te. Целью настоящей работы явилось построение проекции поверхности ликвидуса, изотермического сечения при 300 K и некоторых политермических сечений фазовой диаграммы в области составов GeTe–Bi2Te3–Tе.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Синтез сплавов проводили в два этапа. Сначала сплавлением элементарных германия (CAS 7440–56–4), висмута (CAS 7440–69–9) и теллура (CAS 13494–80–9) высокой степени чистоты в вакуумированных до давления ~10–2 Па кварцевых ампулах синтезировали бинарные соединения GeTe и Bi2Te3 и идентифицировали их методами дифференциального термического и рентгенофазового анализа. Затем сплавлением этих соединений и элементарного теллура в различных соотношениях также в вакуумированных кварцевых ампулах получали сплавы системы GeTe–Bi2Te3–Те.

На втором этапе синтеза мы исходили из данных [45, 46, 49, 50] о том, что объемные образцы слоистых тетрадимитоподобных фаз, полученные традиционным методом сплавления, даже после длительного (2000–3000 ч) термического отжига не достигают равновесного состояния. Это объясняется тем, что ван-дер-ваальсовы фазы, полученные в условиях неравновесной кристаллизации (обычное охлаждение расплава), в отличие от обычных объемных фаз, практически не претерпевают изменений при дальнейшей термической обработке из-за очень слабой диффузии между слоями. С учетом этого в вышеуказанных работах для обеспечения высокой степени дисперсности сплавов, содержащих слоистые фазы, образцы после сплавления были закалены от жидкого состояния с последующим термическим отжигом.

В настоящей работе образцы после сплавления были закалены из жидкого состояния (в интервале температур 900–1050 K в зависимости от состава) вбрасыванием ампул в ледяную воду, а затем подвержены термическому отжигу при 620 K в течение 1000 ч и охлаждены в режиме выключенной печи.

Методы. Исследования проводили методами дифференциального термического анализа (ДТА), рентгенфазового анализа (РФА) и сканирующей электронной микроскопии (СЭМ).

ДТА образцов в вакуумированных кварцевых сосудах проводили на дифференциальном сканирующем калориметре DSC Netzsch 404 F1 Pegasus System и на установке многоканального ДТА, собранной на основе электронного регистратора данных TC-08 Thermocouple Data Logger. Порошковые дифрактограммы снимали на дифрактометре Bruker D8 с CuKα-излучением в интервале углов 2θ = 10°–70°. Индицирование дифрактограмм и уточнение параметров решетки проводили с помощью программного обеспечения Topas 4.2 методом Le Bail. СЭМ-изображения были получены на сканирующем электронном микроскопе Tescan Vega 3 SBH.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

На основании совокупности данных ДТА, РФА и СЭМ отожженных образцов по различным сечениям (рис. 2) с использованием литературных данных по боковым системам GeTe–Te [51, 52], Bi2Te3–Te [52] и GeTe–Bi2Te3 [46] получена взаимосогласованная картина фазовых равновесий в подсистеме GeTe–Bi2Te3–Te (рис. 3–10, табл. 2).

 

Рис. 2. Изученные разрезы и составы сплавов

 

Рис. 3. Диаграмма твердофазных равновесий в системе GeTe–Bi2Te3–Tе

 

Рис. 4. Порошковые дифрактограммы сплавов, указанных на рис. 3

 

Рис. 5. СЭМ-изображения некоторых сплавов, указанных на рис. 3

 

Рис. 6. Поверхность ликвидуса системы GeTe–Bi2Te3–Tе. Поля первичной кристаллизации: 1 — α1 2); 2 — β; 3 — Ge2Bi2Te5; 4 — GeBi2Te4; 5 — GeBi4Te7; 6 — GeBi6Te10; 7 — Те

 

Рис. 7. Политермический разрез Ge2Bi2Te5–Te фазовой диаграммы системы GeTe–Bi2Te3–Tе

 

Рис. 8. Политермический разрез GeBi2Te4–Te фазовой диаграммы системы GeTe–Bi2Te3–Tе

 

Рис. 9. Политермический разрез GeBi4Te7–Te фазовой диаграммы системы GeTe–Bi2Te3–Tе

 

Рис. 10. Политермический разрез GeBi6Te10–Te фазовой диаграммы системы GeTe–Bi2Te3–Tе

 

Таблица 2. Нон- и моновариантные равновесия в системе GeTe–Bi2Te3–Te

Точки и кривые на рис. 6

Равновесие

T, K

p1

p2

p3

p4

e1

L + α1 ↔ Ge2Bi2Te5

L + Ge2Bi2Te5 ↔ GeBi2Te4

L + GeBi2Te4 ↔ GeBi4Te7

L + GeBi4Te7 ↔ GeBi6Te10

L ↔ GeBi6Te10 + β

863

854

848

843

838

e2

e3

U1

U2

U3

L ↔ α2 + Te

L ↔ β + Te

L + β ↔ GeBi6Te10 + Te

L + GeBi6Te10 ↔ GeBi4Te7 + Te

L + GeBi4Te7 ↔ GeBi2Te4 + Te

653

686

677

670

662

U4

E

L + GeBi2Te4 ↔ Ge2Bi2Te5 + Te

L ↔ α2 + Ge2Bi2Te5 + Te

653

645

p1K1

p2K2

p3K3

L + α1 ↔ Ge2Bi2Te5

L + Ge2Bi2Te5 ↔ GeBi2Te4

L + GeBi2Te4 ↔ GeBi4Te7

863–815

854–827

848–830

p4K4

e1K5

K5U1

K4U2

L + GeBi4Te7 ↔ GeBi6Te10

L ↔ GeBi6Te10 + β

L + β ↔ GeBi6Te10

L + GeBi6Te10 ↔ GeBi4Te7

843–830

838–830

830–677

830–670

K3U3

K2U4

K1E

L + GeBi4Te7 ↔ GeBi2Te4

L + GeBi2Te↔ Ge2Bi2Te5

L ↔ α1 2) + Ge2Bi2Te5

830–662

827–653

815–645

e3U1

U1U2

U2U3

U3U4

U4E

e2E

L ↔ β + Te

L ↔ GeBi6Te10 + Te

L ↔ GeBi4Te7 + Te

L ↔ GeBi2Te4 + Te

L ↔ Ge2Bi2Te5 + Te

L ↔ α2 + Te

686–677

677–670

670–662

662–653

653–638

653–638

 

Ниже в тексте, на рисунках и в таблицах приняты следующие обозначения фаз: α1 и α2 – твердые растворы на основе высокотемпературной и низкотемпературной модификаций GeTe, β – твердые растворы на основе Bi2Te3, I–VI – тройные соединения Ge4Bi2Te7, Ge3Bi2Te6, Ge2Bi2Te5, GeBi2Te4, GeBi4Te7 и GeBi6Te10 соответственно (рис. 3).

Диаграмма твердофазных равновесий. Диаграмма твердофазных равновесий при комнатной температуре (рис. 3) характеризуется наличием стабильных коннод между элементарным теллуром и всеми кристаллическими фазами граничной системы GeTe–Bi2Te3. Области гомогенности тройных соединений I–IV не превышают ∼1 мол. % [45, 46], поэтому соответствующие двухфазные состояния практически вырождены в конноды типа тройное соединение–элементарный теллур.

Фазовые области на рис. 3 подтверждены методами РФА и СЭМ. На рис. 4 представлены порошковые дифрактограммы, на рис. 5 – СЭМ-изображения некоторых выборочных сплавов, состав которых указан на рис. 3.

Как видно из рис. 4, дифрактограммы сплавов, находящихся на коннодах, состоят из двухфазных смесей соответствующих тройных соединений и элементарного теллура, а дифракционная картина сплава 2 из трехфазной области Ge2Bi2Te5–GeBi2Te4–Те содержит линии отражения всех трех сосуществующих фаз.

Поверхность ликвидуса. Ликвидус данной системы (рис. 6) состоит из семи поверхностей первичной кристаллизации фаз. Наиболее широкие поля (1) и (2) относятся к α12)- и β-твердым растворам соответственно. Поля (3)–(6), расположенные между этими поверхностями, относятся к первичной кристаллизации соединений III–VI из расплава. Эти поверхности имеют вид узких полос, направленных от граничной системы GeTe–Bi2Te3 в сторону теллурового угла концентрационного треугольника.

Поля первичной кристаллизации фаз разграничены рядом кривых и точек, отражающих моно- и нонвариантные равновесия. Типы и температуры указанных равновесий приведены в табл. 2.

Согласно нашим данным (рис. 6), на всех кривых, исходящих из перитектических (р1р4) и эвтектической (е1) точек боковой системы GeTe–Bi2Te3, в определенных переходных точках (K1K5) происходит трансформация типов моновариантных равновесий.

Подобные трансформации связаны с особенностями фазовых равновесий в граничных составляющих исследуемой системы. В боковой системе GeTe–Bi2Te3 температуры перитектик (р1р4) и эвтектики (е1) уменьшаются в направлении от GeTe к Bi2Te3. В то же время температура эвтектики е2 (653 K) [37] в боковой системе GeTe–Te значительно ниже эвтектики е3 (686 K) [38] в боковой системе Bi2Te3–Te. С другой стороны, полученные нами данные ДТА показывают, что температуры точек нонвариантных равновесий с участием элементарного теллура также уменьшаются в направлении от эвтектики е3 к e3U1U2U3U4E и достигают минимального значения в точке тройной эвтектики Е (645 K) (рис. 6, табл. 2). Таким образом, направления изменения температур нонвариантных равновесий по боковой системе GeTe–Bi2Te3 и вблизи теллурового угла треугольника Гиббса противоположны. Это делает неизбежным трансформацию типов моновариантных равновесий на кривых, исходящих из точек р1, р2, р3, р4 и е1 [53, 54]. С учетом этого в табл. 2 указанные кривые разделены на две серии кривых, переходящих друг в друга в переходных точках К1К5 (рис. 6).

Рассмотрим некоторые кривые моновариантных равновесий. В определенной области (р1К1) кривой р1Е имеет место перитектическое равновесие L + α ↔ III. При пересечении этой кривой стабильного сечения III–Tе (точка К1) указанное равновесие переходит в эвтектическое L ↔ α + III (отрезок К1Е на кривой р1Е).

Аналогичная трансформация происходит на кривой p2U4. Перитектическое равновесие L + III ↔ IV в интервале р2К2 в точке К2 переходит сначала в эвтектическое (L ↔ III + IV), а затем в перитектическое равновесие L + IV ↔ III (кривая К2U4).

Для наглядной демонстрации процессов кристаллизации и уточнения хода кривых моновариантных равновесий и координат нонвариантных точек целесообразно рассмотреть некоторые политермические сечения фазовой диаграммы (рис. 712).

Политермические разрезы фазовой диаграммы. Интерпретация данных ДТА нагревания отожженных образцов с учетом проекции поверхности ликвидуса (рис. 6) и диаграммы твердофазных равновесий (рис. 3) позволила построить схематические Т–х-диаграммы некоторых сечений фазовой диаграммы. Четыре (Ge2Bi2Te5–Te, GeBi2Te4–Te, GeBi4Te7–Te и GeBi6Te10–Te) из шести рассмотренных сечений стабильны ниже солидуса. Два других разреза – GeTe–[B] и [A]–Bi2Te3 ([A] и [B] – сплавы с соотношением 1 : 1 компонентов граничных систем GeTe–Te и Bi2Te3–Te соответственно) – пересекают поля первичной кристаллизации практически всех фаз и отражают большинство нон— и моновариантных равновесий.

Разрез Ge2Bi2Te5–Te (рис. 7). Сравнение с поверхностью ликвидуса (рис. 6) показывает, что этот разрез проходит через поля первичной кристаллизации фаз α1, III, V и элементарного теллура. После первичной кристаллизации α1-фазы кристаллизация продолжается по перитектической реакции L + α1 ↔ III (рис. 6, кривая p1K2). В ходе этого процесса формируется трехфазная область L + α1 + III. После полного взаимодействия α1-фазы система переходит в двухфазное состояние L + III. Затем кристаллизация протекает по перитектической кривой K2U4 (рис. 7, горизонталь при 720 K), в результате которой образуется трехфазная область L + + III + IV.

В богатой элементарным теллуром области после первичной кристаллизации теллура при ~660 K начинается моновариантный эвтектический процесс L ↔ IV + Te (рис. 6, кривая U3U4). Кристаллизация по всему разрезу завершается при 653 K по нонвариантной переходной реакции U4 и образуется двухфазная смесь IV + Te.

Последовательность процессов кристаллизации по трем другим разрезам, соединяющим тройные соединения с элементарным теллуром (рис. 8–10), можно определить сопоставлением их с рис. 3, 6. Несмотря на то, что все они стабильны в субсолидусе, процессы кристаллизации имеют сложный многоступенчатый характер.

Разрез GeTe–[B] (рис. 11) пересекает поля первичной кристаллизации всех фаз, кроме элементарного теллура (рис. 6), а ниже солидуса проходят все фазовые области системы (рис. 3). Наибольшую протяженность имеет ликвидус α1-фазы. Области первичной кристаллизации других фаз разграничены с учетом рис. 6. Пары кривых, исходящих из точек 2–6 (рис. 11) и направленных в низкотемпературную область, отражают начало и конец моновариантных равновесий по кривым p1K1E (2), p2K2U4 (3), p3K3U3 (4), p4K4U2 (5) и p1K5U1 (6). Поля между указанными парами кривых отражают двухфазные равновесия L + III (IV, V, VI) и L + β.

 

Рис. 11. Политермический разрез GeTe–[B] фазовой диаграммы системы GeTe–Bi2Te3–Tе

 

Указанные пары кривых моновариантных равновесий в интервале температур 645–677 K достигают кривые моновариантных равновесий, исходящих из эвтектических точек е2 и е3 боковых систем и образуют серию точек, соответствующих составам расплавов в равновесных переходных (U1, U2, U3, U4) и эвтектическом (E) равновесиях (рис. 6). Этим равновесиям на рис. 11 соответствует каскад горизонталей при 677, 670, 662, 653 и 645 K соответственно.

Разрез [A]–Bi2Te3 (рис. 12). Характер фазовых равновесий в этом разрезе качественно аналогичен таковому на рис. 11. Разница состоит лишь в температурно-концентрационных интервалах первичной кристаллизации фаз и моновариантных равновесий.

 

Рис. 12. Политермический разрез Bi2Te3–[A] фазовой диаграммы системы GeTe–Bi2Te3–Tе

 

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании экспериментальных данных, полученных в ходе изучения тщательно гомогенизированных сплавов методами ДТА, РФА и СЭМ, установлена картина фазовых равновесий в области составов GeTe–Bi2Te3–Tе системы Ge–Bi–Te. Построены диаграмма твердофазных равновесий при 300 K и проекция поверхности ликвидуса указанной подсистемы, а также ряд политермических сечений ее фазовой диаграммы. Определены поля первичной кристаллизации семи фаз, в том числе четырех теллуридов германия-висмута, установлены типы и координаты нон- и моновариантных равновесий. Показано, что моновариантные равновесия на кривых, исходящих из пертектических и эвтектической точек боковой системы GeTe–Bi2Te3, претерпевают трансформации в определенных точках перехода. В области составов, богатых теллуром, в относительно узком температурном интервале кристаллизация протекает по каскаду нонвариантных переходных реакций, характеризующих совместную кристаллизацию двухфазных смесей III (IV, V, VI) + Te.

Данная работа завершает наши исследования по комплексному изучению фазовых равновесий и термодинамических свойств системы GeTe–Bi2Te3–Tе, промежуточные фазы которой представляют значительный практический интерес как топологические изоляторы, термоэлектрики и материалы с фазовой памятью.

БЛАГОДАРНОСТЬ

Работа выполнена при поддержке Азербайджанского фонда науки (грант № AEF-MCG-2022–1(42)-12/10/4-M-10).

КОНФЛИКТ ИНТЕРЕСОВ

Авторы заявляют, что у них нет конфликта интересов.

×

About the authors

E. N. Orujlu

Azerbaijan State Oil and Industry University

Author for correspondence.
Email: babanlymb@gmail.com
Azerbaijan, Baku

T. M. Alakbarova

Baku State University

Email: babanlymb@gmail.com
Azerbaijan, Baku

M. B. Babanly

Baku State University; Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry; Azerbaijan State University of Economics

Email: babanlymb@gmail.com
Azerbaijan, Baku; Baku; Baku

References

  1. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1968. 616 с.
  2. Шевельков А.В. // Успехи химии. 2008. T. 77. № 1. С. 3. https://doi.org/10.1070/RC2008v077n01ABEH003746
  3. Шелимова Л.Е., Карпинский О.Г., Кретова и др. // Неорган. материалы. 1993. Т. 29. № 1. С. 54.
  4. Sootsman J.R., Chung D.Y., Kanatzidis M.G. // Angew. Chem. Int. Ed. 2009. V. 48. P. 8616. https://doi.org/10.1002/anie.200900598
  5. Kuznetsov V.L., Kuznetsova L.A., Rowe D.M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. 700. https://doi.org/10.1088/0022-3727/34/5/306
  6. Ma W., Record M.-C., Tian J. et al. // Materials. 2021. V. 4. P. 4086. https://doi.org/10.3390/ma14154086
  7. Xu B., Feng T., Li Z. et al. // Angew. Chem. Int. Ed. 2018. V. 57. P. 10938. https://doi.org/10.1002/anie.201805890
  8. Yang X., Su X., Yan Y. et al. // J. Inorg. Mater. 2021. V. 36. P. 75. http://dx.doi.org/10.15541/jim20200252
  9. Kihoi S.K., Shenoy U.S., Kahiu J.N. // ACS Appl. Electron. Mater. 2023. V. 5. № 8. P. 4504. https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00685
  10. Kane C.L., Moore J.E. // Physics World. 2011. V. 24. P. 32.
  11. Moore J.E. // Nature. 2010. V. 464. P. 194. https://doi.org/10.1038/nature08916
  12. Heremans J.P., Cava R.J., Samarth N. // Nat. Rev. Mater. 2017. V. 2. P. 17049. https://doi.org/10.1038/natrevmats.2017.49
  13. Politano A., Caputo M., Nappini S. et al. // J. Phys. Chem. C. 2014. V. 118. P. 21517. https://doi.org/10.1021/jp506444f
  14. Shvets I.A., Klimovskikh I.I., Aliev Z.S. et al. // Phys. Rev. B: Condens. Matter. 2017. V. 96. P. 235124. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.235124
  15. Hattori Y., Tokumoto Y., Edagawa K. // Phys. ReV. Mater. 2017. V. 1. P. 074201. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.1.074201
  16. Pacile D., Eremeev S.V., Caputo M. et al. // Phys. Status Solidi: Rapid Res. Lett. 2018. P. 1800341. https://doi.org/10.1002/pssr.201800341
  17. Shvets I.A., Klimovskikh I.I., Aliev Z.S. et al. // Phys. ReV. B: Condens. Matter. 2019. V. 100. № 19. P. 195127. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.195127
  18. Jahangirli Z.A., Alizade E.H., Aliev Z.S. et al. // J. Vacuum Sci. Technol. B. 2019. V. 37. P. 062910. https://doi.org/10.1116/1.5122702
  19. Wu Z., Liang G., Pang W.K. et al. // AdV. Mater. 2019. V. 32. № 2. P. 1905632. https://doi.org/10.1002/adma.201905632
  20. Klimovskikh I.I., Otrokov M.M., Estyunin D. et al. // npj Quantum Mater. 2020. V. 5. P. 54. https://doi.org/10.1038/s41535-020-00255-9
  21. Hattori Y., Tokumoto Y., Kimoto K. et al. // Sci ReP. 2020. V. 10. P. 7957. https://doi.org/10.1038/s41598-020-64742-6
  22. Tominaga J. // MRS Bulletin. 2018. V. 43. P. 347. http://dx.doi.org/10.1557/mrs.2018.94
  23. Jones R.O // Phys. ReV. B: Condens. Matter. 2020. V. 101. P. 024103. http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.101.024103
  24. Cao T., Wang P., Simpson R.E. et al. // Prog. Quant. Electron. 2020. V. 74. P. 100299. https://doi.org/10.1016/j.pquantelec.2020.100299
  25. Wang D., Zhao L., Yu S. et al. // Mater. Today. 2023. V. 68. P. 334. https://doi.org/10.1016/j.mattod.2023.08.001
  26. Sun C.W., Youm M.S., Kim Y.T.. // J. Phys.: Condens. Matter. 2007. V. 19. P. 446004. https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/44/446004
  27. Cui Y., Zhang Y., Cheng Zh. // AdV. Opt. Mater. 2023. V. 11. P. 2300481. https://doi.org/10.1002/adom.202300481
  28. Gavdush A.A., Komandin G.A., Bukin V.V. et al. // J. Appl. Phys. 2023. V. 134. P. 085103. https://doi.org/10.1063/5.0160772
  29. West D.R.F. Ternary Phase Diagrams in Materials Science. Boca Raton: CRC Press, 2019. 236 p.
  30. Babanly M.B., Chulkov E.V., Aliev Z.S. et al. // Russ. J. Inorg. Chem. 2017. V. 62. № 13. P. 1703. https://doi.org/10.1134/S0036023617130034
  31. Babanly M.B., Yusibov Yu.A., Imamaliyeva S.Z. et al. // J. Phase Equilib. Diff. 2024. https://doi.org/10.1007/s11669-024-01088-w
  32. Abrikosov N.X., Danilova-Dobryakova G.T. // IzV. Akad. Nauk SSSR. Neorg. Mater. 1965. № 1. P. 57.
  33. Abrikosov N.Kh., Danilova-Dobryakova G.T. // IzV. Akad. Nauk SSSR. Neorg. Mater. 1970. V. 6. № 10. P. 1798.
  34. Рогачева У.И., Лаптев С.А., Дудкин Л.Д. и др. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1986. T. 22. № 11. C.1827.
  35. Skoropanov A.S., Valevsky B.L., Skums V.F. et al. // Thermоchim. Acta. 1985. V. 90. P. 331. https://doi.org/10.1016/0040-6031(85)87110-0
  36. Shelimova L.E., Karpinsky O.G., Kretova M.A., Avilov E.S. // J. Alloys Compd. 1996. V. 243. № 1–2. P. 194. https://doi.org/10.1016/S0925-8388(96)02394-8
  37. Kosyakov V.I., Shestakov V.A., Shelimova L.E. et al. // Inorg. Mater. 2000. V. 36. № 3. P. 201. https://doi.org/10.1007/BF02757921
  38. Шелимова Л.Е., Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении: системы на основе Si, Ge, Sn, Pb. М.: Наука, 1991. 368 с.
  39. Shelimova L.E., Karpinskii O.G., Kosyakov V.I. // J. Struct. Chem. 2000. V. 41. № 1. P. 81. https://doi.org/10.1007/BF02684732
  40. Shelimova L.E., Karpinskii O.G., Zemskov V.S. // Inorg. Mater. 2000. V. 36. № 3. P. 235. https://doi.org/10.1007/BF02757928
  41. Шелимова Л.Е., Карпинский О.Г., Константинов П.П. и др. // Неорган. материалы. 2004. T. 40. № 5. P. 530.
  42. Seidzade A.E., Orujlu E.N., Doert T., Babanly M.B. // J. Phase Equilib. Diff. 2021. V. 42. P. 373. https://doi.org/10.1007/s11669-021-00888-8
  43. Gojayeva I.M., Babanly V.I., Aghazade A.I., Orujlu E.N. // Azerbaijan Chem. J. 2022. № 2. P. 47. https://doi.org/10.32737/0005-2531-2022-2-47-53
  44. Orujlu E.N., Seidzade A.E., Babanly D.M. // J. Solid. State Chem. 2024. V. 330. P. 124494. https://doi.org/10.1016/j.jssc.2023.124494
  45. Alakbarova T.M., Meyer H.-J., Orujlu E.N. et al. // Phase Transit. 2021. V. 94. № 5. P. 366. https://doi.org/10.1080/01411594.2021.1937625
  46. Alakbarova T.M., Meyer H.-J., Orujlu E.N. et al. // Condens. Matter Interphases. 2022. V. 24. № 1. P. 11. https://doi.org/10.17308/kcmf.2022.24/9050
  47. Alakbarova T.M., Orujlu E.N., Babanly D.M. et al. // Phys. Chem. Solid State. 2022. V. 23. № 1. P. 25. https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.25-33
  48. Orujlu E.N., Babanly D.M., Alakbarova T.M. et al. // J. Chem. Thermodyn. 2024 (accepted).
  49. Hasanova G.S., Aghazade A.I., Imamaliyeva S.Z. et al. // JOM. 2021. V. 73. P.1511. https://doi.org/10.1007/s11837-021-04621-1
  50. Hasanova G.S., Aghazade A.I., Babanly D.M. et al. // J. Therm. Anal. Calorim. 2021. https://doi.org/10.1007/s10973-021-10975-0
  51. Bletskan D.I. // J. Ovonic Research. 2005. V. 1. № 5. P. 53.
  52. Binary Alloy Phase Diagrams / Ed. Massalski T.B. Ohio: ASM International. Materials Park, 1990. V. 3. 3589 p.
  53. Lutsyk V.I., Vorob’eva V.P., Shodorova S.Ya. // Russ. J. Phys. Chem. 2015. V. 89. P. 2331. https://doi.org/10.1134/S0036024415130245
  54. Lutsyk V.I., Vorob’eva V.P. // Russ. J. Phys. Chem. A. 2017. V. 91. P. 2593. https://doi.org/10.1134/S003602441713013

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
2. Fig. 1. Phase diagram of the GeTe–Bi2Te3 system [46]. In the upper right corner there is a T-x diagram based on the data [32]

Download (272KB)
3. Fig. 2. Studied sections and alloy compositions

Download (117KB)
4. Fig. 3. Diagram of solid–phase equilibria in the GeTe-Bi2Te3–Te system

Download (172KB)
5. Fig. 4. Powder diffractograms of alloys shown in Fig. 3

Download (455KB)
6. Fig. 5. SEM images of some alloys shown in Fig. 3

Download (376KB)
7. Fig. 6. The surface of the liquidus of the GeTe–Bi2Te3–Te system. Primary crystallization fields: 1 — a1 (a2); 2 — β; 3 — Ge2Bi2Te5; 4 — GeBi2Te4; 5 — GeBi4Te7; 6 — GeBi6Te10; 7 — Te

Download (173KB)
8. Fig. 7. Ge2Bi2Te5–Te polythermal section of the GeTe–Bi2Te3–Te phase diagram

Download (84KB)
9. Fig. 8. The GeBi2Te4–Te polythermal section of the GeTe–Bi2Te3–Te phase diagram

Download (104KB)
10. Fig. 9. The GeBi4Te7–Te polythermal section of the GeTe–Bi2Te3–Te phase diagram

Download (90KB)
11. Fig. 10. The GeBi6Te10–Te polythermal section of the GeTe–Bi2Te3–Te phase diagram

Download (78KB)
12. Fig. 11. Polythermal section of the GeTe–[B] phase diagram of the GeTe–Bi2Te3–Te system

Download (221KB)
13. Fig. 12. Polythermal section Bi2Te3–[A] of the phase diagram of the GeTe–Bi2Te3–Te system

Download (294KB)

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».