INTEGRAL RELATIONS METHOD FOR ESTIMATING PLASMA PARAMETERS OF A MICROWAVE RESONATOR DURING THE FORMATION OF A DOPED DELTA-LAYER IN DIAMOND

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

The possibility of combining TM and TE modes in a microwave plasma resonator for the growth of diamond with a doped δ-layer of p-type (boron) and minimal thickness by the CVD method has been considered. A model based on the integral relations method allows estimating the parameters of the resulting plasma ball, as well as the position of the substrate bearing the diamond growth surface relative to the plasma ball, and the dependence of this position on gas pressure—particularly the preference for low-pressure operation (not accounted for in applied plasma packages) for better adherence of the plasma ball to the substrate.

Sobre autores

N. Alekseev

Saint Petersburg State Electrotechnical University "LETI"; Ioffe Physical-Technical Institute, RAS

Autor responsável pela correspondência
Email: NIAlekseyev@yandex.ru
Saint Petersburg, Russia; Saint Petersburg, Russia

A. Broiko

Saint Petersburg State Electrotechnical University "LETI"

Email: NIAlekseyev@yandex.ru
Saint Petersburg, Russia

I. Oreshko

Saint Petersburg State Electrotechnical University "LETI"; Ioffe Physical-Technical Institute, RAS

Email: NIAlekseyev@yandex.ru
Saint Petersburg, Russia; Saint Petersburg, Russia

Bibliografia

  1. Shikata S. //Diamond & Related Materials. 2016. Т. 65. С. 168.
  2. Koizumi S. et al. (ed.). Power electronics device applications of diamond semiconductors. Woodhead publishing, 2018. 468 p.
  3. Алексеев Н. И., Лучинин В. В. Электроника алмаза. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, 2019. 144 с.
  4. Хмельницкий Р. А., Талипов Н. Х., Чучева Г. В. Синтетический алмаз для электроники и оптики. М.: ИКАР, 2017. 228 с.
  5. Kabir M., Sikder U., Fallon J. // J. Neural Eng. 2019. V. 16. No. 6. P. 066002. doi.org/10.1088/1741-2552/ab2e79
  6. Лучинин В., Колядин А., Ягудаев Ю., Ильин С. // Электроника. Наука|технология|бизнес. 2023. № 4. С. 00225. doi: 10.22184/1992-4178.2023.225.4.70.89.
  7. Aleksov A., Vescan A., Kohn E. // Diamond & Related Materials. 1999. Т. 8. № 2—5. С. 941.
  8. Гуляев Ю. В., Чучева Г. В., Афанасьев М. С. и др. // Радиотехника и электроника. 2014. Т. 59. № 3. С. 304.
  9. Lobaev M. A., Gorbachev A. M., Vikharev A. L. et al. // EPJ Web of Conferences. — EDP Sciences. 2017. Т. 149. С. 02014.
  10. Moran D. A.J., Fox O. J.L., McLelland H., et al. // IEEE Electron Device Letters. 2011. V. 32. № 5. P. 599.
  11. Pietzka C., Scharpf J., Fikry M. et al. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. P. 114503.
  12. Vikharev A. L., Gorbachev A. M., Lobaev M. A. et al. // Phys. Status Solidi RRL. 2016. Vol. 10. No. 4. P. 324. doi: 10.1002/pssr.201510453
  13. Горбачев А. М., Лобаев М. А., Радищев Д. Б., и др. // Изв. вузов. Радиофизика. 2020. Т. LXIII. № 7. C. 589.
  14. Vikharev A. L., Lobaev M. A., Gorbachev A. M., et al. // Materials Today Communications. DOI: https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2019.100816.
  15. Lobaev M. A., Radishev D. B., S. A. Bogdanov, et al. // Phys. Status Solidi (RRL).2020. V.14. P. 2000347. doi: 10.1002/pssr.202000347
  16. Alekseyev N. I., Grigoriev A. D., Ivanov A. S., Oreshko I. V. // J. of Advanced Materials and Technologies. 2022. V. 7. No. 1. Р. 36. doi: 10.17277/issn.2782-2192
  17. Reiser Y. P. Fizika gazovogo razryada = Physics of Gas Discharge. 2nd ed. M.: Nauka, 1992. 536 p. (In Russ.)
  18. Baksht F.G, Dyuzhev G.A, Martsinovsky A.M, et al. (eds.) Termoemissionnye preobrazovateli i nizkotemperaturnaya plazma. Thermoelectric converters and low-temperature plasma. M.: Nauka, 1973. 480 p. (In Russ.)
  19. Алексеев Н. И., Бройко А. П., Орешко И. В. // Журн. физ. химии.2025. В печати.
  20. Гуревич А. Г. Физика твердого тела: учеб. Пособие для студентов физ. специальностей ун-тов и техн. ун-тов. Нев. Диалект, 2004. 318 с.
  21. Биберман Л. М., Boробьев В. С., Якубов И. Т. Кинетика неравновесной низкотемпературной плазмы. М.: Наука, 1982. С. 92.
  22. Lombardi G., Hassouni K., Stancu G-D et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. No. 5. P. 053303. doi: 10.1063/1.2034646
  23. Silva F., Hassouni K., Bonnin X and Gicquel A. // J. of physics: condensed matter. 2009. V. 21. No. 36. P. 364202. doi: 10.1088/0953-8984/21/36/364202
  24. Hassouni K., Silva F. and Gicquel A. //J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. Vol. 43 P. 153001 (45 p). Topical Review. http://iopscience.iop.org/0022-3727/43/15/153001)
  25. Савинов В. П. Физика высокочастотного емкостного разряда. М.: Физматлит. 2013. 308 с.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).