Регулирование реакции фторирования с помощью поверхностной миграции атомарного фтора
- Авторы: Чилингаров Н.С.1, Кнотько А.В.2, Борщевский А.Я.1, Сидоров Л.Н.1
-
Учреждения:
- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Химический факультет
- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Факультет наук о материалах
- Выпуск: Том 97, № 9 (2023)
- Страницы: 1343-1348
- Раздел: ФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯ ДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМ И ПОВЕРХНОСТНЫХ ЯВЛЕНИЙ
- URL: https://journals.rcsi.science/0044-4537/article/view/136672
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044453723090030
- EDN: https://elibrary.ru/XJHSVR
- ID: 136672
Цитировать
Аннотация
Фторирование атомарным фтором представляется перспективным способом функционализации материалов, поскольку такие процессы протекают в широком диапазоне температур с активационным барьером, близким к нулю. В статье продемонстрирована возможность управления фторированием платины атомарным фтором с помощью поверхностной миграции (диффузии) адсорбированных атомов фтора (Fадс). Изменение концентрации фтора в зоне реакции достигается изменением направления и величины диффузионного потока Fадс за счет образования альтернативных зон реакции. Возникновение диффузионных потоков определяется площадью контакта поверхностей с основной и альтернативной реакционными зонами, обеспечивающими проводимость для Fадс. Разработанный подход позволил экспериментально установить достижение равновесия в реакции PtF4(г.) + 2F(г.) = PtF6(г.) и измерить константу равновесия.
Об авторах
Н. С. Чилингаров
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Химический факультет
Email: andrey.borschevsky@gmail.com
Россия, Москва
А. В. Кнотько
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Факультет наук о материалах
Email: andrey.borschevsky@gmail.com
Россия, Москва
А. Я. Борщевский
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Химический факультет
Email: andrey.borschevsky@gmail.com
Россия, Москва
Л. Н. Сидоров
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Химический факультет
Автор, ответственный за переписку.
Email: andrey.borschevsky@gmail.com
Россия, Москва
Список литературы
- Weinstock B., Malm J.G., Weaver E.E. // J. Amer. Chem. Soc. 1961. P. 4310.
- Jones W.E., Scolnik E.G. // Chem. Rev. 1976. P. 563.
- Безмельницин В.Н., Легасов В.А., Чайванов B.B. // Докл. акад. наук СССР. 1977. Т. 235. С. 96.
- Feng W., Long P., Feng Y. et al. // Adv. Sci. 2016. V. 3. P. 1500413.
- Alimi Ar.R., Gerber R.B., Apkarian V.A. // J. Chem. Phys. 1990. V. 92. P. 3551.
- Feld J., Kunttu H., Apkarian V.A. // Ibid. 1990. V. 93. P. 1009.
- Misochko E.Ya., Akimov A.V., Wight C.A. // Chem. Phys. Lett. 1997. V. 274. P. 23.
- Misochko E.Ya., Akimov A.V., Wight C.A. // J. Phys. Chem. A. 1999. V. 103. P. 7972.
- Chilingarov N.S., Knot’ko A.V., Shlyapnikov I.M. et al. // Ibid. 2015. V. 119. P. 8452.
- Chilingarov N.S., Borschevsky A.Ya., Romanovsky B.V. et al. // J. Phys. Chem. C. 2018. V. 122. P. 26372.
- Chilingarov N.S., Rau J.V., Sidorov L.N. et al. // J. Fluorine Chem. A. 2000. V. 104. P. 291.
- Чилингаров Н.С., Рау Д.В., Никитин А.В. и др. // Журн. физ. химии. 1997. Т. 71. С. 1455.
- Tressaud A., Pintchovski F., Lozano L. et al. // Mat. Res. Bull. 1976. V. 11. P. 689.
- Чилингаров Н.С., Скокан Е.В., Рау Д.В. и др. // Журн. физ. химии. 1992. Т. 66. С. 1127.
- Drowart J., Chattilon C., Hastie J. et al. // Pure Appl. Chem. 2005. V. 77. P. 683.
- Гурвич Л.В. // Вестн. АН СССР. 1983. № 3. С. 54.