Отправить статью по E-mail ИССЛЕДОВАНИЕ АНИЗОТРОПИИ ФОРМЫ НАНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ EXAFS-СПЕКТРОСКОПИИ
- Авторы: Свит К.А1, Журавлев К.С1
-
Учреждения:
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
- Выпуск: Том 165, № 1 (2024)
- Страницы: 65-72
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0044-4510/article/view/256898
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044451024010073
- ID: 256898
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
На примере модельной системы, представляющей собой множество нанокристаллов (НК), имеющих форму прямоугольного параллелепипеда и кубическую кристаллическую структуру типа цинковой обманки, продемонстрированы возможности определения анизотропии формы НК с помощью методики поляризованных спектров EXAFS. Показано, что эффективное значение координационного числа поглощающих атомов в анизотропном по форме НК зависит от его размеров и ориентации вектора поляризации рентгеновского излучения относительной поверхности НК. Смоделированы эффективные значения координационных чисел первой координационной сферы атомов в НК, имеющих разные размеры и состав поверхности. Проанализированы возможности применимости модели к анализу реальных систем с НК с учетом влияния экспериментальной погрешности метода EXAFS.
Об авторах
К. А Свит
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Email: svitkirill1989@gmail.com
630090, Новосибирск, Россия
К. С Журавлев
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук630090, Новосибирск, Россия
Список литературы
- M. A. Cotta, ACS Appl. Nano Mater. 3, 4920 (2020).
- D. S. Abramkin and V. V. Atuchin, Nanomaterials12, 3794 (2022).
- W. C. Chao, T. H. Chiang, Y. C. Liu, Z. X. Huang,C. C. Liao, C. H. Chu, C. H. Wang, H. W. Tseng, W. Y. Hung, and P. T. Chou, Commun. Mater. 2, 96 (2021).
- Al. L. Efros, M. Rosen, M. Kuno, M. Nirmal,D. J. Norris, and M. Bawendi, Phys. Rev. B 54, 4843 (1996).
- E. S. Smotkin, C. Lee, A. J. Bard, A. Campion,M. A. Fox, T. E. Mallouk, S. E. Webber, and J. M. White, Chem. Phys. Lett. 152, 265 (1988).
- J. J. Shiang, S. H. Risbud, and A. P. Alivisatos, J. Chem. Phys. 98, 8432 (1993).
- P. Facci and M. P. Montana, Solid State Commun.108, 5 (1998).
- A. Aleksandrov, V. G. Mansurov, and K. S. Zhuravlev, Physica E 75, 309 (2016).
- V. G. Mansurov, Yu. G. Galittsyn, A. Yu. Nikitin,K. S. Zhuravlev, and Ph. Vennegues, Phys. Stat. Sol. (c) 3, 1548 (2006).
- S. Hovmoller, X. Zou, and T. E. Weirich, Adv. ImaginElectron Phys. 123, 257 (2002).
- A. V. Nabok, A. K. Ray, and A. K. Hassan, J. Appl.Phys. 88, 1333 (2000).
- T. M. Usher, D. Olds, J. Liku, and K. Page, ActaCryst. A74, 322 (2018).
- C. L. Farrow, C. Shi, P. Juhas, X. Peng, and S. J. L. Billinge, J. Appl. Crystallogr, 47, 561 (2014).
- C. Shi, E. L. Redmond, A. Mazaheripour, P. Juhas,T. F. Fuller, and S. J. L. Billinge, J. Phys. Chem. C 117, 7226 (2013).
- M. Khalkhali, Q. Liu, H. Zeng, and H. Zhang, Sci.Rep. 5, 14267 (2015).
- A. Jentys, Phys. Chem. Chem. Phys. 1, 4059 (1999).
- G. Agostini, A. Piovano, L. Bertinetti, R. Pellegrini,G. Leofanti, E. Groppo, and C. Lamberti, J. Phys. Chem. C 118, 4085, (2014).
- R. B. Gregor and F. W. Lytle, J. Catal. 63, 476, (1980).
- M. Shirai, T. Inoue, H. Onishi, K. Asakura, and Y. Iwasawa, J. Catal. 145, 159 (1994).
- C. Giansante and I. Infante, J. Phys. Chem. Lett. 8, 8209 (2017).
- C. J. P. Clark and W. R. Flavell, Chem. Rec. 18, 1 (2018).
- N. S. Marinkovic, K. Sasaki, and R. R. Adzic, J.Electrochem. Soc. 165, J3222 (2018).
- D. Kido and K. Asakura, Acc. Mater. Surf. Res. 5, 148 (2020).
