SIL'NOE OTRITsATEL'NOE MAGNITOSOPROTIVLENIE IPRYZhKOVYY TRANSPORT V GRAFENIZIROVANNYKhNEMATIChESKIKh AEROGELYaKh
- Autores: Tsebro V.1, Nikolaev E.1, Kutuzov M.1, Sadakov A.1, Sobolevskiy O.1
-
Afiliações:
- Edição: Volume 165, Nº 2 (2024)
- Páginas: 266-275
- Seção: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0044-4510/article/view/256486
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044451024020123
- ID: 256486
Citar
Resumo
Исследованы транспортные свойства нематических аэрогелей, состоящих из покрытых графеновой оболочкой ориентированных нановолокон муллита. Показано, что магнитосопротивление этой системы хорошо аппроксимируется двумя вкладами - отрицательным, описываемым формулой для систем со слабой локализацией, и положительным, линейным по полю и ненасыщающимся в больших магнитных полях.Характер температурной зависимости длины сбоя фазы, полученной из анализа отрицательного вклада,указывает на главную роль электрон-электронного взаимодействия в разрушении фазовой когерентностии, предположительно, на переход при низких температурах от двухмерного режима слабой локализации к одномерному. Положительный линейный вклад в магнитосопротивление, по-видимому, обусловлен неоднородным распределением в токопроводящей среде локальной плотности носителей. Установлено также,что температурную зависимость сопротивления графенизированных аэрогелей для образцов с малым содержанием углерода, когда графеновое покрытие, по-видимому, является неполным, можно представить в виде суммы двух вкладов, один из которых характерен для слабой локализации, а второй описывается прыжковым механизмом, соответствующим закону Эфроса – Шкловского в случае гранулярной проводящей среды. Для образцов с большим содержанием углерода второй вклад отсутствует.
Sobre autores
V. Tsebro
Email: v.tsebro@mail.ru
E. Nikolaev
Email: nikolaev@kapitza.ras.ru
M. Kutuzov
A. Sadakov
O. Sobolevskiy
Bibliografia
- I. Hussainova, R. Ivanov, S. N. Stamatin et al., Carbon 88, 157 (2015).
- R. Ivanov, V. Mikli, J. K¨ubarsepp and I. Hussainova, Key Engin. Mater. 674, 77 (2016).
- V. S. Solodovnichenko, M. M. Simunin, D. V. Lebedev et al., Thermochim. Acta 675, 164 (2019).
- В. И. Цебро, Е. Г. Николаев, Л. Б. Луганский и др., ЖЭТФ 161, 266 (2022).
- S. Hikami, A.I. Larkin and Y. Nagaoka, Prog. Of Theor. Phys. 63, 707 (1980).
- P. A. Lee and T. V. Ramakrishnan, Rev. Mod. Phys. 57, 287 (1985).
- N. Ramakrishnan, Y. T. Lai, S. Lara et al., Phys. Rev. B 96, 224203 (2017).
- J. Ping, I. Yudhistira, N. Ramakrishnan et al., Phys. Rev. Lett. 113, 047206 (2014).
- A. Narayanan, M. D.Watson, S. F. Blake et al., Phys. Rev. Lett. 114, 117201 (2015).
- W. L. Zhu, Y. Cao, P. J. Guo et al., Phys. Rev. B 105, 125116 (2022).
- A. L. Friedman, J. L. Tedesco, P. M. Campbell et al., Nano Lett. 10, 3962, (2010).
- F. Kisslinger, C. Ott, C. Heide et al., Nat. Phys. 11, 650 (2015).
- S. Gu, K. Fan, Y. Yang et al., Phys. Rev. B 104, 115203 (2021).
- Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос, Электронные свойства легированных полупроводников, Наука, Москва (1979).
- B. I. Shklovskii and A. L. Efros, in Electronic Properties of Doped Semiconductors, Vol. 45 of Springer Series in Solid-State Sciences, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg GmbH (1984).
- J. Zhang and B. I. Shklovskii, Phys. Rev. B 70, 115317 (2004).
- I. S. Beloborodov, A. V. Lopatin, V. M. Vinokur, and K. B. Efetov, Rev. Mod. Phys. 79 469 (2007).
- T. Hu and B. I. Shklovskii, Phys. Rev. B 74, 054205 (2006).
- T. Hu and B. I. Shklovskii, Phys. Rev. B 74, 174201 (2006).
- I. L. Aleiner, B. L. Altshuler, and M. E. Gershenson, Waves in Random Media 9, 201 (1999).
- L. Piraux, F. Abreu Araujo, T. N. Bui et al., Phys. Rev. B 92, 085428 (2015).
- B. L. Altshuler, A. G. Aronov, and D. E. Khmelnitsky, J. Phys. C: Sol. St. Phys. 15, 7367 (1982).
- S. Lara-Avila, A. Tzalenchuk, S. Kubatkin et al., Phys. Rev. Lett. 107, 166602 (2011).
- A. M. R. Baker, J. A. Alexander-Webber, T. Altebaeumer et al., Phys. Rev. B 86, 235441 (2012).
- F. V. Tikhonenko, D. W. Horsell, R. V. Gorbachev, and A. K. Savchenko, Phys. Rev. Lett. 100, 056802 (2008).
- D.-K. Ki, D. Jeong, J.-H. Choi et al., Phys. Rev. B 78, 125409 (2008).
- R. Tarkiainen, M. Ahlskog, A. Zyuzin et al., Phys. Rev. B 69 033402 (2004).
- F. V. Tikhonenko, A. A. Kozikov, A. K. Savchenko, and R. V. Gorbachev, Phys. Rev. Lett. 103 226801 (2009).
- R. Xu, A. Husmann, T. F. Rosenbaum et al., Nature 390 57 (1997).
- A. Husmann, J. B. Betts, G. S. Boebinger et al., Nature 417, 421 (2002).
- M. M. Parish and P. B. Littlewood, Nature 426, 162 (2003).
- M. M. Parish and P. B. Littlewood, Phys. Rev. B 72, 094417 (2005).
- V. Guttal and D. Stroud, Phys. Rev. B 71, 201304 2005.