Email this article 
SKOROST' PEREDAChI ENERGII OT ELEMENTARNYKh VOZBUZhDENIY FONONAM V SIL'NO LEGIROVANNOM BOROM SVERKhPROVODYaShchEM ALMAZE
- Authors: Kukushkin V.A1, Kukushkin Y.V1
-
Affiliations:
- Issue: Vol 167, No 5 (2025)
- Pages: 711–719
- Section: ELECTRONIC PROPERTIES OF SOLIDS
- URL: https://journals.rcsi.science/0044-4510/article/view/295404
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044451025050098
- ID: 295404
Cite item
Open Access
Access granted
Subscription Access
Abstract
Найдена скорость передачи энергии от элементарных возбуждений фононам (т. е. кристаллической решетке) в сильно легированном бором сверхпроводящем алмазе. Вычисления проведены с помощью методов квантовой теории поля при ненулевых температурах с использованием температурных функций Грина и техники Мацубары. В результате показано, что эта скорость ограничивает допустимую амплитуду переменных электрических полей в сверхпроводящем алмазе величинами порядка 10 В/см, при превышении которых произойдет разогрев элементарных возбуждений до температур выше критической, т. е. разрушение сверхпроводящего состояния.
References
- M. Imada, A. Fujimori, and Y. Tokura, Rev. Mod. Phys. 70, 1039 (1998).
- P. P. Edwards and M. J. Sienko, Phys. Rev. B 17, 2575 (1978).
- D. Pines, Phys. Rev. 109, 280 (1958).
- M. L. Cohen, Phys. Rev. 134, A511 (1964).
- M. L. Cohen, Rev. Mod. Phys. 37, 240 (1964).
- M. L. Cohen, in Superconductivity, ed. by R. D. Parks, Marcel Dekker, New York (1964), Vol. 1, p. 615.
- R. A. Hein, J. W. Gibson, R. Mazelsky et al., Phys. Rev. Lett. 12, 320 (1964).
- R. A. Hein, J. W. Gibson, R. S. Allgaier et al., in Low Temperature Physics, ed. by J. G. Daunt, D. O. Edwards, F. J. Milford et al., Plenum Press, New York (1965), LT9, p. 604.
- J. F. Schooley, W. R. Hosler, and M. L. Cohen, Phys. Rev. Lett. 12, 474 (1964).
- А. А. Абрикосов, Основы теории металлов, Наука, Москва (1987).
- E. A. Ekimov, V. A. Sidorov, E. D. Bauer et al., Nature 428, 542 (2004).
- B. Sac´ep´e, C. Chapelier, C. Marcenat et al., Phys. Status Solidi A 203, 3315 (2006).
- A. M. Stoneham, in Physics and Applications of CVD Diamond, ed. by S. Koizumi, C. Nebel, and M. Nesladek, WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim (2008), p. 1.
- E. Bustarret, in Physics and Applications of CVD Diamond, ed. by S. Koizumi, C. Nebel, and M. Nesladek, WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim (2008), p. 329.
- O. Madelung, Semiconductors: Data Handbook, Springer, Berlin (2004).
- S. Sakane, T. Ishibe, Y. Yukawa et al., Diam. Rel. Mater. 140 (A), 110410 (2023).
- Г. М. Элиашберг, ЖЭТФ 38, 966 (1960).
- Е. М. Лифшиц, Л. П. Питаевский, Статистическая физика. Часть 2, Физматлит, Москва (2002).
- А. Б. Мигдал, ЖЭТФ 34, 1438 (1958).
- V.V. Brazhkin, E.A. Ekimov, A.G. Lyapin et al., Phys. Rev. B 74, 140502(R) (2006).
- J. Pernot, P. N. Volpe, F. Omn`es et al., Phys. Rev. B 81, 205203 (2010).
- G. Chicot, A. Fiori, P. N. Volpe et al., J. Appl. Phys. 116, 083702 (2014).
- A. Kardakova, A. Shishkin, A. Semenov et al., Phys. Rev. B 93, 064506 (2016).
Supplementary files
