NELINEYNOE PROPUSKANIE TELLURIDA TsINKA, INDUTsIROVANNOE TERAGERTsEVYMI IMPUL'SAMI S VYSOKOY NAPRYaZhENNOST'Yu ELEKTRIChESKOGO POLYa

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

В работе представлены новые экспериментальные данные о взаимодействии импульсов терагерцевого излучения с кристаллом теллурида цинка ZnTe. Обнаружено, что с ростом напряженности электрического поля терагерцевого импульса коэффициент пропускания кристалла ZnTe увеличивается относительно его начального значения. Максимальное увеличение коэффициента пропускания наблюдается при напряженности поля 10 МВ/см и достигает ~2.5 раз.

Авторлар туралы

A. Ovchinnikov

Email: a.ovtch@gmail.com

O. Chefonov

Әдебиет тізімі

  1. Leitenstorfer A. et al. The 2023 Terahertz Science and Technology Roadmap // J. Phys. D. Appl. Phys. 2023. V. 56. № 22. P. 223001.
  2. Ovchinnikov A.V., Chefonov O.V., Mishina E.D., Agranat M.B. Second Harmonic Generation in the Bulk of Silicon Induced by an Electric Field of a High Power Terahertz Pulse // Sci. Rep. 2019. V. 9. № 1. 9753.
  3. Чефонов О.В., Овчинников А.В., Агранат М.Б. Электрооптический эффект в кремнии, наведенный импульсом терагерцевого излучения // ТВТ. 2021. Т. 59. № 6. С. 844.
  4. Овчинников А.В., Чефонов О.В., Агранат М.Б. Генерация второй оптической гармоники в кремнии при воздействии терагерцевого импульса с высокой напряженностью электрического поля // ТВТ. 2022. Т. 60. № 5. С. 666.
  5. Jazbinsek M. et al. Organic Crystals for THz Photonics // Appl. Sci. 2019. V. 9. P. 882.
  6. Zhang B. et al. 1.4-mJ High Energy Terahertz Radiation from Lithium Niobates // Laser Photonics Rev. 2021. V. 15. № 3. P. 1.
  7. Shalaby M., Hauri C.P. Demonstration of a Lowfrequency Three-dimensional Terahertz Bullet with Extreme Brightness // Nat. Commun. 2015. V. 6. № 5976. P. 5976.
  8. Koulouklidis A.D. et al. Observation of Extremely Efficient Terahertz Generation from Mid-infrared Two-color Laser Filaments // Nat. Commun. 2020. V. 11. № 1. P. 1.
  9. Vicario C. et al. Generation of 09-mJ THz Pulses in DSTMS Pumped by a Cr:Mg2SiO4 Laser // Opt. Lett. 2014. V. 39. № 23. P. 6632.
  10. Gallot G. et al. Measurements of the THz Absorption and Dispersion of ZnTe and Their Relevance to the Electro-optic Detection of THz Radiation // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. № 23. P. 3450.
  11. Polónyi G. et al. High-energy Terahertz Pulses from Semiconductors Pumped Above the Three-photon Absorption Edge // Opt. InfoBase Conf. Pap. 2016. V. 24. № 21. P. 11706.
  12. Neu J., Schmuttenmaer C.A. Tutorial: An Introduction to Terahertz Time Domain Spectroscopy (THzTDS) // J. Appl. Phys. 2018. V. 124. № 23. 231101.
  13. Selz F. et al. Terahertz-induced Nonlinear Response in ZnTe // Opt. Express. 2025. V. 33. № 5. P. 9575.
  14. Chen T. et al. First- and Second-order Photon– Phonon Interactions and Optical Parameters of ZnTe Crystal: A Broadband Terahertz Time-domain Spectroscopy Study // J. Phys. D. Appl. Phys. 2019. V. 52. № 45. 455101.
  15. Cornet M. et al. Terahertz-field-induced Second Harmonic Generation through Pockels Effect in Zinc Telluride Crystal // Opt. Lett. 2014. V. 39. № 20. P. 5921.
  16. Van Stryland E.W., Sheik-Bahae M. Z-scan Technique for Nonlinear Materials Characterization // Mater. Charact. Opt. Probe Tech. A Crit. Rev. 1997. V. 10291. № Cr 69. P. 102910Q.
  17. Chefonov O.V. et al. Giant Self-induced Transparency of Intense Few-cycle Terahertz Pulses in n-doped Silicon // Opt. Lett. 2017. V. 42. № 23. P. 4889.
  18. Агранат М.Б., Ашитков С.И., Иванов А.А., Конященко А.В., Овчинников А.В., Фортов В.Е. Тераваттная фемтосекундная лазерная система на хро м-форстерите // Квант. электроника. 2004. Т. 34. № 6. С. 506.
  19. Vicario C. et al. High Efficiency THz Generation in DSTMS, DAST, and OH1 Pumped by Cr:forsterite Laser // Opt. Express. 2015. V. 23. № 4. P. 4573.
  20. Ovchinnikov A.V. et al. Terahertz Generation Optimization in an OH1 Nonlinear Organic Crystal Pumped by a Cr:forsterite Laser // Opt. Lett. 2022. V. 47. № 21. P. 5505.
  21. Румянцев Б.В., Пушкин А.В., Сулейманова Д.З., Жидовцев Н.Г., Потемкин Ф.В. Генерация перестраиваемого мощного малопериодного терагерцового излучения в органических кристаллах при накачке мультигигаваттными чирпированными лазерными импульсами ближнего ИК диапазона на длине волны 1.24 мкм // Письма в ЖЭТФ. 2023. Т. 117. № 8. С. 571.
  22. Sitnikov D.S. et al. Estimation of THz Field Strength by an Electro-optic Sampling Technique Using Arbitrary Long Gating Pulses // Laser Phys. Lett. 2019. V. 16. № 11.
  23. Chefonov O.V. et al. Nonlinear Transfer of an Intense Few-cycle Terahertz Pulse through Opaque n-doped Si // Phys. Rev. B. 2018. V. 94. № 16.
  24. Schall M., Walther M., Uhd Jepsen P. Fundamental and Second-order Phonon Processes in CdTe and ZnTe // Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2001. V. 64. № 9. P. 1.
  25. Su F.H. et al. Terahertz Pulse Induced Intervalley Scattering in Photoexcited GaAs // Opt. Express. 2009. V. 17. № 12. P. 9620.
  26. Razzari L. et al. Nonlinear Ultrafast Modulation of the Optical Absorption of Intense Few-cycle Terahertz Pulses in n-doped Semiconductors // Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2009. V. 79. № 19. P. 3.
  27. Ho I.C., Zhang X.C. Driving Intervalley Scattering and Impact Ionization in InAs with Intense Terahertz Pulses // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. № 24. P. 2012.
  28. Hebling J. et al. Observation of Nonequilibrium Carrier Distribution in Ge, Si, and GaAs by Terahertz Pump-terahertz Probe Measurements // Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2010. V. 81. № 3. P. 1.
  29. Bahloul B., Deghfel B., Amirouche L., Bentabet A., Bouhadda Y., Bounab S., Fenineche N. Ab initio Study of the Structural, Electronic and Optical Properties of ZnTe Compound // AIP Conf. Proc. 2015. V. 1653. № 1. 020019.
  30. Emanuelsson P. et al. Optically Detected Cyclotron Resonance in Zinctelluride // Solid State Commun. 1994. V. 90. № 10. P. 635.
  31. Cardona M., Greenaway D.L. Fundamental Reflectivity and Band Structure of ZnTe, CdTe, and HgTe // Phys. Rev. 1963. V. 131. № 1. P. 98.
  32. Agranat M.B., Ovchinnikov A.V., Chefonov O.V. Ionization of a Silicon Surface Layer Induced by a HighIntensity Subpicosecond Electric Field // J. Infrared, Millimeter, Terahertz Waves. 2024. V. 45. P. 383.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».