Dependence of Reversible and Irreversible Failures of Semiconductor Devices on the Repetition Rate of Powerful Pulse Electromagnetic Interference

V. G. Usychenko; Усыченко В. Г.; L. N. Sorokin; Сорокин Л. Н.; A. A. Sasunkevich; Сасункевич А. А.

doi:10.31857/S0033849423120197

Зависимость обратимых и необратимых отказов полупроводниковых приборов от частоты следования мощных импульсных электромагнитных помех

Авторы: Усыченко В.Г.¹, Сорокин Л.Н.², Сасункевич А.А.³
Учреждения:
1. АО “Светлана-Электронприбор”
2. Санкт-Петербургский федеральный исследовательский центр РАН
3. Военно-космическая академия им. А.Ф. Можайского
Выпуск: Том 68, № 12 (2023)
Страницы: 1221-1229
Раздел: ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
URL: https://journals.rcsi.science/0033-8494/article/view/243614
DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423120197
EDN: https://elibrary.ru/YDGBZL
ID: 243614

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Проанализированы механизмы обратимых и необратимых отказов, происходящих у полупроводниковых СВЧ-приборов, микросхем и микропроцессоров при воздействии мощных электромагнитных импульсов, следующих как одиночно, так и периодически. Показано, что у микропроцессоров отказы обоих видов порождаются электротепловыми неустойчивостями, которые развиваются в пренебрежимо малых объемах прибора. Объяснены зависимости пороговой энергии отказов от амплитуды, длительности и частоты следования импульсов. Результаты расчетов согласуются с экспериментальными данными.

Список литературы

Рикетс Л.У., Бриджес Дж., Майлетта Дж. Электромагнитный импульс и методы защиты. М.: Атомиздат, 1979.
Whalen J.J., Calcatera M.C., Thorn M.L. // IEEE Trans. 1979. V. MTT-27. № 12. P. 1026.
Wunsh D.C., Bell R.R. // IEEE Trans. 1968. V. NS-15. № 6. P. 244.
Taska D.M. // IEEE Trans. 1970. V. NS-17. № 6. P. 364.
Arkhipov V.I., Astvatsaturyan E.R., Godovitsyn V.I., Rudenko A.I. // Int. J. Electronics. 1983. V. 55. № 3. P. 395.
Абидов М.А. Статические характеристики диодных структур. М.: Радио и связь, 1989.
Dwyer V.M., Franklin A.J., Campbell D.S. // Solid-State Electronics. 1990. V. 33. № 5. P. 553.
Усыченко В.Г., Сорокин Л.Н. Стойкость сверхвысокочастотных радиоприемных устройств к электромагнитным воздействиям. М.: Радиотехника, 2017.
Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. // РЭ. 2011. Т. 56. № 3. С. 370.
Nitsch D., Camp M., Sabath F. et al. // IEEE Trans. 2004. V. EMC-46. № 3. P. 380.
Юшков Ю.Г., Чумерин П.Ю., Артеменко С.Н. и др. // РЭ. 2001. Т. 46. № 8. С. 1020.
Hoad R., Carter N., Herke D., Watkins S. // IEEE Trans. 2004. V. EMC-46. № 3. P. 390.
Camp M., Garbe H. // IEEE Trans. 2006. V. EMC-48. № 4. P. 829.
Усыченко В.Г., Сасункевич А.А., Сорокин Л.Н. // РЭ. 2016. Т. 61. № 5. С. 484.
Сасункевич А.А., Сорокин Л.Н., Усыченко В.Г. // РЭ. 2016. Т. 61. № 7. С. 702.
ГОСТ Р 51317.2.5–2000. Совместимость технических средств электромагнитная. Электромагнитная обстановка. Классификация электромагнитных помех в местах размещения технических средств. М.: Госстандарт России, 2001. https://meganorm.ru/Data/109/10975.pdf.
Усыченко В.Г., Сорокин Л.Н., Усыченко А.С. // РЭ. 2020. Т. 65. № 12. С. 1234.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984.
Самарский А.А., Галактионов B.А., Курдюмов C.П., Михайлов А.П. Режимы с обострением в задачах для квазилинейных параболических уравнений. М.: Наука, 1987.
Сасункевич А.А., Сорокин Л.Н., Усыченко В.Г. // РЭ. 2013. Т. 58. № 6. С. 635.