Optical Properties of Nanometer Nickel Oxide Epitaxial Films on Linbo3 Substrates

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Semiconductor structures based on nickel oxide grown on LiNbO3 substrates were fabricated using magnetron sputtering. The optical properties of NiO films on LiNbO3 substrates were studied in the wavelength range of 250…800 nm, and transmission and reflection spectra of these structures were simulated. The dispersion of the complex refractive index of the grown films was obtained, which ensures good agreement between the calculated and experimental transmission and reflection curves. These studies made it possible to determine the thickness of the grown epitaxial films using optical methods and compare with the results obtained based on the film growth rate and atomic force microscopy methods.

Авторлар туралы

S. Averin

Fryazino branch Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS

Email: sva278@ire216.msk.su
Vvedensky Squar., 1, Fryazino, Moscow region, 141190 Russian Federation

V. Luzanov

Fryazino branch Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS

Email: sva278@ire216.msk.su
Vvedensky Squar., 1, Fryazino, Moscow region, 141190 Russian Federation

V. Zhitov

Fryazino branch Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS

Email: sva278@ire216.msk.su
Vvedensky Squar., 1, Fryazino, Moscow region, 141190 Russian Federation

L. Zaharov

Fryazino branch Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS

Email: sva278@ire216.msk.su
Vvedensky Squar., 1, Fryazino, Moscow region, 141190 Russian Federation

V. Kotov

Fryazino branch Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: sva278@ire216.msk.su
Vvedensky Squar., 1, Fryazino, Moscow region, 141190 Russian Federation

Әдебиет тізімі

  1. Gupta R.K., Hendi A.A., Cavas M. et al. // Physica E. 2014. V. 56. P. 288.
  2. Hunashimarad Basavaraj G., Bath J.S., Raghavendra P.V., Bhajantri R.F. // Opt. Mater. 2022. V. 124. Article No. 111960.
  3. Steinebach H., Kannan S., Rieth L., Solzbacher F. // Sensors Actuators B: Chemical. 2010. V. 151. № 1. P. 162.
  4. Sato H., Minami T., Takata S., Yamada T. // Thin Solid Films. 1993. V. 236. № 1–2. P. 27.
  5. Lou X.C., Zhao X.J., He X. // Solar Energy. 2009. V. 83. № 12. P. 2103.
  6. Shinde V.R., Gujar T.P., Lokhande C.D. et al. // Mater. Chem. Phys. 2006. V. 96. № 2–3. P. 326.
  7. Park S.-W., Choi J.M., Kim E., Im S. // Appl. Surf. Sci. 2005.V. 244. № 1. P. 439.
  8. Ohta H., Hirano M., Nakahara K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. № 5. P. 1029.
  9. Manjunatha K.N., Paul Sh. // Appl. Surface Sci. 2015. V. 352. P. 10.
  10. Лузанов В.А. // РЭ. 2020. Т. 65. № 12. С. 1206.
  11. Аверин С.В., Лузанов В.А., Житов В.А. и др. // РЭ. 2024. Т. 69. № 9. С. 918.
  12. Choi J.-M., Im S. // Appl. Surface Sci. 2005. V. 244. P. 435.
  13. Ahmed A.A., Devarajan M., Afzal N. // Sensors and Actuators A: Physical. 2017. V. 262. P. 78.
  14. Lin D.Y., Chen W.L., Lin W.C., Shiu J.J., Han J. // Phys. Stat. Sol. С. 2006. V. 3. № 6. P. 1983.
  15. Surender S., Probakaran K., Pradeep S., et al. // Opt. Mater. 2023. V. 136. Article No. 113462.
  16. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. M.: Мир, 1981. С. 379.
  17. Zelmon D.E., Small D.L., Jundt D. // J. Opt. Soc. Amer. B. 1997. V. 14. № 12. P. 3319.
  18. Malitson I.H. // J. Opt. Soc. Amer. 1965. V. 55. № 10. P. 1205.
  19. Tripathi S.K., Gupta S., Mustafa F. I. et al. // J. Phys.D: Appl.Phys. 2009. V. 42. № 18. Article No. 185404.
  20. Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002.
  21. Adachi S. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Numerical Data and Graphical Information, N.Y.: Springer, 1999.
  22. Tauc J. // Mater. Res. Bull. 1968. V. 3. № 1. P. 37.
  23. Hadi A.A., Badr B.A., Mahdi R.O., Khashan K.S. Optic. Int. J. Light and Electron Optics. 2020. V. 219. Article No. 165019.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».