Photoinduced Microwave Permittivity of Semiconductors: Exciton Mechanism
- Авторлар: Butylkin V.1, Fisher P.1, Kraftmakher G.1, Kazantsev Y.1, Kalenov D.1, Maltsev V.1, Parkhomenko M.1
-
Мекемелер:
- Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Fryazino Branch, Russian Academy of Sciences
- Шығарылым: Том 68, № 2 (2023)
- Беттер: 152-156
- Бөлім: РАДИОФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ И ПЛАЗМЕ
- URL: https://journals.rcsi.science/0033-8494/article/view/138114
- DOI: https://doi.org/10.31857/S003384942302002X
- EDN: https://elibrary.ru/LBTXGY
- ID: 138114
Дәйексөз келтіру
Аннотация
Significant differences observed in the behavior of photoinduced permittivity ε of semiconductors in the gigahertz (GHz) and terahertz (THz) ranges are explained within the framework of the exciton mechanism by the different position of these ranges relative to the frequencies of exciton interlevel transitions. The measurements in the GHz range of the photoinduced changes of quantities Imε(P_λ) and Reε(P_λ) of CdS, CdSe and Si samples in a waveguide resonator (f = 4.7 GHz) and transmittance T of Si samples in free space (f = 8–36 GHz ) under fiber-optic irradiation (P_λ = 0–370 mW and λ = 0.97 μm) that exhibit non-Drude response prove the theoretical conclusions: an increase in Reε^(GHz)(P_λ) with increasing P_λ and an increase in transmittance T with decreasing frequency f at fixed power P_λ.
Негізгі сөздер
Авторлар туралы
V. Butylkin
Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Fryazino Branch, Russian Academy of Sciences
Email: vasebut@yandex.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia
P. Fisher
Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Fryazino Branch, Russian Academy of Sciences
Email: vasebut@yandex.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia
G. Kraftmakher
Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Fryazino Branch, Russian Academy of Sciences
Email: vasebut@yandex.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia
Yu. Kazantsev
Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Fryazino Branch, Russian Academy of Sciences
Email: vasebut@yandex.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia
D. Kalenov
Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Fryazino Branch, Russian Academy of Sciences
Email: vasebut@yandex.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia
V. Maltsev
Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Fryazino Branch, Russian Academy of Sciences
Email: vasebut@yandex.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia
M. Parkhomenko
Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Fryazino Branch, Russian Academy of Sciences
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: vasebut@yandex.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia
Әдебиет тізімі
- Brown A.R., Rebeiz G.M. // IEEE Trans. 2000. V. MTT-48. № 7. P. 1157.
- Замешаева Е.Ю., Туральчук П.А., Тургалиев В.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. № 18. С. 87.
- Геворкян В., Кочемасов В., Устинов А. // Компоненты и технологии. 2017. № 3. С. 16.
- Srinivasan G., Tatarenko A.S., Bichurin M.I. // Electron. Lett. 2005. V. 41. № 10. P. 596.
- Крафтмахер Г.А., Бутылкин В.С., Казанцев Ю.Н., Мальцев В.П. // Письма в ЖЭТФ. 2019. Т. 109. № 4. С. 224.
- Chen H.T., O’Hara J.F., Azad A.K., Taylor A.J. // Laser Photonics Rev. 2011. V. 5. № 4. P. 513.
- Padilla W.J., Taylor A.J., Highstrete C. et al. // Phys. Rev. 2006. V. 96. № 10. P. 107401.
- Chen H.T., Padilla W.J., Zide J. et al. // Nature. 2006. V. 444. № 7119. P. 597. https://doi.org/10.1038/nature05343
- Xiao S., Wang T., Jiang X. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2020. V. 53. № 50. P. 503002.
- Manceau J.M., Shen N.-H., Kafesaki M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. № 2. P. 021111.
- Nemati A., Wang Q., Hong M.H., Teng J.H. // Opto-Electron Advances. 2018. V.1. № 18. P. 180009. https://doi.org/10.29026/oea.2018.180009
- Zhou J., Chowdhury D.R., Zha R. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. № 3. P. 035448. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.035448
- Крафтмахер Г.А., Бутылкин В.С., Казанцев Ю.Н. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2021. Т. 114. № 9. С. 586.
- Маделунг О. Теория твердого тела. М.: Наука, 1980. С. 414.
- Бутылкин В.С., Фишер П.С., Крафтмахер Г.А. и др. // РЭ. 2022. Т. 67. № 12. С. 1185.
- Файн В.М. Фотоны и нелинейные среды. М.: Сов. радио, 1972. С. 472.
- Бутылкин В.С., Каплан А.Е., Хронопуло Ю.Г., Якубович Е.И. Резонансные взаимодействия света с веществом. М.: Наука, 1977. С. 352.
- Митропольский Ю.А. Метод усреднения в нелинейной механике. Киев: Наукова думка, 1971. С. 440.
- Busch S., Scherger B., Scheller M., Koch M. // Optics Lett. 2012. V. 37. № 8. P. 1391.
- Лакс Б., Баттон К. Сверхвысокочастотные ферриты и ферримагнетики. М.: Мир, 1965. С. 675.
- Казанцев Ю.Н., Крафтмахер Г.А. // Физика металлов и металловедение. 1989. Т. 67. № 5. С. 902.